UJ3C065030B3 Qorvo
Виробник: QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 764.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3C065030B3 Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V, Power Dissipation (Max): 242W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V.
Інші пропозиції UJ3C065030B3 за ціною від 778.06 грн до 3166.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3C065030B3 | Виробник : QORVO |
Description: QORVO - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 242W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UJ3C065030B3 | Виробник : QORVO |
Description: QORVO - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 242W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UJ3C065030B3 | Виробник : Qorvo |
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 4409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UJ3C065030B3 | Виробник : Qorvo |
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3 |
на замовлення 1732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UJ3C065030B3 | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UJ3C065030B3 | Виробник : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A Technology: SiC Mounting: SMD Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: D2PAK Power dissipation: 250W Pulsed drain current: 230A Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 51nC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±25V |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UJ3C065030B3 | Виробник : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A Technology: SiC Mounting: SMD Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: D2PAK Power dissipation: 250W Pulsed drain current: 230A Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 51nC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±25V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|