Продукція > NEXPERIA > PMZB290UNE2YL
PMZB290UNE2YL

PMZB290UNE2YL NEXPERIA

805725109935373pmzb290une2.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZB290UNE2YL NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції PMZB290UNE2YL за ціною від 2.54 грн до 27.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Виробник : Nexperia 805725109935373pmzb290une2.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 770000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30000+2.8 грн
50000+ 2.77 грн
100000+ 2.69 грн
250000+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 30000
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Виробник : Nexperia 805725109935373pmzb290une2.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.9 грн
30000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Виробник : Nexperia 805725109935373pmzb290une2.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 770000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30000+3.08 грн
40000+ 3.01 грн
50000+ 2.99 грн
150000+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 30000
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZB290UNE2.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Виробник : Nexperia 805725109935373pmzb290une2.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Виробник : Nexperia 805725109935373pmzb290une2.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 28568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1209+10 грн
1272+ 9.51 грн
1671+ 7.23 грн
2389+ 4.88 грн
3000+ 4.32 грн
6000+ 3.8 грн
15000+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 1209
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Виробник : Nexperia 805725109935373pmzb290une2.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 28568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+17.62 грн
45+ 13.42 грн
46+ 13.2 грн
100+ 8.94 грн
250+ 7.86 грн
500+ 5.73 грн
1000+ 3.97 грн
3000+ 3.85 грн
6000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 34
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003101005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+22.2 грн
49+ 16.18 грн
100+ 9.38 грн
500+ 5.81 грн
1000+ 3.55 грн
2500+ 3.42 грн
5000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 36
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Виробник : Nexperia PMZB290UNE2-2939118.pdf MOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3
на замовлення 129280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.69 грн
21+ 15.39 грн
100+ 6.41 грн
1000+ 4.11 грн
2500+ 3.48 грн
10000+ 2.79 грн
20000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZB290UNE2.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 30617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.89 грн
16+ 18.15 грн
100+ 8.88 грн
500+ 6.95 грн
1000+ 4.83 грн
2000+ 4.19 грн
5000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMZB290UNE2YL Виробник : NEXPERIA PMZB290UNE2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 0.8A; Idm: 4A; 350mW
Technology: Trench
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 1.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+5.82 грн
90+ 4.25 грн
250+ 3.37 грн
690+ 3.19 грн
5000+ 3.15 грн
Мінімальне замовлення: 70
PMZB290UNE2YL Виробник : NEXPERIA PMZB290UNE2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 0.8A; Idm: 4A; 350mW
Technology: Trench
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 1.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+6.98 грн
55+ 5.3 грн
250+ 4.05 грн
690+ 3.83 грн
5000+ 3.78 грн
Мінімальне замовлення: 45
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2YL Виробник : Nexperia 805725109935373pmzb290une2.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
товар відсутній