PJA3413_R1_00001 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -13.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Pulsed drain current: -13.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -3.4A
Drain-source voltage: -20V
Power dissipation: 1.25W
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 5.52 грн |
| 105+ | 3.63 грн |
| 250+ | 3.27 грн |
| 320+ | 2.7 грн |
| 880+ | 2.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJA3413_R1_00001 PanJit Semiconductor
Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 522 pF @ 10 V.
Інші пропозиції PJA3413_R1_00001 за ціною від 2.96 грн до 36.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJA3413_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 522 pF @ 10 V |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJA3413_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -13.6A; 1.25W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Case: SOT23 Gate charge: 7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 146mΩ Pulsed drain current: -13.6A Type of transistor: P-MOSFET Drain current: -3.4A Drain-source voltage: -20V Power dissipation: 1.25W кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJA3413_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 522 pF @ 10 V |
на замовлення 87312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJA3413_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 60969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|