UJ3C120150K3S Qorvo
Виробник: QorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 682.92 грн |
| 30+ | 524.61 грн |
| 120+ | 469.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3C120150K3S Qorvo
Description: UNITEDSIC - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.4, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 166.7, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166.7, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15, Rds(on)-Prüfspannung: 12, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ3C120150K3S за ціною від 364.69 грн до 938.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3C120150K3S | Виробник : Qorvo |
MOSFET 1200V/150mOhms,SICFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UJ3C120150K3S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UJ3C120150K3S | Виробник : UNITEDSIC |
Description: UNITEDSIC - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.4 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 166.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 166.7 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Rds(on)-Prüfspannung: 12 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|