Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5232DW1T1G
MUN5232DW1T1G

MUN5232DW1T1G ON Semiconductor

mun5211dw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5232DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5232DW1T1G за ціною від 2.06 грн до 26.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.23 грн
9000+ 2.72 грн
24000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3481+3.47 грн
9000+ 2.92 грн
24000+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3481
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3457+3.5 грн
3598+ 3.36 грн
3969+ 3.05 грн
4167+ 2.8 грн
4399+ 2.45 грн
6000+ 2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3457
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G Виробник : ONSEMI DTC143ED-DTE.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.385W; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+3.65 грн
325+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G Виробник : onsemi dtc143ed-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.69 грн
6000+ 3.3 грн
9000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0011394413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.21 грн
3000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G Виробник : ONSEMI DTC143ED-DTE.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.385W; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+5.25 грн
100+ 4.55 грн
325+ 3.36 грн
850+ 3.18 грн
12000+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 75
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+11.06 грн
80+ 7.49 грн
81+ 7.39 грн
185+ 3.13 грн
250+ 2.79 грн
500+ 2.42 грн
1000+ 2.31 грн
3000+ 2.19 грн
6000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 55
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G Виробник : onsemi dtc143ed-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 9731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.86 грн
20+ 14.52 грн
100+ 7.08 грн
500+ 5.54 грн
1000+ 3.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G Виробник : onsemi DTC143ED_D-2311082.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 26667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.95 грн
23+ 14.35 грн
100+ 5.51 грн
1000+ 3.83 грн
3000+ 3.07 грн
9000+ 2.65 грн
24000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 15
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0011394413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+26.74 грн
44+ 18.06 грн
100+ 8.29 грн
500+ 4.21 грн
3000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 30
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G Виробник : ON Semiconductor DTC143ED_D-2311082.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній