NTHL020N090SC1 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1595.64 грн |
5+ | 1480.72 грн |
10+ | 1365.01 грн |
50+ | 1246.46 грн |
100+ | 1062.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL020N090SC1 ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 118A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 503W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTHL020N090SC1 за ціною від 1160.61 грн до 2074.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTHL020N090SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 503W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V |
на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTHL020N090SC1 | Виробник : onsemi | MOSFET 20MOHM 900V |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTHL020N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTHL020N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTHL020N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTHL020N090SC1 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 83A Pulsed drain current: 427A Power dissipation: 251W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...19V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 196nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTHL020N090SC1 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 83A Pulsed drain current: 427A Power dissipation: 251W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...19V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 196nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |