![2N7000 2N7000](/img/to-92.jpg)
2N7000 NXP
![2N7000-D.PDF](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 20638
Виробник: NXPUds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
у наявності 1739 шт:
1647 шт - склад
32 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 4 грн |
10+ | 3.6 грн |
100+ | 3.2 грн |
1000+ | 2.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни 2N7000 NXP
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7000 Код товару: 200238 |
Виробник : CJ |
![]() Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/ Монтаж: THT |
у наявності: 883 шт
791 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ 25 шт - РАДІОМАГ-Львів 44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції 2N7000 за ціною від 1.87 грн до 62.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7000 Код товару: 200238 |
Виробник : CJ |
![]() Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/ Монтаж: THT |
у наявності: 883 шт
791 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ 25 шт - РАДІОМАГ-Львів 44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 124000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced |
на замовлення 24130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 24130 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 129304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 6691 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 64694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 9364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 39776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 64694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9364 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 102904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 27675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : LGE |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6670 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : DIOTEC |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 306 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : DIOTEC |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
2N7000 |
![]() ![]() ![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() ![]() ![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() ![]() ![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 Код товару: 182880 |
Виробник : ST |
![]() Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,32 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
47uF 50V ECR 6,3x11mm (ECR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3509 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 7023 шт
6170 шт - склад
73 шт - РАДІОМАГ-Київ
319 шт - РАДІОМАГ-Львів
205 шт - РАДІОМАГ-Харків
198 шт - РАДІОМАГ-Одеса
58 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
73 шт - РАДІОМАГ-Київ
319 шт - РАДІОМАГ-Львів
205 шт - РАДІОМАГ-Харків
198 шт - РАДІОМАГ-Одеса
58 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
50 шт
50 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 1.5 грн |
19+ | 1.1 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.7 грн |
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano) Код товару: 11106 |
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 52871 шт
34967 шт - склад
4420 шт - РАДІОМАГ-Київ
4625 шт - РАДІОМАГ-Львів
331 шт - РАДІОМАГ-Харків
4748 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3780 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4420 шт - РАДІОМАГ-Київ
4625 шт - РАДІОМАГ-Львів
331 шт - РАДІОМАГ-Харків
4748 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3780 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
40000 шт
40000 шт - очікується 20.10.2024
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 0.7 грн |
100+ | 0.55 грн |
1000+ | 0.4 грн |
Світлодіод інфрачервоний 5mm, 940нм GNL-5013IRAB Код товару: 23045 |
![]() |
Виробник: G-Nor
Світлодіоди > Світлодіоди інфрачервоні
Опис: ІЧ-світлодіод 940нм, 30°, 7мВт, 1.5В, 30мА, 5мм
Розмір: 5 mm
Напруга: 1,5 V
Кут: 30°
Монтаж: THT
Довжина хвилі: 940 нм
Світлодіоди > Світлодіоди інфрачервоні
Опис: ІЧ-світлодіод 940нм, 30°, 7мВт, 1.5В, 30мА, 5мм
Розмір: 5 mm
Напруга: 1,5 V
Кут: 30°
Монтаж: THT
Довжина хвилі: 940 нм
у наявності: 2096 шт
1530 шт - склад
75 шт - РАДІОМАГ-Київ
158 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Харків
167 шт - РАДІОМАГ-Одеса
144 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
75 шт - РАДІОМАГ-Київ
158 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Харків
167 шт - РАДІОМАГ-Одеса
144 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 3.5 грн |
10+ | 3.1 грн |
100+ | 2.6 грн |
1000+ | 2.2 грн |
1N4148 Код товару: 176824 |
![]() |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
у наявності: 6857 шт
6857 шт - склад
очікується:
400 шт
400 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 1.5 грн |
34+ | 0.6 грн |
100+ | 0.4 грн |
1000+ | 0.28 грн |
10uF 25V ECR 5x11mm (ECR100M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 1245 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 289 шт
73 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
199 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
199 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 1.5 грн |
19+ | 1.1 грн |
100+ | 0.7 грн |
1000+ | 0.5 грн |