UJ3C120040K3S Qorvo
Виробник: QorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1969.18 грн |
| 25+ | 1673.15 грн |
| 100+ | 1450.21 грн |
| 250+ | 1151.72 грн |
| 500+ | 1090.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3C120040K3S Qorvo
Description: QORVO - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції UJ3C120040K3S за ціною від 1297.47 грн до 2459.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3C120040K3S | Виробник : QORVO |
Description: QORVO - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UJ3C120040K3S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 1200V/40mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
UJ3C120040K3S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| UJ3C120040K3S | Виробник : USCi |
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A UJ3C120040K3S TUJ3C120040k3s кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
UJ3C120040K3S Код товару: 193437 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
UJ3C120040K3S | Виробник : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A Technology: SiC Mounting: THT Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: TO247-3 Power dissipation: 429W Pulsed drain current: 175A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 47A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 51nC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
UJ3C120040K3S | Виробник : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A Technology: SiC Mounting: THT Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: TO247-3 Power dissipation: 429W Pulsed drain current: 175A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 47A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 51nC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |