![2N7002,235 2N7002,235](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2021/2/10/11/33/44/847541/nexpe_/manual/nxv65upr.jpg)
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 1.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002,235 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V.
Інші пропозиції 2N7002,235 за ціною від 1.53 грн до 19.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002,235 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,235 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,235 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,235 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,235 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,235 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,235 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 23877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,235 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 8750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,235 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 0.83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002,235 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002,235 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 0.83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |