на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 27.2 грн |
| 667+ | 18.36 грн |
| 685+ | 17.86 грн |
| 692+ | 17.05 грн |
| 1153+ | 9.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002E-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V.
Інші пропозиції 2N7002E-T1-E3 за ціною від 6.6 грн до 44.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N7002E-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002E-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002E-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V 0.24A |
на замовлення 415375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002E-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - 2N7002E-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002E-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
на замовлення 1427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 187460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 1394018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
2006 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 2N7002E-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
2N7002E-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2N7002E-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
товар відсутній |