Продукція > ONSEMI > DTC123EET1G
DTC123EET1G

DTC123EET1G onsemi

dtc123e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.37 грн
6000+ 3.66 грн
15000+ 3.11 грн
30000+ 2.75 грн
75000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC123EET1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.

Інші пропозиції DTC123EET1G за ціною від 2.79 грн до 27.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTC123EET1G DTC123EET1G Виробник : onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 107970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.88 грн
15+ 19.67 грн
100+ 10.43 грн
500+ 6.44 грн
1000+ 4.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
DTC123EET1G DTC123EET1G Виробник : onsemi DTC123E_D-2310857.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.24 грн
18+ 18.43 грн
100+ 6.55 грн
1000+ 4.53 грн
3000+ 3.48 грн
9000+ 3 грн
24000+ 2.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTC123EET1G Виробник : ONSEMI RE_DSHEET_DTC123EET1G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - DTC123EET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 112788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 12000
DTC123EET1G DTC123EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
DTC123EET1G DTC123EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній