Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS6680A Fairchild
FDS6680A

FDS6680A Fairchild

fds6680a-d.pdf
Код товару: 31312
Виробник: Fairchild
Uds,V: 30 V
Idd,A: 11,5 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2070/19
Монтаж: SMD
у наявності 100 шт:
58 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
2+31.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS6680A за ціною від 14.11 грн до 78.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6680A FDS6680A Виробник : onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.2 грн
5000+ 24.02 грн
12500+ 22.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.59 грн
5000+ 25.47 грн
10000+ 24.86 грн
12500+ 23.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6680A FDS6680A Виробник : ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+44.48 грн
500+ 37.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS6680A FDS6680A Виробник : ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+58.63 грн
10+ 42.83 грн
27+ 31.43 грн
73+ 29.76 грн
500+ 29.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS6680A FDS6680A Виробник : onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 15029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.33 грн
10+ 49.87 грн
100+ 38.81 грн
500+ 30.87 грн
1000+ 25.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS6680A FDS6680A Виробник : onsemi / Fairchild FDS6680A_D-2313037.pdf MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 27911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.05 грн
10+ 51.69 грн
100+ 36.59 грн
500+ 31.36 грн
1000+ 25.51 грн
2500+ 24.04 грн
5000+ 22.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS6680A FDS6680A Виробник : ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+70.36 грн
10+ 53.37 грн
27+ 37.72 грн
73+ 35.72 грн
500+ 35.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS6680A FDS6680A Виробник : ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+78.02 грн
13+ 61.45 грн
100+ 44.48 грн
500+ 37.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDS6680A Виробник : Fairchild fds6680a-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDS6680/A Виробник : FSC
на замовлення 11982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6680/A Виробник : FSC 09+ SO-8
на замовлення 12982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній

З цим товаром купують

Riston 215 (фоторезист сухий, негатив)
Код товару: 27020
Riston 215 (фоторезист сухий, негатив)
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Склотекстоліти, фоторезист
Опис: Фоторезист сухий має високу роздільну здатністю
у наявності: 231 м
Кількість Ціна без ПДВ
1+93.5 грн
10+ 83.1 грн
Клемник 15EDGK-3.5-02P-14-00Z(H)
Код товару: 19767		 15edgk.pdf
Клемник 15EDGK-3.5-02P-14-00Z(H)
Виробник: Degson
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Прямий клемник, крок: 3,5мм, к-сть контактів: 02P, напруга/струм: 300V/8A, під провід: 28-16AWG 1,5мм.кв
Крок, мм: 3,5 mm
К-сть контактів: 2
Тип роз’єму: Клемник роз’ємного типу
Номінальний струм: 8 А
у наявності: 2967 шт
очікується: 8000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
6+8.5 грн
10+ 7.7 грн
100+ 6.9 грн
1000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
470pF 500V Y5P K(+/-10%) (HB2H471K-L515B-Hitano)
Код товару: 16340		 ClassII_070726.pdf
470pF 500V Y5P K(+/-10%) (HB2H471K-L515B-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 500 V
ТКЕ: Y5P
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5,8 mm
Part Number: HB2H471K-L515B
у наявності: 114 шт
Кількість Ціна без ПДВ
34+1.5 грн
42+ 1.2 грн
100+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 34
470pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N471J1HL2-L-Hitano)
Код товару: 2902		 multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
470pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N471J1HL2-L-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N471J1HL-2L
у наявності: 858 шт
Кількість Ціна без ПДВ
20+2.8 грн
100+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 20
470pF 1kV Y5P K(+/-10%) D<=5,8mm (HB3A471K-L516B-Hitano)
Код товару: 2459		 ClassII_070726.pdf
470pF 1kV Y5P K(+/-10%) D<=5,8mm (HB3A471K-L516B-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 1k V
ТКЕ: Y5P
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5,8 mm
Part Number: HB3A471K-L516B
у наявності: 3822 шт
Кількість Ціна без ПДВ
25+2 грн
30+ 1.7 грн
100+ 1.4 грн
1000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 25