PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Pulsed drain current: -12.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -3.1A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.25W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 5.52 грн |
| 95+ | 4.03 грн |
| 250+ | 3.57 грн |
| 255+ | 3.35 грн |
| 705+ | 3.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PJA3403_R1_00001 за ціною від 3.65 грн до 35.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJA3403_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Case: SOT23 Gate charge: 11nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.165Ω Pulsed drain current: -12.4A Type of transistor: P-MOSFET Drain current: -3.1A Drain-source voltage: -30V Power dissipation: 1.25W кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJA3403_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJA3403_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJA3403_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V |
товар відсутній |