Продукція > ONSEMI > 2N7002ET1G
2N7002ET1G

2N7002ET1G ONSEMI

2354032.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.84 грн
9000+ 2.18 грн
24000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002ET1G ONSEMI

Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2N7002ET1G за ціною від 1.4 грн до 31.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.91 грн
6000+ 2.5 грн
9000+ 2.35 грн
15000+ 2.04 грн
21000+ 1.95 грн
30000+ 1.86 грн
75000+ 1.63 грн
150000+ 1.5 грн
300000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3319+3.63 грн
3356+ 3.59 грн
3866+ 3.12 грн
5120+ 2.27 грн
6000+ 1.79 грн
15000+ 1.42 грн
Мінімальне замовлення: 3319
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 78978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+9.04 грн
85+ 7.07 грн
95+ 6.34 грн
134+ 4.32 грн
250+ 3.01 грн
500+ 2.86 грн
1000+ 2.48 грн
3000+ 1.87 грн
6000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 67
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2N7002E.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+12.48 грн
50+ 7.39 грн
72+ 5.04 грн
100+ 4.28 грн
408+ 2.06 грн
1120+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 32
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 385494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+14.29 грн
34+ 8.55 грн
100+ 5.27 грн
500+ 3.61 грн
1000+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2N7002E.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5599 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+14.97 грн
30+ 9.2 грн
50+ 6.05 грн
100+ 5.14 грн
408+ 2.47 грн
1120+ 2.33 грн
Мінімальне замовлення: 19
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : onsemi 2N7002E_D-2310204.pdf MOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
на замовлення 619127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+15.09 грн
33+ 9.83 грн
100+ 3.89 грн
1000+ 2.92 грн
3000+ 1.95 грн
9000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 78978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+16.22 грн
77+ 10.22 грн
159+ 4.91 грн
500+ 4.46 грн
Мінімальне замовлення: 49
2N7002ET1G Виробник : ON-Semicoductor 2n7002e-d.pdf N-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 300
2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 260 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25; Qg, нКл = 0,81 @ 5 В; Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA; SOT-23-3
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+31.2 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній