BC847QASZ Nexperia
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25000+ | 2.61 грн |
| 50000+ | 2.42 грн |
| 125000+ | 2.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847QASZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC847QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 350 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 350mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC847QASZ за ціною від 2.24 грн до 25.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC847QASZ | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847QASZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847QASZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A DFN1010B-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847QASZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847QASZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847QASZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847QASZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847QASZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC847QAS/SOT1216/DFN1010B-6 |
на замовлення 19717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847QASZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 14499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847QASZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A DFN1010B-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 50778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847QASZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 350 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 350mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847QASZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 350 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 350mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC847QASZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BC847QASZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BC847QASZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.2A; DFN1010B-6,SOT1216 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.2A Case: DFN1010B-6; SOT1216 Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BC847QASZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.2A; DFN1010B-6,SOT1216 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.2A Case: DFN1010B-6; SOT1216 Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товар відсутній |