2N7000-G Microchip Technology
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 406+ | 30.17 грн |
| 409+ | 29.96 грн |
| 425+ | 28.84 грн |
| 500+ | 26.54 грн |
| 1000+ | 23.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7000-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N7000-G за ціною від 23.7 грн до 69.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N7000-G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 11025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N7000-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
,TO-226_straightlead.jpg "2N7000-G") |
2N7000-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 3019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N7000-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N7000-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 60V 5Ohm |
на замовлення 9386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N7000-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N7000-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 0.2A Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N7000-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 0.2A Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 804 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N7000-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
2N7000-G Код товару: 182408 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
2N7000-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
2N7000G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| 2N7000G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
2N7000G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
2N7000G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V 200mA N-Channel |
товар відсутній |