Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (139539) > Сторінка 2177 з 2326

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1856 2088 2172 2173 2174 2175 2176 2177 2178 2179 2180 2181 2182 2320 2326  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
NDS0605 NDS0605 ONSEMI 2304442.pdf Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
MC14504BDR2G MC14504BDR2G ONSEMI MC14504B-D.PDF description Description: ONSEMI - MC14504BDR2G - Spannungspegelumsetzer, 1 Eingang, 8.8mA, 160ns, 3V bis 18V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8.8mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 160ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.67 грн
14+ 59.42 грн
100+ 38.93 грн
500+ 22.29 грн
2500+ 19.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
KSH210TM ONSEMI FAIRS20619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSH210TM - POWER BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4MP10MH-TL-E ONSEMI Description: ONSEMI - 4MP10MH-TL-E - 4MP10MH - PNP BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1690+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 1690
DTC124XET1G DTC124XET1G ONSEMI 2337927.pdf Description: ONSEMI - DTC124XET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.67 грн
3000+ 1.34 грн
9000+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTC123JM3T5G ONSEMI RE_DSHEET_DTC123JM3T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - DTC123JM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 237031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 16000
DTC123EET1G ONSEMI RE_DSHEET_DTC123EET1G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - DTC123EET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 112788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 12000
DTC123EM3T5G ONSEMI RE_DSHEET_DTC123EM3T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - DTC123EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 190573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 16000
DTC124EM3T5G ONSEMI RE_DSHEET_DTC124EM3T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - DTC124EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 16000
SI4963DY SI4963DY ONSEMI FAIRS36748-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - SI4963DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4920DY SI4920DY ONSEMI FAIRS43868-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - SI4920DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
972+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 972
SI4936DY SI4936DY ONSEMI FAIRS16622-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - SI4936DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MC74HC125ADR2G MC74HC125ADR2G ONSEMI 1878560.pdf Description: ONSEMI - MC74HC125ADR2G - Puffer, 74HC125, 2V bis 6V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74125
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC125
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.95 грн
500+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
LP2951ACD-3.3R2G LP2951ACD-3.3R2G ONSEMI ONSM-S-A0004899879-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - LP2951ACD-3.3R2G - LDO-Festspannungsregler, 2.3V bis 30V, 350mV Dropout, 3.3V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.08 грн
500+ 16.62 грн
2500+ 14.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
P6KE180A ONSEMI TWSC-S-A0013599858-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - P6KE180A - TVS-Diode, P6KE Series, Unidirektional, 154 V, 246 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 171V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 189V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 154V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: P6KE Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 246V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000
MBRM120LT3G MBRM120LT3G ONSEMI 1571874.pdf Description: ONSEMI - MBRM120LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 20 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 26325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.39 грн
24+ 32.99 грн
100+ 17.75 грн
500+ 9.15 грн
12000+ 8.38 грн
Мінімальне замовлення: 19
MBRM120ET3G MBRM120ET3G ONSEMI ONSM-S-A0014421679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MBRM120ET3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 20 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 67765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.57 грн
17+ 46.28 грн
100+ 29 грн
500+ 24.9 грн
12000+ 21.04 грн
36000+ 19.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
MBRD5H100T4G MBRD5H100T4G ONSEMI 2255258.pdf Description: ONSEMI - MBRD5H100T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 710 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 105A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 710mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.85 грн
11+ 77.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
MBRM130LT1G MBRM130LT1G ONSEMI 1747969.pdf Description: ONSEMI - MBRM130LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 380 mV
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 380mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.89 грн
25+ 31.58 грн
100+ 16.89 грн
500+ 14.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
P6KE68A ONSEMI TWSC-S-A0013599858-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - P6KE68A - TVS-Diode, P6KE Series, Unidirektional, 58.1 V, 92 V, DO-15, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-15
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 64.6V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 71.4V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 58.1V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: P6KE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 92V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SA575NG SA575NG ONSEMI ONSMS08996-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SA575NG - SA575NG, AUDIO CONTROL
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+206.39 грн
Мінімальне замовлення: 144
M1MA152WAT1G M1MA152WAT1G ONSEMI 1750733.pdf Description: ONSEMI - M1MA152WAT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 150 mA, 1.2 V, 10 ns, 750 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-59
Durchlassstoßstrom: 750mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.61 грн
3000+ 1.81 грн
9000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
ULN2003ADR2G ULN2003ADR2G ONSEMI 235470.pdf Description: ONSEMI - ULN2003ADR2G - TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.5A, SOIC-16
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3V
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.79 грн
500+ 27.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
ULN2003ADR2G ULN2003ADR2G ONSEMI ONSM-S-A0011139563-1.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: ONSEMI - ULN2003ADR2G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 56031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQT7N10LTF FQT7N10LTF ONSEMI 2284094.pdf Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.26 грн
16+ 49.49 грн
100+ 31.19 грн
500+ 24.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
FQT7N10LTF FQT7N10LTF ONSEMI 2284094.pdf Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.19 грн
500+ 24.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
LA5744-HK-E ONSEMI ONSMS36233-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - LA5744-HK-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 38242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+113.36 грн
Мінімальне замовлення: 300
LA5744MP-DL-E ONSEMI ONSMS36234-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - LA5744MP-DL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 220376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SBAV99WT1G ONSEMI 1911662.pdf Description: ONSEMI - SBAV99WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach
Qualifikation: AEC-Q100
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FLZ3V3A ONSEMI FAIRS44737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FLZ3V3A - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 75032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 13889
MMPQ2907A MMPQ2907A ONSEMI ONSM-S-A0003587690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMPQ2907A - Bipolares Transistor-Array, 4fach-PNP, 60 V, 600 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 4fach-PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMPQ2907A MMPQ2907A ONSEMI ONSM-S-A0003587690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMPQ2907A - Bipolares Transistor-Array, 4fach-PNP, 60 V, 600 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 4fach-PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.12 грн
10+ 96.94 грн
100+ 76.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
50A02CH-TL-E 50A02CH-TL-E ONSEMI 50A02CH-D.PDF Description: ONSEMI - 50A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 700 mW, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 690MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.76 грн
500+ 17.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMBT5401. MMBT5401. ONSEMI 1874917.pdf Description: ONSEMI - MMBT5401. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+8.29 грн
118+ 6.65 грн
Мінімальне замовлення: 95
MMBT5401. MMBT5401. ONSEMI 1874917.pdf Description: ONSEMI - MMBT5401. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCA0372BDWR2G TCA0372BDWR2G ONSEMI ONSMS34530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TCA0372BDWR2G - Operationsverstärker, zweifach, 2 Kanäle, 1.4 MHz, 1.4 V/µs, 5V bis 40V, WSOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Strom
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 5V bis 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.4MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 0.1µA
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.26 грн
500+ 52.63 грн
1000+ 39.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
LA6531-E LA6531-E ONSEMI en3264ad.pdf Description: ONSEMI - LA6531-E - MOTOR DRIVER
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+56.45 грн
Мінімальне замовлення: 458
MC14025BDR2G MC14025BDR2G ONSEMI 1878535.pdf Description: ONSEMI - MC14025BDR2G - NOR-Gatter, MC14025, 3 Eingänge, 3V bis 18V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4025
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.44 грн
500+ 15.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDB28N30TM FDB28N30TM ONSEMI 2304489.pdf Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.47 грн
10+ 131.34 грн
100+ 103.98 грн
500+ 82.76 грн
800+ 63.79 грн
1600+ 63.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
TL431BIDR2G TL431BIDR2G ONSEMI 2353735.pdf Description: ONSEMI - TL431BIDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.42 грн
500+ 10.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
BDX33C ONSEMI ONSM-S-A0003590210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BDX33C - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 935
1N5921BRLG 1N5921BRLG ONSEMI ONSMS11851-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 1N5921BRLG - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 105561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 6000
NCP3420DR2G NCP3420DR2G ONSEMI 1842097.pdf Description: ONSEMI - NCP3420DR2G - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 30ns
Ausgabeverzögerung: 30ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.74 грн
23+ 34.16 грн
100+ 22.59 грн
500+ 14.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
NCP3420DR2G NCP3420DR2G ONSEMI 1842097.pdf Description: ONSEMI - NCP3420DR2G - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 30ns
Ausgabeverzögerung: 30ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.59 грн
500+ 14.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.48 грн
500+ 37.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
MC74HC04ADR2G MC74HC04ADR2G ONSEMI 1833440.pdf Description: ONSEMI - MC74HC04ADR2G - Inverter, 74HC04, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ ONSEMI 2572505.pdf Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.124 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 17081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.34 грн
11+ 72.08 грн
100+ 49.88 грн
500+ 41.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ ONSEMI 2572505.pdf Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.124 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 17081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.88 грн
500+ 41.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM ONSEMI 2859348.pdf Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.82 грн
13+ 61.37 грн
100+ 39.09 грн
500+ 30.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 ONSEMI 1781199.pdf Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.013 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.32 грн
10+ 112.58 грн
100+ 87.56 грн
500+ 58.58 грн
2500+ 53.01 грн
5000+ 51.93 грн
7500+ 50.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD7N20TM FDD7N20TM ONSEMI 1863387.pdf Description: ONSEMI - FDD7N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.58 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.58ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.65 грн
500+ 27.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDB86363-F085 FDB86363-F085 ONSEMI 2729317.pdf Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+217.34 грн
500+ 169.15 грн
800+ 142.73 грн
1600+ 140.05 грн
2400+ 136.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 ONSEMI ONSM-S-A0003586438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.013 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.56 грн
500+ 58.58 грн
2500+ 53.01 грн
5000+ 51.93 грн
7500+ 50.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM ONSEMI 2859348.pdf Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.09 грн
500+ 30.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ONSEMI 1842044.pdf Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.01 грн
56+ 13.99 грн
141+ 5.55 грн
500+ 5.05 грн
Мінімальне замовлення: 40
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0011394413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.74 грн
44+ 18.06 грн
100+ 8.29 грн
500+ 4.21 грн
3000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 30
MUN5211T1G MUN5211T1G ONSEMI 1708302.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 59330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5335DW1T2G MUN5335DW1T2G ONSEMI ONSM-S-A0013750083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5335DW1T2G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.01 грн
63+ 12.43 грн
145+ 5.39 грн
500+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 40
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013777052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.28 грн
43+ 18.37 грн
110+ 7.13 грн
500+ 6.49 грн
Мінімальне замовлення: 29
MUN5232T1G MUN5232T1G ONSEMI ONSM-S-A0013750038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5232T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.03 грн
3000+ 1.54 грн
9000+ 1.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
NDS0605 2304442.pdf
NDS0605
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
MC14504BDR2G description MC14504B-D.PDF
MC14504BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14504BDR2G - Spannungspegelumsetzer, 1 Eingang, 8.8mA, 160ns, 3V bis 18V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8.8mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 160ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+70.67 грн
14+ 59.42 грн
100+ 38.93 грн
500+ 22.29 грн
2500+ 19.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
KSH210TM FAIRS20619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSH210TM - POWER BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4MP10MH-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 4MP10MH-TL-E - 4MP10MH - PNP BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1690+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 1690
DTC124XET1G 2337927.pdf
DTC124XET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC124XET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.67 грн
3000+ 1.34 грн
9000+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTC123JM3T5G RE_DSHEET_DTC123JM3T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC123JM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 237031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 16000
DTC123EET1G RE_DSHEET_DTC123EET1G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC123EET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 112788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 12000
DTC123EM3T5G RE_DSHEET_DTC123EM3T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC123EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 190573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 16000
DTC124EM3T5G RE_DSHEET_DTC124EM3T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC124EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 16000
SI4963DY FAIRS36748-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SI4963DY
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4963DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+49.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4920DY FAIRS43868-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SI4920DY
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4920DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
972+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 972
SI4936DY FAIRS16622-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SI4936DY
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4936DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+70.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MC74HC125ADR2G 1878560.pdf
MC74HC125ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC125ADR2G - Puffer, 74HC125, 2V bis 6V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74125
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC125
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+15.95 грн
500+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
LP2951ACD-3.3R2G ONSM-S-A0004899879-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
LP2951ACD-3.3R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LP2951ACD-3.3R2G - LDO-Festspannungsregler, 2.3V bis 30V, 350mV Dropout, 3.3V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+29.08 грн
500+ 16.62 грн
2500+ 14.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
P6KE180A TWSC-S-A0013599858-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - P6KE180A - TVS-Diode, P6KE Series, Unidirektional, 154 V, 246 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 171V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 189V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 154V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: P6KE Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 246V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000
MBRM120LT3G 1571874.pdf
MBRM120LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRM120LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 20 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 26325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+43.39 грн
24+ 32.99 грн
100+ 17.75 грн
500+ 9.15 грн
12000+ 8.38 грн
Мінімальне замовлення: 19
MBRM120ET3G ONSM-S-A0014421679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBRM120ET3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRM120ET3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 20 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 67765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+54.57 грн
17+ 46.28 грн
100+ 29 грн
500+ 24.9 грн
12000+ 21.04 грн
36000+ 19.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
MBRD5H100T4G 2255258.pdf
MBRD5H100T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD5H100T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 710 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 105A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 710mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+100.85 грн
11+ 77.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
MBRM130LT1G 1747969.pdf
MBRM130LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRM130LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 380 mV
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 380mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+40.89 грн
25+ 31.58 грн
100+ 16.89 грн
500+ 14.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
P6KE68A TWSC-S-A0013599858-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - P6KE68A - TVS-Diode, P6KE Series, Unidirektional, 58.1 V, 92 V, DO-15, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-15
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 64.6V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 71.4V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 58.1V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: P6KE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 92V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SA575NG ONSMS08996-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SA575NG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA575NG - SA575NG, AUDIO CONTROL
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
144+206.39 грн
Мінімальне замовлення: 144
M1MA152WAT1G 1750733.pdf
M1MA152WAT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - M1MA152WAT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 150 mA, 1.2 V, 10 ns, 750 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-59
Durchlassstoßstrom: 750mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.61 грн
3000+ 1.81 грн
9000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
ULN2003ADR2G 235470.pdf
ULN2003ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ULN2003ADR2G - TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.5A, SOIC-16
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3V
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+34.79 грн
500+ 27.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
ULN2003ADR2G ONSM-S-A0011139563-1.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
ULN2003ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ULN2003ADR2G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 56031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQT7N10LTF 2284094.pdf
FQT7N10LTF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+59.26 грн
16+ 49.49 грн
100+ 31.19 грн
500+ 24.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
FQT7N10LTF 2284094.pdf
FQT7N10LTF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+31.19 грн
500+ 24.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
LA5744-HK-E ONSMS36233-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LA5744-HK-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 38242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+113.36 грн
Мінімальне замовлення: 300
LA5744MP-DL-E ONSMS36234-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LA5744MP-DL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 220376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+53.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SBAV99WT1G 1911662.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBAV99WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach
Qualifikation: AEC-Q100
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FLZ3V3A FAIRS44737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FLZ3V3A - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 75032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13889+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 13889
MMPQ2907A ONSM-S-A0003587690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMPQ2907A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMPQ2907A - Bipolares Transistor-Array, 4fach-PNP, 60 V, 600 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 4fach-PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+76.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMPQ2907A ONSM-S-A0003587690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMPQ2907A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMPQ2907A - Bipolares Transistor-Array, 4fach-PNP, 60 V, 600 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 4fach-PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+132.12 грн
10+ 96.94 грн
100+ 76.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
50A02CH-TL-E 50A02CH-D.PDF
50A02CH-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 50A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 700 mW, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 690MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+18.76 грн
500+ 17.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMBT5401. 1874917.pdf
MMBT5401.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5401. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+8.29 грн
118+ 6.65 грн
Мінімальне замовлення: 95
MMBT5401. 1874917.pdf
MMBT5401.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5401. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCA0372BDWR2G ONSMS34530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TCA0372BDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCA0372BDWR2G - Operationsverstärker, zweifach, 2 Kanäle, 1.4 MHz, 1.4 V/µs, 5V bis 40V, WSOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Strom
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 5V bis 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.4MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 0.1µA
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+59.26 грн
500+ 52.63 грн
1000+ 39.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
LA6531-E en3264ad.pdf
LA6531-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LA6531-E - MOTOR DRIVER
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
458+56.45 грн
Мінімальне замовлення: 458
MC14025BDR2G 1878535.pdf
MC14025BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14025BDR2G - NOR-Gatter, MC14025, 3 Eingänge, 3V bis 18V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4025
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.44 грн
500+ 15.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDB28N30TM 2304489.pdf
FDB28N30TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+177.47 грн
10+ 131.34 грн
100+ 103.98 грн
500+ 82.76 грн
800+ 63.79 грн
1600+ 63.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
TL431BIDR2G 2353735.pdf
TL431BIDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BIDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+16.42 грн
500+ 10.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
BDX33C ONSM-S-A0003590210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDX33C - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
935+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 935
1N5921BRLG ONSMS11851-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
1N5921BRLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5921BRLG - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 105561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 6000
NCP3420DR2G 1842097.pdf
NCP3420DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3420DR2G - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 30ns
Ausgabeverzögerung: 30ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+50.74 грн
23+ 34.16 грн
100+ 22.59 грн
500+ 14.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
NCP3420DR2G 1842097.pdf
NCP3420DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3420DR2G - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 30ns
Ausgabeverzögerung: 30ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+22.59 грн
500+ 14.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS6680A 2304255.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+44.48 грн
500+ 37.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
MC74HC04ADR2G 1833440.pdf
MC74HC04ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC04ADR2G - Inverter, 74HC04, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD1600N10ALZ 2572505.pdf
FDD1600N10ALZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.124 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 17081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+88.34 грн
11+ 72.08 грн
100+ 49.88 грн
500+ 41.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDD1600N10ALZ 2572505.pdf
FDD1600N10ALZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.124 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 17081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+49.88 грн
500+ 41.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD7N25LZTM 2859348.pdf
FDD7N25LZTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+74.82 грн
13+ 61.37 грн
100+ 39.09 грн
500+ 30.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDD16AN08A0 1781199.pdf
FDD16AN08A0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.013 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+149.32 грн
10+ 112.58 грн
100+ 87.56 грн
500+ 58.58 грн
2500+ 53.01 грн
5000+ 51.93 грн
7500+ 50.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD7N20TM 1863387.pdf
FDD7N20TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD7N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.58 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.58ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+35.65 грн
500+ 27.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDB86363-F085 2729317.pdf
FDB86363-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+217.34 грн
500+ 169.15 грн
800+ 142.73 грн
1600+ 140.05 грн
2400+ 136.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD16AN08A0 ONSM-S-A0003586438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD16AN08A0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.013 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+87.56 грн
500+ 58.58 грн
2500+ 53.01 грн
5000+ 51.93 грн
7500+ 50.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD7N25LZTM 2859348.pdf
FDD7N25LZTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+39.09 грн
500+ 30.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
MUN5311DW1T1G 1842044.pdf
MUN5311DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+20.01 грн
56+ 13.99 грн
141+ 5.55 грн
500+ 5.05 грн
Мінімальне замовлення: 40
MUN5232DW1T1G ONSM-S-A0011394413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUN5232DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+26.74 грн
44+ 18.06 грн
100+ 8.29 грн
500+ 4.21 грн
3000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 30
MUN5211T1G 1708302.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 59330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5335DW1T2G ONSM-S-A0013750083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUN5335DW1T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5335DW1T2G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+20.01 грн
63+ 12.43 грн
145+ 5.39 грн
500+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 40
MUN5111DW1T1G ONSM-S-A0013777052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUN5111DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+27.28 грн
43+ 18.37 грн
110+ 7.13 грн
500+ 6.49 грн
Мінімальне замовлення: 29
MUN5232T1G ONSM-S-A0013750038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUN5232T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5232T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.03 грн
3000+ 1.54 грн
9000+ 1.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1856 2088 2172 2173 2174 2175 2176 2177 2178 2179 2180 2181 2182 2320 2326  [ Наступна Сторінка >> ]