![2N7002BKS,115 2N7002BKS,115](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/2/15/5/45/16/184/nexpe_/manual/sot363_3d.jpg)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002BKS,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 295mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N7002BKS,115 за ціною від 3.11 грн до 28.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002BKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 295mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 246000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 295mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 28684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 295mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 28684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 46644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 250773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N7002BKS,115 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002BKS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |