на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20000+ | 2.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZ320UPEYL NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PMZ320UPEYL за ціною від 4.11 грн до 32.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMZ320UPEYL | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ320UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ320UPEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ320UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ320UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ320UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ320UPEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V |
на замовлення 33786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ320UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 350 Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ320UPEYL | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMZ320UPE/SOT883/XQFN3 |
на замовлення 39827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMZ320UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A Mounting: SMD Drain current: -0.6A On-state resistance: 810mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 1.4nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4A Case: DFN1006-3; SOT883 Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PMZ320UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A Mounting: SMD Drain current: -0.6A On-state resistance: 810mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 1.4nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4A Case: DFN1006-3; SOT883 Drain-source voltage: -30V |
товар відсутній |