![HUF75321P3 HUF75321P3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4848/261_TO-220-3.jpg)
HUF75321P3 onsemi
![huf75321p3-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 104.79 грн |
50+ | 80.75 грн |
100+ | 63.99 грн |
500+ | 50.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75321P3 onsemi
Description: ONSEMI - HUF75321P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, Dauer-Drainstrom Id: 35, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 93, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 93, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції HUF75321P3 за ціною від 28.15 грн до 113.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HUF75321P3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HUF75321P3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
HUF75321P3 | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
HUF75321P3 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
HUF75321P3 Код товару: 53580 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||
![]() |
HUF75321P3 | Виробник : ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 35 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 93 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 93 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
HUF75321P3 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 31A; 93W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 93W Technology: UltraFET® Kind of package: tube On-state resistance: 34mΩ Drain-source voltage: 55V Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain current: 31A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
HUF75321P3 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 31A; 93W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 93W Technology: UltraFET® Kind of package: tube On-state resistance: 34mΩ Drain-source voltage: 55V Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain current: 31A |
товар відсутній |