BSH111BKR Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.18 грн |
| 6000+ | 2.85 грн |
| 9000+ | 2.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH111BKR Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 302mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSH111BKR за ціною від 1.95 грн до 26.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSH111BKR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 302mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSH111BKR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 0.13A Power dissipation: 364mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 8.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH111BKR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 0.13A Power dissipation: 364mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 8.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH111BKR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 302mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSH111BKR | Виробник : Nexperia |
MOSFET BSH111BK/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 8123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH111BKR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 302mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V |
на замовлення 17241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSH111BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BSH111BKR | Виробник : Nexperia |
Транз пол. ММ SOT23 N-channel Vds=55 V, Id=335 mA, Ids=4 Ohm |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BSH111BKR | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSH111BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSH111BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |