![PJA3403_R1_00001 PJA3403_R1_00001](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/FC/F1/01/00/0/1056719_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=765ca25f54342a17644bd0f80909f05e9e1cad28)
PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor
![PJA3403.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Pulsed drain current: -12.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -3.1A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.25W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
75+ | 5.52 грн |
95+ | 4.03 грн |
250+ | 3.57 грн |
255+ | 3.35 грн |
705+ | 3.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PJA3403_R1_00001 за ціною від 3.65 грн до 35.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PJA3403_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Case: SOT23 Gate charge: 11nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.165Ω Pulsed drain current: -12.4A Type of transistor: P-MOSFET Drain current: -3.1A Drain-source voltage: -30V Power dissipation: 1.25W кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PJA3403_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PJA3403_R1_00001 | Виробник : Panjit |
![]() |
на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PJA3403_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V |
товар відсутній |