Продукція > NEXPERIA USA INC. > Всі товари виробника NEXPERIA USA INC. (27935) > Сторінка 142 з 466

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 46 92 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 184 230 276 322 368 414 460 466  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Nexperia USA Inc. PMZ320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 33786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.33 грн
15+ 19.48 грн
100+ 9.81 грн
500+ 7.51 грн
1000+ 5.57 грн
2000+ 4.69 грн
5000+ 4.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMZ370UNEYL PMZ370UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ370UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 25111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.32 грн
17+ 17.96 грн
100+ 9.09 грн
500+ 7.56 грн
1000+ 5.88 грн
2000+ 5.27 грн
5000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMZ550UNEYL PMZ550UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ550UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 48211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.83 грн
16+ 18.83 грн
100+ 9.53 грн
500+ 7.29 грн
1000+ 5.41 грн
2000+ 4.55 грн
5000+ 4.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Nexperia USA Inc. PMZB290UNE2.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 30617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.32 грн
17+ 17.74 грн
100+ 8.68 грн
500+ 6.79 грн
1000+ 4.72 грн
2000+ 4.09 грн
5000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMZB320UPEYL PMZB320UPEYL Nexperia USA Inc. PMZB320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 64532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.09 грн
13+ 22.3 грн
100+ 11.29 грн
500+ 8.64 грн
1000+ 6.41 грн
2000+ 5.4 грн
5000+ 5.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMZB390UNEYL PMZB390UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB390UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
на замовлення 27706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.32 грн
17+ 17.81 грн
100+ 8.98 грн
500+ 7.47 грн
1000+ 5.81 грн
2000+ 5.2 грн
5000+ 5 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMZB550UNEYL PMZB550UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB550UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 17604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.33 грн
15+ 19.55 грн
100+ 9.91 грн
500+ 7.58 грн
1000+ 5.63 грн
2000+ 4.73 грн
5000+ 4.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMZB950UPEYL PMZB950UPEYL Nexperia USA Inc. PMZB950UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.59 грн
14+ 20.86 грн
100+ 10.54 грн
500+ 8.08 грн
1000+ 5.99 грн
2000+ 5.04 грн
5000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
PUSB2X4DH PUSB2X4DH Nexperia USA Inc. PUSB2X4D.pdf Description: TVS DIODE 4.3VC 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.7pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A (8/20µs)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.3V (Typ)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Obsolete
товар відсутній
PUSB3TB6AZ PUSB3TB6AZ Nexperia USA Inc. PUSB3TB6.pdf Description: TVS DIODE 4.8VC 7XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.27pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Supplier Device Package: 7-XSON (1.1x2.1)
Unidirectional Channels: 7
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.8V (Typ)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 14067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.07 грн
14+ 21.15 грн
25+ 19.32 грн
100+ 13.49 грн
250+ 12.23 грн
500+ 10.12 грн
1000+ 7.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
TDZ2V7J,115 TDZ2V7J,115 Nexperia USA Inc. TDZXJ_SER.pdf Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.81 грн
21+ 14.41 грн
100+ 7.02 грн
500+ 5.5 грн
1000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
BC847QASZ BC847QASZ Nexperia USA Inc. BC847QAS.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.27 грн
10000+ 2.61 грн
25000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BC857QASZ BC857QASZ Nexperia USA Inc. BC857QAS.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.4 грн
10000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSH205G2R BSH205G2R Nexperia USA Inc. BSH205G2.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.38 грн
6000+ 6.95 грн
9000+ 6.15 грн
30000+ 5.7 грн
75000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NX7002BKXBZ NX7002BKXBZ Nexperia USA Inc. NX7002BKXB.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+5.27 грн
10000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PHDMI2F4X PHDMI2F4X Nexperia USA Inc. PHDMI2F4.pdf Description: TVS DIODE 4.6VC DFN2510A-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: HDMI
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.2A (8/20µs)
Supplier Device Package: DFN2510A-10
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.6V (Typ)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.66 грн
10000+ 8.7 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PHPT60406NYX PHPT60406NYX Nexperia USA Inc. PHPT60406NY.pdf Description: TRANS NPN 40V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 153MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT60406PYX PHPT60406PYX Nexperia USA Inc. PHPT60406PY.pdf Description: TRANS PNP 40V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 540mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
PHPT60410NYX PHPT60410NYX Nexperia USA Inc. PHPT60410NY.pdf Description: TRANS NPN 40V 10A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 500mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 128MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
PHPT60410PYX PHPT60410PYX Nexperia USA Inc. PHPT60410PY.pdf Description: TRANS PNP 40V 10A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 97MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT60606NYX PHPT60606NYX Nexperia USA Inc. PHPT60606NY.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61006NYX PHPT61006NYX Nexperia USA Inc. PHPT61006NY.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.73 грн
3000+ 16.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61006PYX PHPT61006PYX Nexperia USA Inc. PHPT61006PY.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 116MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.29 грн
3000+ 15.69 грн
7500+ 14.86 грн
10500+ 13.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61010NYX PHPT61010NYX Nexperia USA Inc. PHPT61010NY.pdf Description: TRANS NPN 100V 10A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.53 грн
3000+ 20.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61010PYX PHPT61010PYX Nexperia USA Inc. PHPT61010PY.pdf Description: TRANS PNP 100V 10A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
PMCM440VNEZ PMCM440VNEZ Nexperia USA Inc. PMCM440VNE.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 3.9A 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 6 V
товар відсутній
PMDXB1200UPEZ PMDXB1200UPEZ Nexperia USA Inc. PMDXB1200UPE.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товар відсутній
PMDXB550UNEZ PMDXB550UNEZ Nexperia USA Inc. PMDXB550UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.95 грн
10000+ 6.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMEG060V050EPDZ PMEG060V050EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG060V050EPD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A CFP15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PMEG060V100EPDZ PMEG060V100EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG060V100EPD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A CFP15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 124500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PMEG10020AELRX PMEG10020AELRX Nexperia USA Inc. PMEG10020AELR.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMEG1201AESFYL PMEG1201AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG1201AESF.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 12V 0.1A SOD962
товар відсутній
PMEG2005ESFYL PMEG2005ESFYL Nexperia USA Inc. PMEG2005ESF.pdf Description: DIODE SCHOTT 20V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5 µA @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG3002AESFYL PMEG3002AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3002AESF.pdf Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG3005AESFYL PMEG3005AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3005AESF.pdf Description: DIODE SCHOTT 30V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG3005ESFYL PMEG3005ESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3005ESF.pdf Description: DIODE SCHOTT 30V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.42 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG4005AESFYL PMEG4005AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG4005AESF.pdf Description: DIODE SCHOTT 40V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.25 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 40 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG4005ESFYL PMEG4005ESFYL Nexperia USA Inc. PMEG4005ESF.pdf Description: DIODE SCHOTT 40V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.28 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6.5 µA @ 40 V
товар відсутній
PMEG6010ELRX PMEG6010ELRX Nexperia USA Inc. PMEG6010ELR.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4.5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 60 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.93 грн
6000+ 5.46 грн
9000+ 4.72 грн
30000+ 4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Nexperia USA Inc. PMV130ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.64 грн
6000+ 6.25 грн
9000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV16XNR PMV16XNR Nexperia USA Inc. PMV16XN.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.05 грн
6000+ 6.51 грн
9000+ 5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV20ENR PMV20ENR Nexperia USA Inc. PMV20EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.97 грн
6000+ 6.56 грн
9000+ 5.81 грн
30000+ 5.38 грн
75000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV20XNER PMV20XNER Nexperia USA Inc. PMV20XNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.64 грн
6000+ 7.05 грн
9000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV250EPEAR PMV250EPEAR Nexperia USA Inc. PMV250EPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.73 грн
6000+ 5.28 грн
9000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV30UN2R PMV30UN2R Nexperia USA Inc. PMV30UN2.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
6000+ 6.69 грн
9000+ 5.93 грн
30000+ 5.49 грн
75000+ 4.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV37EN2R PMV37EN2R Nexperia USA Inc. PMV37EN2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.51 грн
6000+ 6.13 грн
9000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV45EN2R PMV45EN2R Nexperia USA Inc. PMV45EN2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
6000+ 7.28 грн
9000+ 6.56 грн
30000+ 6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV50XPR PMV50XPR Nexperia USA Inc. PMV50XP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV65XPEAR PMV65XPEAR Nexperia USA Inc. PMV65XPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.36 грн
6000+ 7.72 грн
9000+ 6.94 грн
30000+ 6.42 грн
75000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV65XPER PMV65XPER Nexperia USA Inc. PMV65XPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
товар відсутній
PMZ130UNEYL PMZ130UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ130UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ200UNEYL PMZ200UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ200UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Nexperia USA Inc. PMZ320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ550UNEYL PMZ550UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ550UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.17 грн
30000+ 3.94 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB200UNEYL PMZB200UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB200UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB320UPEYL PMZB320UPEYL Nexperia USA Inc. PMZB320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.94 грн
30000+ 4.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB550UNEYL PMZB550UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB550UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PUSB3TB6AZ PUSB3TB6AZ Nexperia USA Inc. PUSB3TB6.pdf Description: TVS DIODE 4.8VC 7XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.27pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Supplier Device Package: 7-XSON (1.1x2.1)
Unidirectional Channels: 7
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.8V (Typ)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.7 грн
8000+ 6.97 грн
12000+ 6.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSH111BKR BSH111BKR Nexperia USA Inc. BSH111BK.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 15210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.05 грн
24+ 12.09 грн
100+ 5.89 грн
500+ 4.61 грн
1000+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia USA Inc. BSN20BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.55 грн
26+ 11.51 грн
100+ 7.21 грн
500+ 4.98 грн
1000+ 4.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
PMZ320UPEYL PMZ320UPE.pdf
PMZ320UPEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 33786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.33 грн
15+ 19.48 грн
100+ 9.81 грн
500+ 7.51 грн
1000+ 5.57 грн
2000+ 4.69 грн
5000+ 4.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMZ370UNEYL PMZ370UNE.pdf
PMZ370UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 25111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.32 грн
17+ 17.96 грн
100+ 9.09 грн
500+ 7.56 грн
1000+ 5.88 грн
2000+ 5.27 грн
5000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMZ550UNEYL PMZ550UNE.pdf
PMZ550UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 48211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.83 грн
16+ 18.83 грн
100+ 9.53 грн
500+ 7.29 грн
1000+ 5.41 грн
2000+ 4.55 грн
5000+ 4.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2.pdf
PMZB290UNE2YL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 30617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.32 грн
17+ 17.74 грн
100+ 8.68 грн
500+ 6.79 грн
1000+ 4.72 грн
2000+ 4.09 грн
5000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMZB320UPEYL PMZB320UPE.pdf
PMZB320UPEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 64532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.09 грн
13+ 22.3 грн
100+ 11.29 грн
500+ 8.64 грн
1000+ 6.41 грн
2000+ 5.4 грн
5000+ 5.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMZB390UNEYL PMZB390UNE.pdf
PMZB390UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
на замовлення 27706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.32 грн
17+ 17.81 грн
100+ 8.98 грн
500+ 7.47 грн
1000+ 5.81 грн
2000+ 5.2 грн
5000+ 5 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMZB550UNEYL PMZB550UNE.pdf
PMZB550UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 17604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.33 грн
15+ 19.55 грн
100+ 9.91 грн
500+ 7.58 грн
1000+ 5.63 грн
2000+ 4.73 грн
5000+ 4.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMZB950UPEYL PMZB950UPE.pdf
PMZB950UPEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.59 грн
14+ 20.86 грн
100+ 10.54 грн
500+ 8.08 грн
1000+ 5.99 грн
2000+ 5.04 грн
5000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
PUSB2X4DH PUSB2X4D.pdf
PUSB2X4DH
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 4.3VC 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.7pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A (8/20µs)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.3V (Typ)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Obsolete
товар відсутній
PUSB3TB6AZ PUSB3TB6.pdf
PUSB3TB6AZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 4.8VC 7XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.27pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Supplier Device Package: 7-XSON (1.1x2.1)
Unidirectional Channels: 7
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.8V (Typ)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 14067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.07 грн
14+ 21.15 грн
25+ 19.32 грн
100+ 13.49 грн
250+ 12.23 грн
500+ 10.12 грн
1000+ 7.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
TDZ2V7J,115 TDZXJ_SER.pdf
TDZ2V7J,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.81 грн
21+ 14.41 грн
100+ 7.02 грн
500+ 5.5 грн
1000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
BC847QASZ BC847QAS.pdf
BC847QASZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+3.27 грн
10000+ 2.61 грн
25000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BC857QASZ BC857QAS.pdf
BC857QASZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+2.4 грн
10000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSH205G2R BSH205G2.pdf
BSH205G2R
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.38 грн
6000+ 6.95 грн
9000+ 6.15 грн
30000+ 5.7 грн
75000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NX7002BKXBZ NX7002BKXB.pdf
NX7002BKXBZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+5.27 грн
10000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PHDMI2F4X PHDMI2F4.pdf
PHDMI2F4X
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 4.6VC DFN2510A-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: HDMI
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.2A (8/20µs)
Supplier Device Package: DFN2510A-10
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.6V (Typ)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+9.66 грн
10000+ 8.7 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PHPT60406NYX PHPT60406NY.pdf
PHPT60406NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 40V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 153MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT60406PYX PHPT60406PY.pdf
PHPT60406PYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 40V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 540mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
PHPT60410NYX PHPT60410NY.pdf
PHPT60410NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 40V 10A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 500mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 128MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
PHPT60410PYX PHPT60410PY.pdf
PHPT60410PYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 40V 10A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 97MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT60606NYX PHPT60606NY.pdf
PHPT60606NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61006NYX PHPT61006NY.pdf
PHPT61006NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+18.73 грн
3000+ 16.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61006PYX PHPT61006PY.pdf
PHPT61006PYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 116MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+18.29 грн
3000+ 15.69 грн
7500+ 14.86 грн
10500+ 13.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61010NYX PHPT61010NY.pdf
PHPT61010NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 10A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+23.53 грн
3000+ 20.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61010PYX PHPT61010PY.pdf
PHPT61010PYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 10A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
PMCM440VNEZ PMCM440VNE.pdf
PMCM440VNEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 12V 3.9A 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 6 V
товар відсутній
PMDXB1200UPEZ PMDXB1200UPE.pdf
PMDXB1200UPEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товар відсутній
PMDXB550UNEZ PMDXB550UNE.pdf
PMDXB550UNEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+6.95 грн
10000+ 6.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMEG060V050EPDZ PMEG060V050EPD.pdf
PMEG060V050EPDZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A CFP15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PMEG060V100EPDZ PMEG060V100EPD.pdf
PMEG060V100EPDZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A CFP15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 124500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PMEG10020AELRX PMEG10020AELR.pdf
PMEG10020AELRX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMEG1201AESFYL PMEG1201AESF.pdf
PMEG1201AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 12V 0.1A SOD962
товар відсутній
PMEG2005ESFYL PMEG2005ESF.pdf
PMEG2005ESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTT 20V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5 µA @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG3002AESFYL PMEG3002AESF.pdf
PMEG3002AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG3005AESFYL PMEG3005AESF.pdf
PMEG3005AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTT 30V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG3005ESFYL PMEG3005ESF.pdf
PMEG3005ESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTT 30V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.42 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG4005AESFYL PMEG4005AESF.pdf
PMEG4005AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTT 40V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.25 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 40 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG4005ESFYL PMEG4005ESF.pdf
PMEG4005ESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTT 40V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.28 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6.5 µA @ 40 V
товар відсутній
PMEG6010ELRX PMEG6010ELR.pdf
PMEG6010ELRX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4.5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 60 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.93 грн
6000+ 5.46 грн
9000+ 4.72 грн
30000+ 4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV130ENEAR PMV130ENEA.pdf
PMV130ENEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.64 грн
6000+ 6.25 грн
9000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV16XNR PMV16XN.pdf
PMV16XNR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.05 грн
6000+ 6.51 грн
9000+ 5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV20ENR PMV20EN.pdf
PMV20ENR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.97 грн
6000+ 6.56 грн
9000+ 5.81 грн
30000+ 5.38 грн
75000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV20XNER PMV20XNE.pdf
PMV20XNER
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.64 грн
6000+ 7.05 грн
9000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV250EPEAR PMV250EPEA.pdf
PMV250EPEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.73 грн
6000+ 5.28 грн
9000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV30UN2R PMV30UN2.pdf
PMV30UN2R
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.11 грн
6000+ 6.69 грн
9000+ 5.93 грн
30000+ 5.49 грн
75000+ 4.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV37EN2R PMV37EN2.pdf
PMV37EN2R
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.51 грн
6000+ 6.13 грн
9000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV45EN2R PMV45EN2.pdf
PMV45EN2R
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.89 грн
6000+ 7.28 грн
9000+ 6.56 грн
30000+ 6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV50XPR PMV50XP.pdf
PMV50XPR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV65XPEAR PMV65XPEA.pdf
PMV65XPEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.36 грн
6000+ 7.72 грн
9000+ 6.94 грн
30000+ 6.42 грн
75000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV65XPER PMV65XPE.pdf
PMV65XPER
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
товар відсутній
PMZ130UNEYL PMZ130UNE.pdf
PMZ130UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ200UNEYL PMZ200UNE.pdf
PMZ200UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ320UPEYL PMZ320UPE.pdf
PMZ320UPEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ550UNEYL PMZ550UNE.pdf
PMZ550UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.17 грн
30000+ 3.94 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB200UNEYL PMZB200UNE.pdf
PMZB200UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB320UPEYL PMZB320UPE.pdf
PMZB320UPEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.94 грн
30000+ 4.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB550UNEYL PMZB550UNE.pdf
PMZB550UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PUSB3TB6AZ PUSB3TB6.pdf
PUSB3TB6AZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 4.8VC 7XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.27pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Supplier Device Package: 7-XSON (1.1x2.1)
Unidirectional Channels: 7
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.8V (Typ)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+7.7 грн
8000+ 6.97 грн
12000+ 6.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSH111BKR BSH111BK.pdf
BSH111BKR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 15210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+18.05 грн
24+ 12.09 грн
100+ 5.89 грн
500+ 4.61 грн
1000+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSN20BKR BSN20BK.pdf
BSN20BKR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.55 грн
26+ 11.51 грн
100+ 7.21 грн
500+ 4.98 грн
1000+ 4.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 46 92 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 184 230 276 322 368 414 460 466  [ Наступна Сторінка >> ]