Продукція > STW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW 106 DKnitter-SwitchSwitch Toggle ON ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товару немає в наявності
STW 106 DBKnitter-SwitchSwitch Toggle ON ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товару немає в наявності
STW 106 EKnitter-SwitchSwitch Toggle ON OFF ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товару немає в наявності
STW 106 EBKnitter-SwitchSwitch Toggle ON OFF ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товару немає в наявності
STW 106 FKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товару немає в наявності
STW 106 GKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom OFF Mom SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товару немає в наявності
STW 106 GBKnitter-SwitchMustang Toggle Switches
товару немає в наявності
STW 106 HKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom OFF ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товару немає в наявності
STW 160ERKOER-STW160 Insulated Pliers
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2469.81 грн
2+ 2334.96 грн
STW 206 NBKnitter-SwitchMustang Toggle Switches
товару немає в наявності
STW 206 PKnitter-SwitchSwitch Toggle ON OFF ON DPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товару немає в наявності
STW 206 RKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom ON DPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товару немає в наявності
STW 206 SKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom OFF Mom DPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товару немає в наявності
STW 206 TKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom OFF ON DPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товару немає в наявності
STW-350F188PR01-04Peerless by TymphanyDescription: SPEAKER 4.86OHM 3500W TOP 81.4DB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 15.000" Dia (381.00mm)
Shape: Round
Type: Subwoofer
Technology: Magnetic
Material - Cone: Paper
Material - Magnet: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 26.55Hz
Port Location: Top
Height - Seated (Max): 10.530" (267.45mm)
Part Status: Active
Impedance: 4.86 Ohms
Power - Rated: 2500 W
Frequency Range: 20 Hz ~ 200 Hz
Efficiency - dBA: 81.40
Efficiency - Testing: 1W/1M
Efficiency - Type: Half Space Sensitivity
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32410.83 грн
5+ 28089.75 грн
STW-602CAntaira TechnologiesDescription: 2-Port Industrial RS-232/422/485
Packaging: Retail Package
Interface: RS-232/422/485
Type: Ethernet to Serial
Part Status: Active
Number of Ports: 2
товару немає в наявності
STW-611CAntaira TechnologiesDescription: 1-port (RS-232/422/485) Industri
Packaging: Retail Package
Interface: RS-232/422/485
Type: Serial to Serial
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+52128.17 грн
STW-612CICOMTECH, INC.Description: 2-PORT (RS-232/422/485) INDUSTRI
Packaging: Bulk
Interface: RS-232/422/485
Type: Ethernet to Serial
Part Status: Active
Number of Ports: 2
товару немає в наявності
STW0101NStanley Electric CoDescription: LED MOD S-TYP WH LNR STR 3300K
Packaging: Tray
Color: White, Warm
Type: LED Module
Configuration: Linear Light Strip
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 12V
Current - Test: 200mA
Lens Type: Flat
Lumens/Watt @ Current - Test: 19 lm/W
CCT (K): 3300K
Luminous Flux @ Current/Temperature: 45lm (Typ)
товару немає в наявності
STW0201NStanley Electric CoDescription: LED MOD S-TYP WH LNR STR 3300K
Packaging: Tray
Color: White, Warm
Type: LED Module
Configuration: Linear Light Strip
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 12V
Current - Test: 100mA
Lens Type: Flat
Lumens/Watt @ Current - Test: 20 lm/W
CCT (K): 3300K
Luminous Flux @ Current/Temperature: 24lm (Typ)
товару немає в наявності
STW0L8PA (W33CZ0)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 6V / 5000K(=CW) / 650-700lmx640mAx6,0-6,2V (at Tj=85C) / Max=1000mAx6,0W / 120deg. / CRI>70
на замовлення 35950 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STW0L8PA (W35CZ0)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 6V / 5000K(=CW) / 650-700lmx640mAx6,0-6,2V (at Tj=85C) / Max=1000mAx6,0W / 120deg. / CRI>70
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STW0L8PA (W43CZ0)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 6V / 5000K(=CW) / 700-750lmx640mAx6,0-6,2V (at Tj=85C) / Max=1000mAx6,0W / 120deg. / CRI>70
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STW0L8PA (W43EY8)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 6V / 4000K(=NW) / 700-750lmx640mAx5,8-6,0V (at Tj=85C) / Max=1000mAx6,0W / 120deg. / CRI>70
на замовлення 153 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STW0L8SA (W33CZ240)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 24V / 5000K(=CW) / 650-700lmx160mAx24,0-24,6V (at Tj=25C) / Max=200mAx5,0W / 120deg. / CRI>70
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STW0Q14ASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - White White 10600mcd 3.2V 100mA
товару немає в наявності
STW0Q2PASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - White White 10600mcd 3.2V 100mA
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STW101SEALEYDescription: SEALEY - STW101 - DREHMOMENTSCHLÜSSEL, 1/4", 5-25N-M
tariffCode: 82041100
productTraceability: No
Antriebsgröße - Imperial: 0.25"
rohsCompliant: NA
Drehmoment N-m: 5Nm bis 25Nm
Drehmoment ft-lb: 3.67ft-lb bis 18.42ft-lb
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 275mm
hazardous: false
Antriebsgröße - Metrisch: -
rohsPhthalatesCompliant: NA
Drehmomentschlüssel: Schlüssel
usEccn: EAR99
Produktpalette: Sealey - Micrometer Torque Wrenches
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4860.52 грн
STW1011SEALEYDescription: SEALEY - STW1011 - DREHMOMENTSCHLÜSSEL, 3/8", 7-112N-M
tariffCode: 82041100
productTraceability: No
Antriebsgröße - Imperial: 0.375"
rohsCompliant: NA
Drehmoment N-m: 7Nm bis 112Nm
Drehmoment ft-lb: 0.42ft-lb bis 6.92 ft-lb
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 370mm
hazardous: false
Antriebsgröße - Metrisch: -
rohsPhthalatesCompliant: NA
Drehmomentschlüssel: Schlüssel
usEccn: EAR99
Produktpalette: Sealey - Micrometer Torque Wrenches
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3987.93 грн
STW1012SEALEYDescription: SEALEY - STW1012 - DREHMOMENTSCHLÜSSEL, 3/8", 2-24N-M
tariffCode: 82041100
productTraceability: No
Antriebsgröße - Imperial: 0.375"
rohsCompliant: NA
Drehmoment N-m: 2Nm bis 24Nm
Drehmoment ft-lb: 0.12ft-lb bis 1.48ft-lb
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 275mm
hazardous: false
Antriebsgröße - Metrisch: -
rohsPhthalatesCompliant: NA
Drehmomentschlüssel: Schlüssel
usEccn: EAR99
Produktpalette: Sealey - Micrometer Torque Wrenches
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3940.17 грн
STW102SEALEYDescription: SEALEY - STW102 - DREHMOMENTSCHLÜSSEL, 1/2", 40-210N-M
tariffCode: 82041100
productTraceability: No
Antriebsgröße - Imperial: 0.5"
rohsCompliant: NA
Drehmoment N-m: 40Nm bis 210Nm
Drehmoment ft-lb: 2.50ft-lb bis 12.92ft-lb
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 460mm
hazardous: false
Antriebsgröße - Metrisch: -
rohsPhthalatesCompliant: NA
Drehmomentschlüssel: Schlüssel
usEccn: EAR99
Produktpalette: Sealey - Micrometer Torque Wrenches
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5992.65 грн
STW106GPCKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom OFF Mom SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товару немає в наявності
STW10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW10N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW10N105K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1050 V, 1 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
товару немає в наявності
STW10N105K5STMicroelectronicsSTW10N105K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
STW10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW10N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW10N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW10N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.84 грн
10+ 199.04 грн
100+ 152.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.54 грн
30+ 155.74 грн
120+ 130.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.06 грн
25+ 160.79 грн
100+ 117.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW10NA50
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW10NB60STTO-247
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW10NC70Z
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW10NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.98 грн
10+ 238.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW10NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.34 грн
30+ 170.38 грн
120+ 143.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10NK60ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 156W; -55°C ~ 150°C; STW10NK60Z TSTW10NK60Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW10NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.81 грн
10+ 308.51 грн
25+ 165.36 грн
100+ 150.46 грн
250+ 141.23 грн
600+ 129.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
STW10NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.15 грн
10+ 111.47 грн
27+ 101.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.12 грн
10+ 89.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW10NK60Z(транзистор)
Код товару: 76503		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
STW10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+259.56 грн
Мінімальне замовлення: 47
STW10NK80ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+115.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW10NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+331.2 грн
8+ 107.94 грн
22+ 102.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.2 грн
10+ 257.95 грн
100+ 214.96 грн
500+ 170.04 грн
1000+ 152.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW10NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.76 грн
30+ 207.57 грн
120+ 175.91 грн
510+ 148.47 грн
STW10NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+397.44 грн
8+ 134.5 грн
22+ 122.43 грн
STW10NK80Z
Код товару: 2065		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Монтаж: THT
у наявності 10 шт:
8 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+195 грн
10+ 182 грн
STW10NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.85 грн
10+ 368.91 грн
25+ 239.88 грн
100+ 208.66 грн
250+ 193.04 грн
600+ 163.23 грн
1200+ 160.4 грн
STW10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.31 грн
10+ 227.81 грн
25+ 157.42 грн
100+ 150.28 грн
600+ 125.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW1100STATICTECPRT-STW1100 Antistatic Wirst Bands
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+508.26 грн
3+ 409.86 грн
7+ 387.68 грн
STW1110STATICTECPRT-STW1110 Antistatic Wirst Bands
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+622.91 грн
3+ 502.12 грн
6+ 474.62 грн
STW1120STATICTECPRT-STW1120 Antistatic Wirst Bands
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+622.91 грн
3+ 502.12 грн
6+ 474.62 грн
STW1130
Код товару: 192357		Інструмент > Антистатичні рукавички
товару немає в наявності
STW1130STATICTECPRT-STW1130 Antistatic Wirst Bands
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+622.91 грн
3+ 502.12 грн
6+ 474.62 грн
STW1147ASE-TRStanley Electric CoDescription: LED WHITE DIFFUSED SMD
товару немає в наявності
STW1147ASE-TRStanley Electric CoDescription: LED WHITE DIFFUSED
товару немає в наявності
STW1147ASK-TRStanley Electric CoDescription: LED WHITE DIFFUSED SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Color: White
Size / Dimension: 2.40mm L x 1.85mm W
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3.5V
Lens Color: Yellow
Current - Test: 40mA
Viewing Angle: 115°
Height (Max): 0.70mm
Lens Transparency: Diffused
Part Status: Obsolete
Lens Style: Round with Flat Top
Lens Size: 1.45mm Dia
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.31 грн
10+ 49.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW1147ASK-TRStanley Electric CoDescription: LED WHITE DIFFUSED SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Color: White
Size / Dimension: 2.40mm L x 1.85mm W
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3.5V
Lens Color: Yellow
Current - Test: 40mA
Viewing Angle: 115°
Height (Max): 0.70mm
Lens Transparency: Diffused
Part Status: Obsolete
Lens Style: Round with Flat Top
Lens Size: 1.45mm Dia
товару немає в наявності
STW1160STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: metal; black; 1.8m; press stud male 4mm
Colour: black
Kind of connector: press stud male 4mm
Features of antistatic elements: metal
Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 4mm
Version: ESD
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+913.19 грн
2+ 774.77 грн
4+ 732.63 грн
10+ 713.41 грн
STW1160STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: metal; black; 1.8m; press stud male 4mm
Colour: black
Kind of connector: press stud male 4mm
Features of antistatic elements: metal
Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 4mm
Version: ESD
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1095.83 грн
2+ 965.48 грн
4+ 879.16 грн
10+ 856.09 грн
STW1170STATICTECPRT-STW1170 Antistatic Wirst Bands
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1050.92 грн
2+ 849 грн
4+ 802.86 грн
STW11N80
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW11NB80
Код товару: 92821		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW11NB80
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW11NB80STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp
товару немає в наявності
STW11NB80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW11NB80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
STW11NK100
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW11NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW11NK100ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
на замовлення 4195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.27 грн
10+ 444 грн
25+ 319.37 грн
100+ 269.69 грн
250+ 246.27 грн
600+ 234.21 грн
1200+ 221.43 грн
STW11NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+239.48 грн
53+ 232.08 грн
54+ 221.26 грн
100+ 195.78 грн
Мінімальне замовлення: 51
STW11NK100ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW11NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 28356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+523.07 грн
10+ 380.56 грн
100+ 300.95 грн
500+ 265.4 грн
1000+ 233.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW11NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+339.79 грн
57+ 217.06 грн
70+ 175.47 грн
100+ 158.45 грн
200+ 145.81 грн
500+ 124.32 грн
Мінімальне замовлення: 36
STW11NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW11NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.74 грн
30+ 338.2 грн
120+ 289.89 грн
STW11NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW11NK100ZSTN-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+138.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW11NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.7 грн
10+ 283.84 грн
25+ 273.06 грн
50+ 260.62 грн
100+ 227.39 грн
1000+ 206.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW11NK100Z
Код товару: 72114		STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 8,3 A
Rds(on), Ohm: 1,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+60.5 грн
10+ 56.7 грн
100+ 52.8 грн
STW11NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товару немає в наявності
STW11NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+274.27 грн
1000+ 259.34 грн
Мінімальне замовлення: 45
STW11NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+222.75 грн
10+ 220.2 грн
25+ 213.41 грн
50+ 203.46 грн
100+ 180.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW11NK100ZSTN-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+138.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW11NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; Idm: 36.8A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 36.8A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+280.88 грн
7+ 164.91 грн
18+ 149.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW11NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW11NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; Idm: 36.8A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 36.8A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.07 грн
7+ 132.33 грн
18+ 124.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW11NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+137.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW11NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW11NK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 900V Zener SuperMESH 9.2A
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.08 грн
10+ 342.79 грн
100+ 226.4 грн
STW11NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.03 грн
30+ 268.9 грн
120+ 229.92 грн
STW11NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW11NM80
Код товару: 73261		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW11NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.46 грн
25+ 347.69 грн
100+ 259.05 грн
250+ 239.17 грн
600+ 197.3 грн
1200+ 185.24 грн
5400+ 181.69 грн
STW11NM80STN-MOSFET 11A 800V 150W 0.4Ω STW11NM80 TSTW11NM80
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+186.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+349.7 грн
40+ 308.86 грн
56+ 217.43 грн
100+ 207.59 грн
250+ 190.28 грн
600+ 175.97 грн
Мінімальне замовлення: 35
STW11NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW11NM80STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW11NM80STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+325.66 грн
10+ 287.63 грн
25+ 202.49 грн
100+ 193.32 грн
250+ 177.2 грн
600+ 163.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12-08WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 8P DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 8
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+18.5 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-08WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 8P DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 8
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-10WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 10P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 10
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-10WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 10P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 10
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-12HGJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 12P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.049" (1.25mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Non-Gendered
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polybutylene Terephthalate (PBT)
Number of Rows: 2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.35 грн
24+ 12.64 грн
27+ 11.21 грн
50+ 9.81 грн
100+ 9.12 грн
250+ 8.07 грн
500+ 7.59 грн
1000+ 6.21 грн
Мінімальне замовлення: 20
STW12-12WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 12P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 12
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-12WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 12P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 12
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-12WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 12P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 12
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-12WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 12P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 12
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-14WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 14P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 14
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-14WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 14P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 14
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-16WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 16P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 16
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.44 грн
10+ 43.77 грн
25+ 39.98 грн
50+ 35.33 грн
100+ 33.85 грн
250+ 30.9 грн
500+ 28.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
STW12-16WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 16P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 16
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-18WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 18P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 18
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-18WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 18P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 18
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-18WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 18P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 18
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-20WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 20P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 20
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-20WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 20P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 20
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-22WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 22P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 22
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-22WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 22P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 22
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-22WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 22P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 22
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-24WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 24P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 24
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-24WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 24P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 24
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-24WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 24P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 24
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-24WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 24P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 24
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-26WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 26P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 26
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-26WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 26P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 26
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-28WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 28P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 28
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-28WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 28P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 28
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-30WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 30P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 30
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-30WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 30P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 30
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-32WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 32P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 32
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.84 грн
10+ 64.76 грн
25+ 62.16 грн
50+ 57.09 грн
100+ 54.61 грн
250+ 49.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW12-32WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 32P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 32
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-32WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 32P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 32
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-32WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 32P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 32
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-34WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 34P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 34
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-34WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 34P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 34
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 900
STW12-34WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 34P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 34
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-34WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 34P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 34
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-36HGJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 36P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 36
Pitch: 0.049" (1.25mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Non-Gendered
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polybutylene Terephthalate (PBT)
Number of Rows: 2
товару немає в наявності
STW12-36WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 36P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 36
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-36WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 36P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 36
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-36WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 36P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 36
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-38WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 38P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 38
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-38WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 38P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 38
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+43.5 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-40WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 40P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 40
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товару немає в наявності
STW12-40WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 40P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 40
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW1200STATICTECPRT-STW1200 Antistatic Wirst Bands
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+363.05 грн
4+ 292.76 грн
10+ 276.79 грн
STW120NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.7 грн
10+ 401.06 грн
100+ 328.62 грн
500+ 262.53 грн
1000+ 221.41 грн
2000+ 210.34 грн
STW120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW120NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW120NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW120NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 312
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.92 грн
10+ 402.85 грн
100+ 348.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW120NF10STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.3 грн
10+ 416.25 грн
100+ 296.66 грн
600+ 252.66 грн
1200+ 202.27 грн
5400+ 194.46 грн
10200+ 188.78 грн
STW1220STATICTECPRT-STW1220 Antistatic Wirst Bands
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+363.05 грн
4+ 292.76 грн
10+ 276.79 грн
STW12N120K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 7.6A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товару немає в наявності
STW12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW12N120K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+680.71 грн
5+ 609.85 грн
10+ 539 грн
50+ 480.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12N120K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+584.57 грн
10+ 567.24 грн
25+ 429.38 грн
100+ 404.54 грн
250+ 378.28 грн
600+ 363.37 грн
3000+ 347.05 грн
STW12N120K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+637.98 грн
30+ 385.59 грн
120+ 333.42 грн
510+ 312.86 грн
STW12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW12N120K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 7.6A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+386.68 грн
Мінімальне замовлення: 600
STW12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1200.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
STW12N150K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW12N150K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 7 A, 1.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+693.45 грн
5+ 576.42 грн
10+ 459.38 грн
50+ 414.74 грн
100+ 371.24 грн
250+ 343.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12N150K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+751.82 грн
10+ 661.1 грн
25+ 467.7 грн
100+ 436.47 грн
250+ 401.7 грн
600+ 364.79 грн
3000+ 353.44 грн
STW12N150K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+691.72 грн
30+ 531.79 грн
120+ 475.81 грн
510+ 394 грн
STW12N150K5STMicroelectronicsSTW12N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+974.49 грн
2+ 660.92 грн
5+ 625.44 грн
STW12N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW12N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW12N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+344.45 грн
Мінімальне замовлення: 600
STW12N170K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW12N170K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 10A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW12N170K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ 5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 499 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+822.2 грн
10+ 694.56 грн
25+ 547.9 грн
100+ 503.19 грн
250+ 474.09 грн
600+ 404.54 грн
STW12N170K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1700V 5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW12N170K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 10A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW12NA60STTO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NA60STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
STW12NA60ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NB60
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NC50
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NC60STTO-247
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW12NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V 0.53 ohm 10A
товару немає в наявності
STW12NK60Z-HSTMicroelectronicsMOSFET Power MOSFETs, N-Channel (>400V to 650V), POWER MOSFET
товару немає в наявності
STW12NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.71 грн
30+ 229.84 грн
120+ 197.01 грн
510+ 180.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW12NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.42 грн
10+ 288.11 грн
25+ 212.2 грн
100+ 191.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+231.47 грн
10+ 230.24 грн
25+ 196.87 грн
100+ 170.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW12NK80ZSTMicroelectronicsSTW12NK80Z THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+258.91 грн
8+ 134.85 грн
22+ 127.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW12NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+349.51 грн
10+ 248.4 грн
100+ 208.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+245.43 грн
59+ 209.85 грн
100+ 181.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
STW12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW12NK80Z
Код товару: 33689		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 10,5 A
Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87
Монтаж: THT
у наявності 33 шт:
26 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+132 грн
10+ 123 грн
STW12NK90
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+351.24 грн
36+ 346.74 грн
42+ 294.2 грн
60+ 256.2 грн
120+ 173.56 грн
270+ 109.02 грн
Мінімальне замовлення: 35
STW12NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.08 грн
6+ 155.25 грн
16+ 147.12 грн
STW12NK90ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW12NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 11 A, 0.72 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+492.82 грн
10+ 354.29 грн
100+ 278.65 грн
500+ 219.57 грн
1000+ 191.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+350.97 грн
10+ 346.9 грн
25+ 275.55 грн
60+ 251.9 грн
120+ 214.14 грн
270+ 164.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK90ZSTTranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+155.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW12NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW12NK90Z
Код товару: 31985		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,88 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113
Монтаж: THT
у наявності 26 шт:
19 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+145 грн
10+ 133 грн
STW12NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+325.59 грн
10+ 321.31 грн
25+ 259.36 грн
60+ 237.6 грн
120+ 161.28 грн
270+ 100.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.03 грн
30+ 241.75 грн
120+ 205.85 грн
STW12NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+373.59 грн
39+ 313.38 грн
60+ 271.36 грн
120+ 230.61 грн
270+ 178.82 грн
Мінімальне замовлення: 33
STW12NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+477.69 грн
6+ 193.47 грн
16+ 176.54 грн
STW12NK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.92 грн
25+ 271.79 грн
100+ 201.56 грн
250+ 193.04 грн
STW12NK90ZSTTranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+155.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW12NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW12NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW12NK95
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NK95ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW12NK95ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW12NK95ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V - 0.69 10A Zener SuperMESH
товару немає в наявності
STW12NK95ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW12NK95ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW12NK95ZPB-FRE
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW1300STATICTECPRT-STW1300 ESD Accessories
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+451.9 грн
3+ 364.62 грн
8+ 344.21 грн
STW13009
Код товару: 73917		STТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-247
Uceo,V: 400 V
Ic,A: 12 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+44 грн
10+ 39.6 грн
STW13009STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
STW13009ShindengenBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
STW13009STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT H/V FST SWCH PW TRNS
товару немає в наявності
STW13009; біполярний; NPN; 700V; 12A; 125W; Корпус: TO-247; ON Semi.(FAIRCHILD)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
19+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 19
STW13009; биполярный; NPN; 700V; 12A; 125W; Корпус: TO-247; STM
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+231.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW1310STATICTECPRT-STW1310 ESD Accessories
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+451.9 грн
3+ 364.62 грн
8+ 344.21 грн
STW1320
Код товару: 192355		Інструмент > Антистатичні рукавички
товару немає в наявності
STW1320STATICTECPRT-STW1320 ESD Accessories
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+451.9 грн
3+ 364.62 грн
8+ 344.21 грн
STW1330
Код товару: 192356		Інструмент > Антистатичні рукавички
товару немає в наявності
STW1330STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Connection cable; ESD,coiled; Features: resistor 1MΩ; black; 1.8m
Version: coiled; ESD
Cable length: 1.8m
Type of antistatic accessories: connection cable
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+428.97 грн
3+ 378.64 грн
5+ 335.34 грн
STW1330STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Connection cable; ESD,coiled; Features: resistor 1MΩ; black; 1.8m
Version: coiled; ESD
Cable length: 1.8m
Type of antistatic accessories: connection cable
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Colour: black
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+357.47 грн
3+ 303.85 грн
5+ 279.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW13N60M2STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STW13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
STW13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW13N80K5
на замовлення 548 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STW13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.11 грн
10+ 281.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW13N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.93 грн
5+ 215.13 грн
12+ 203.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW13N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.07 грн
25+ 224.45 грн
100+ 194.46 грн
250+ 180.98 грн
600+ 144.78 грн
1200+ 144.07 грн
3000+ 139.1 грн
STW13N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+365.91 грн
5+ 268.09 грн
12+ 243.96 грн
25+ 235.09 грн
STW13N80K5
Код товару: 151535		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 870/29
Монтаж: THT
у наявності 17 шт:
12 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+132 грн
STW13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW13N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW13N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW13N95K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
1+624.31 грн
10+ 555.81 грн
100+ 400.28 грн
600+ 361.95 грн
1200+ 319.37 грн
STW13N95K3STMicroelectronicsSTW13N95K3 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+481.51 грн
4+ 304.29 грн
10+ 287.43 грн
STW13N95K3
Код товару: 57538		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW13N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW13N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+232.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW13NB60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
STW13NB60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW13NB60
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW13NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+723.7 грн
3+ 373.34 грн
7+ 353.38 грн
STW13NK100ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 700mOhm; 13A; 350W; -55°C ~ 150°C; STW13NK100Z TSTW13NK100Z
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+283.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW13NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW13NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.42 грн
30+ 438.22 грн
120+ 406.07 грн
STW13NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW13NK100ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW13NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 13 A, 0.7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+954.59 грн
5+ 786.6 грн
10+ 617.82 грн
50+ 555.94 грн
100+ 496.12 грн
250+ 469.5 грн
STW13NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+868.44 грн
3+ 465.24 грн
7+ 424.05 грн
STW13NK100ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+636.73 грн
25+ 497.86 грн
100+ 420.15 грн
STW13NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW13NK100Z
Код товару: 38847		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW13NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW13NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW13NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+391.71 грн
10+ 279.45 грн
100+ 226.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+152.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW13NK60ZSTN-MOSFET 13A 600V 150W STW13NK60Z TSTW13NK60z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+111.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW13NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.98 грн
10+ 302.8 грн
25+ 248.4 грн
100+ 212.2 грн
250+ 200.85 грн
600+ 188.78 грн
1200+ 161.81 грн
STW13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW13NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+145.85 грн
Мінімальне замовлення: 84
STW13NK60Z
Код товару: 82405		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
STW13NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW13NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+222.6 грн
3+ 190.7 грн
8+ 139.28 грн
21+ 131.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW13NK80ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 12 Amp
товару немає в наявності
STW13NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW13NK80Z
Код товару: 1914		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3480/115
Монтаж: THT
у наявності 13 шт:
6 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+133 грн
10+ 125 грн
STW13NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW13NK80Zst10
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW13NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW13NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 500V 12 A
товару немає в наявності
STW1400STATICTECPRT-STW1400 ESD Accessories
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+573.23 грн
3+ 462.2 грн
7+ 437.36 грн
STW1410STATICTECPRT-STW1410 ESD Accessories
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+573.23 грн
3+ 462.2 грн
7+ 437.36 грн
STW1420STATICTECPRT-STW1420 ESD Accessories
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+573.23 грн
3+ 462.2 грн
7+ 437.36 грн
STW1430STATICTECPRT-STW1430 ESD Accessories
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+573.23 грн
3+ 462.2 грн
7+ 437.36 грн
STW1430
Код товару: 192354		Інструмент > Антистатичні рукавички
товару немає в наявності
STW1450STATICTECPRT-STW1450 ESD Accessories
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1022.26 грн
2+ 824.16 грн
4+ 778.91 грн
STW1460STATICTECPRT-STW1460 ESD Accessories
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1022.26 грн
2+ 824.16 грн
4+ 778.91 грн
STW1480STATICTECPRT-STW1480 ESD Accessories
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+720.36 грн
2+ 581.08 грн
5+ 549.14 грн
STW1485STATICTECPRT-STW1485 ESD Accessories
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1062.39 грн
2+ 856.09 грн
4+ 809.96 грн
STW1490STATICTECPRT-STW1490 ESD Accessories
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+720.36 грн
2+ 581.08 грн
5+ 549.14 грн
STW14N50
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW14NC50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
STW14NC50ST
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW14NC50ZPB
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+132.47 грн
100+ 126.54 грн
Мінімальне замовлення: 92
STW14NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.23 грн
9+ 103.5 грн
23+ 98.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW14NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.19 грн
10+ 274.23 грн
25+ 198.01 грн
100+ 176.01 грн
250+ 165.36 грн
600+ 139.81 грн
1200+ 138.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW14NK50Z
Код товару: 3300		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Монтаж: THT
у наявності 29 шт:
15 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+68 грн
10+ 62.5 грн
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+220.37 грн
62+ 196.81 грн
100+ 163.73 грн
500+ 149.15 грн
Мінімальне замовлення: 56
STW14NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW14NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.34 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.68 грн
10+ 253.18 грн
100+ 193.47 грн
500+ 153.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW14NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+341.07 грн
9+ 128.98 грн
23+ 117.99 грн
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW14NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.84 грн
30+ 183.07 грн
120+ 154.54 грн
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+220.24 грн
10+ 196.7 грн
100+ 163.64 грн
500+ 149.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW14NK60Z
на замовлення 199950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW14NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW14NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 13.5A
товару немає в наявності
STW14NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW14NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW14NM50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp
товару немає в наявності
STW14NM50
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW14NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW14NM50FDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
товару немає в наявності
STW14NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW14NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 650V
товару немає в наявності
STW1500STATICTECPRT-STW1500 Antistatic Shoes Grounders
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+622.91 грн
3+ 502.12 грн
6+ 474.62 грн
STW150NF55STDO-35
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW150NF55STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 120A
товару немає в наявності
STW150NF55STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW1510STATICTECPRT-STW1510 Antistatic Shoes Grounders
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+622.91 грн
3+ 502.12 грн
6+ 474.62 грн
STW1520STATICTECPRT-STW1520 Antistatic Shoes Grounders
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+622.91 грн
3+ 502.12 грн
6+ 474.62 грн
STW1550STATICTECPRT-STW1550 Antistatic Shoes Grounders
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2319.88 грн
2+ 2193.9 грн
STW1555STATICTECPRT-STW1555 Antistatic Shoes Grounders
товару немає в наявності
STW1560STATICTECPRT-STW1560 Static Protection-Personal Others
товару немає в наявності
STW1565STATICTECPRT-STW1565 Static Protection-Personal Others
товару немає в наявності
STW15N80K5STMicroelectronicsSTW15N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+451.9 грн
4+ 275.9 грн
11+ 260.82 грн
STW15N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.46 грн
10+ 361.45 грн
100+ 280.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW15N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.96 грн
10+ 283.21 грн
25+ 181.69 грн
100+ 173.17 грн
250+ 168.2 грн
600+ 159.69 грн
1200+ 151.17 грн
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.85 грн
10+ 363.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW15N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.52 грн
25+ 303.62 грн
100+ 235.63 грн
250+ 232.08 грн
600+ 208.66 грн
1200+ 202.98 грн
3000+ 176.01 грн
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW15N95K5STMicroelectronicsSTW15N95K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
STW15N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 12 A, 0.41 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.97 грн
10+ 373.4 грн
100+ 295.37 грн
500+ 265.4 грн
1000+ 219.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW15NA50STMicroelectronicsMOSFET TO-247 N-CH 500V
товару немає в наявності
STW15NA50
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW15NB50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
STW15NB50ST03+ FBGA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW15NB50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 14.6 A
товару немає в наявності
STW15NB50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW15NB50ST
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW15NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.38 грн
9+ 134.5 грн
23+ 122.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.55 грн
25+ 216.29 грн
100+ 163.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.21 грн
30+ 188.69 грн
120+ 161.73 грн
510+ 148.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+218.83 грн
67+ 183.11 грн
100+ 165.77 грн
250+ 156.77 грн
600+ 139.92 грн
Мінімальне замовлення: 56
STW15NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.35 грн
10+ 211.78 грн
100+ 177.54 грн
500+ 164.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW15NK50ZSTN-MOSFET 14A 500V 160W 0.34Ω Replacement: STW15NB50 STW15NK50Z TSTW15NK50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW15NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+189.48 грн
9+ 107.94 грн
23+ 102.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+203.6 грн
25+ 170.36 грн
100+ 154.23 грн
250+ 145.85 грн
600+ 130.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW15NK50Z
Код товару: 153069		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW15NK90Z
Код товару: 198553		VBsemiТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 15 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6100/190
Монтаж: THT
у наявності 5 шт:
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+290 грн
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.08 грн
10+ 412.07 грн
25+ 376.17 грн
60+ 341.52 грн
120+ 289.79 грн
270+ 237.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+488.2 грн
4+ 270.85 грн
11+ 246.63 грн
STW15NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.83 грн
4+ 217.35 грн
11+ 205.52 грн
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW15NK90Z
Код товару: 42480		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 15 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6100/190
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+240 грн
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+482.68 грн
28+ 446.88 грн
30+ 407.95 грн
60+ 370.36 грн
120+ 314.27 грн
270+ 257.68 грн
Мінімальне замовлення: 26
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW15NK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 15 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+655.78 грн
10+ 605.6 грн
25+ 445.7 грн
100+ 405.25 грн
250+ 359.83 грн
600+ 316.53 грн
1200+ 310.85 грн
STW15NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.59 грн
30+ 461.44 грн
120+ 412.85 грн
510+ 341.86 грн
STW15NK90ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 550mOhm; 15A; 350W; -55°C ~ 150°C; STW15NK90Z TSTW15NK90Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+250.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW15NK90ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9.5 A, 0.4 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.72 грн
10+ 432.31 грн
100+ 375.78 грн
500+ 340.07 грн
1000+ 294.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW15NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A
товару немає в наявності
STW15NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW15NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V FDMesh
товару немає в наявності
STW15NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.62 грн
10+ 353.08 грн
100+ 294.21 грн
STW15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW1600STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Female press stud; ESD; 10pcs; crimped; press stud female 10mm
Kind of connector: press stud female 10mm
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Quantity in set/package: 10pcs.
Mounting: crimped
Type of antistatic accessories: female press stud
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+363.05 грн
4+ 292.96 грн
11+ 266.14 грн
STW1600STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Female press stud; ESD; 10pcs; crimped; press stud female 10mm
Kind of connector: press stud female 10mm
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Quantity in set/package: 10pcs.
Mounting: crimped
Type of antistatic accessories: female press stud
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Version: ESD
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.54 грн
4+ 235.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW160N75F3STMicroelectronicsMOSFET 75V 3.5m 120A N-Channel
товару немає в наявності
STW160N75F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW1610STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Kind of connector: press stud male 10mm
Mounting: crimped
Type of antistatic accessories: male press stud
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.58 грн
5+ 222.95 грн
6+ 190.74 грн
15+ 180.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW1610STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Kind of connector: press stud male 10mm
Mounting: crimped
Type of antistatic accessories: male press stud
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.82 грн
5+ 178.91 грн
6+ 158.95 грн
15+ 150.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW1620STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Kind of connector: press stud male 10mm
Mounting: clinch
Type of antistatic accessories: male press stud
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.28 грн
5+ 211.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW1620STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Kind of connector: press stud male 10mm
Mounting: clinch
Type of antistatic accessories: male press stud
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+326.74 грн
5+ 263.48 грн
12+ 240.42 грн
STW1650STATICTECPRT-STW1650 ESD Accessories
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1846.14 грн
2+ 1745.01 грн
STW1660STATICTECPRT-STW1660 ESD Accessories
товару немає в наявності
STW1670STATICTECPRT-STW1670 ESD Accessories
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4528.86 грн
STW16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 279mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW16NA60
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW16NA60STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
STW16NB60ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW16NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW16NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
товару немає в наявності
STW16NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW16NM50NST09+ SOP-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3
товару немає в наявності
STW1700STATICTECPRT-STW1700 ESD Accessories
товару немає в наявності
STW1720STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Kind of connector: press stud male 10mm
Mounting: screwed
Type of antistatic accessories: male press stud
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1310.79 грн
2+ 1056.69 грн
3+ 961.66 грн
STW1720STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Kind of connector: press stud male 10mm
Mounting: screwed
Type of antistatic accessories: male press stud
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1092.32 грн
STW1730STATICTECPRT-STW1730 ESD Accessories
товару немає в наявності
STW1740STATICTECPRT-STW1740 ESD Accessories
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+622.91 грн
3+ 502.12 грн
6+ 474.62 грн
STW1750STATICTECPRT-STW1750 ESD Accessories
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+622.91 грн
3+ 418.73 грн
7+ 395.67 грн
STW17N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 15.5A TO247-3
товару немає в наявності
STW17N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 620V .34 Ohm 15A SuperMESH3
товару немає в наявності
STW17N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 15.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.59 грн
10+ 205.68 грн
25+ 124.2 грн
250+ 106.46 грн
600+ 101.49 грн
1200+ 96.52 грн
3000+ 88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
товару немає в наявності
STW18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+98.53 грн
Мінімальне замовлення: 600
STW18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.94 грн
30+ 126.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW18N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.26 грн
30+ 122.65 грн
120+ 102.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.66 грн
10+ 173.03 грн
25+ 102.2 грн
100+ 91.55 грн
250+ 84.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW18N60M2
Код товару: 155497		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW18N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
товару немає в наявності
STW18N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW18N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.07 грн
10+ 233.43 грн
25+ 140.52 грн
100+ 127.04 грн
250+ 118.52 грн
600+ 117.1 грн
1200+ 114.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.08 грн
30+ 156.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18NB40STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 18.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
STW18NB40STTO-247
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW18NK60Z
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW18NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW18NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 16 Amp
товару немає в наявності
STW18NK80STTO247 941
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW18NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW18NK80Z
Код товару: 1659		STТранзистори > Польові N-канальні
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
1+90 грн
STW18NK80ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 18 Amp
товару немає в наявності
STW18NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18NK90
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW18NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh
товару немає в наявності
STW18NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+389.32 грн
10+ 340.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.98 грн
30+ 234.01 грн
120+ 199.21 грн
510+ 172.45 грн
STW18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW18NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW18NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18NM80STMicroelectronicsSTW18NM80 THT N channel transistors
товару немає в наявності
STW18NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V MDMesh
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+580.43 грн
25+ 333 грн
600+ 288.85 грн
1200+ 276.79 грн
5400+ 276.08 грн
STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW19NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 500V 13A
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+513.36 грн
10+ 424.41 грн
25+ 279.63 грн
100+ 256.21 грн
250+ 239.17 грн
600+ 224.27 грн
1200+ 214.33 грн
STW19NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW19NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW19NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW19NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW19NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW19NM60NSTMicroelectronicsSTW19NM60N THT N channel transistors
товару немає в наявності
STW19NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW19NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW19NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.27 Ohm 13 A MDmesh(TM)
товару немає в наявності
STW19NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
STW19NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW2002A1
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW2003V1
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW2004VI
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW200NF03STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW2040STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
товару немає в наявності
STW2040STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1.2A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
STW2040STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+124.28 грн
10+ 123.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW206NKnitter-SwitchSwitch Toggle ON ON DPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товару немає в наявності
STW20N50
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW20N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 278mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 787 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+169.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW20N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.12 грн
5+ 478.49 грн
10+ 402.85 грн
50+ 354.86 грн
100+ 309.82 грн
250+ 273.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.41 грн
30+ 292.63 грн
120+ 250.69 грн
510+ 224.36 грн
STW20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW20N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ 20 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+532.4 грн
25+ 328.92 грн
100+ 244.85 грн
250+ 242.72 грн
STW20N95DK5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+561.97 грн
30+ 335.96 грн
120+ 289.02 грн
510+ 264.47 грн
STW20N95DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20N95DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20N95DK5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 11A; Idm: 72A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW20N95DK5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 950 V, 275 mOhm typ 18 A MDmesh DK5 Power MOSFET
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.66 грн
10+ 477.46 грн
25+ 328.6 грн
100+ 286.01 грн
STW20N95DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20N95DK5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 11A; Idm: 72A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+266.1 грн
1200+ 263.38 грн
Мінімальне замовлення: 600
STW20N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 2.75 Ohm 17.5A MDmesh K5
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.02 грн
10+ 373.81 грн
25+ 256.21 грн
100+ 231.37 грн
250+ 227.11 грн
STW20N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+246.02 грн
1200+ 243.5 грн
Мінімальне замовлення: 600
STW20N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.08 грн
30+ 276.71 грн
120+ 236.63 грн
510+ 209.85 грн
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.275 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.39 грн
5+ 398.87 грн
10+ 380.56 грн
50+ 337.11 грн
100+ 295.49 грн
250+ 280.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW20N95K5
Код товару: 184909		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW20N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+456.44 грн
28+ 450.35 грн
50+ 381.38 грн
100+ 351.13 грн
200+ 312.44 грн
Мінімальне замовлення: 27
STW20NB50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW20NB50
Код товару: 103431		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW20NB50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
STW20NC50
Код товару: 117146		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW20NC50STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
STW20NC50
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW20NK50
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW20NK50Z
на замовлення 922 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STW20NK50ZSTN-MOSFET 17A 500V 190W STW20NK50Z TSTW20NK50z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+110.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.23 грн
10+ 231.64 грн
25+ 182.3 грн
50+ 174.04 грн
100+ 109.17 грн
250+ 103.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW20NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.97 грн
10+ 214.17 грн
100+ 170.38 грн
500+ 134.55 грн
1000+ 117.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW20NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.04 грн
8+ 113.85 грн
21+ 107.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.85 грн
8+ 141.87 грн
21+ 128.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NK50Z
Код товару: 2710		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
Монтаж: THT
у наявності 164 шт:
130 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+120 грн
10+ 111 грн
STW20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+310.68 грн
49+ 250.55 грн
62+ 197.18 грн
63+ 188.24 грн
100+ 118.09 грн
250+ 112.23 грн
Мінімальне замовлення: 40
STW20NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.89 грн
30+ 164.64 грн
120+ 138.52 грн
510+ 112.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+315.47 грн
10+ 283.21 грн
25+ 161.11 грн
100+ 135.56 грн
250+ 120.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW20NK50Z ; 20A; 500V; 190W; 0,23R; N-канальний; корпус: TO-247; STM
на замовлення 79 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+157.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW20NK70ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 700V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20NK70Z
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW20NK70ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW20NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Case: TO247
Mounting: THT
товару немає в наявності
STW20NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW20NM50
Код товару: 32074		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW20NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
STW20NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20NM50.STW20NM50FD
на замовлення 18684 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+558.99 грн
10+ 553.5 грн
25+ 356.22 грн
60+ 340.03 грн
120+ 274.6 грн
270+ 239.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM50FDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+592.85 грн
25+ 363.2 грн
100+ 273.95 грн
STW20NM50FDSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 250mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM50FD TSTW20NM50FD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+170.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20NM50FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+598.69 грн
32+ 385.3 грн
60+ 367.8 грн
120+ 297.02 грн
270+ 258.7 грн
Мінімальне замовлення: 21
STW20NM50FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW20NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+542.78 грн
30+ 323.41 грн
120+ 277.92 грн
STW20NM50FD
Код товару: 180604		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20NM50FDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NM50FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+620.2 грн
10+ 453.81 грн
100+ 359.86 грн
500+ 333.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.16 грн
6+ 157.47 грн
16+ 148.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.41 грн
30+ 245 грн
120+ 208.7 грн
STW20NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+308.59 грн
6+ 196.23 грн
16+ 178.32 грн
STW20NM60
Код товару: 161796		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+469.01 грн
27+ 459.36 грн
42+ 293.98 грн
100+ 242.45 грн
250+ 208.13 грн
600+ 197.83 грн
1200+ 165.09 грн
Мінімальне замовлення: 26
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW20NM60STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.19 грн
10+ 352.7 грн
100+ 274.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.64 грн
10+ 435.02 грн
25+ 239.88 грн
100+ 203.69 грн
250+ 196.59 грн
STW20NM60STW20NM60 Транзисторы MOS FET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+433.61 грн
10+ 424.69 грн
25+ 271.79 грн
100+ 224.15 грн
250+ 192.43 грн
600+ 182.9 грн
1200+ 152.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM60FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+535.97 грн
6+ 189.78 грн
16+ 172.99 грн
STW20NM60FD
Код товару: 1135		STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20NM60FDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+495.21 грн
10+ 333.59 грн
100+ 302.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20NM60FDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.34 грн
10+ 393.39 грн
25+ 244.85 грн
100+ 221.43 грн
250+ 215.75 грн
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.21 грн
10+ 384.2 грн
25+ 276.6 грн
30+ 264.07 грн
100+ 241.79 грн
120+ 215.9 грн
510+ 202.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM60FDSTN-MOSFET 600V 20A STW20NM60FD STM TSTW20NM60fd
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+481.56 грн
30+ 415.56 грн
41+ 299.18 грн
42+ 285.63 грн
100+ 261.53 грн
120+ 233.53 грн
510+ 219.46 грн
Мінімальне замовлення: 26
STW20NM60FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+446.64 грн
6+ 152.29 грн
16+ 144.16 грн
STW20NM60FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.65 грн
30+ 265.23 грн
120+ 226.5 грн
510+ 199.44 грн
STW20NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW2100STATICTECPRT-STW2100 ESD Accessories
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1118.76 грн
2+ 896.9 грн
4+ 848.11 грн
STW2100UKSTATICTECPRT-STW2100UK ESD Accessories
товару немає в наявності
STW2110STATICTECPRT-STW2110 ESD Accessories
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1107.29 грн
2+ 896.9 грн
4+ 848.11 грн
STW2110UKSTATICTECPRT-STW2110UK ESD Accessories
товару немає в наявності
STW2130STATICTECPRT-STW2130 ESD Accessories
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1107.29 грн
2+ 896.9 грн
4+ 848.11 грн
STW2130UKSTATICTECPRT-STW2130UK ESD Accessories
товару немає в наявності
STW21N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW21N150K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3145 pF @ 100 V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+922.8 грн
30+ 718.91 грн
120+ 676.63 грн
STW21N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW21N150K5STMicroelectronicsSTW21N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1585.94 грн
2+ 981.18 грн
3+ 927.95 грн
STW21N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW21N150K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1035.83 грн
10+ 899.42 грн
25+ 760.81 грн
50+ 718.94 грн
100+ 676.36 грн
250+ 655.07 грн
600+ 613.19 грн
STW21N50T3
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW21N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW21N65M5
Код товару: 61395		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
STW21N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW21N65M5
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+314.64 грн
Мінімальне замовлення: 600
STW21N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW21N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
товару немає в наявності
STW21N90K5STMicroelectronicsSTW21N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+762.4 грн
3+ 514.54 грн
6+ 487.04 грн
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW21NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 V 0.15 Ohm 18 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
STW21NM50N
Код товару: 57941		Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 18 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
STW21NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW21NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW21NM50N-HSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
STW21NM60
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW21NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.18 Ohm 16 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
STW21NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW21NM60N
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW21NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW21NM60N(1238)STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
STW21NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW21NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW21NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 10A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW21NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW21NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 10A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW21NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II
товару немає в наявності
STW2200STATICTECPRT-STW2200 ESD Accessories
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1171.03 грн
3+ 1107.15 грн
STW220NF75
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW220NF75STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW2210STATICTECPRT-STW2210 ESD Accessories
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1171.03 грн
3+ 1107.15 грн
STW2220STATICTECPRT-STW2220 ESD Accessories
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1171.03 грн
3+ 1107.15 грн
STW2240STATICTECPRT-STW2240 ESD Accessories
товару немає в наявності
STW2250STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; press stud male 10mm
Version: ESD
Cable length: 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: press stud male 10mm
Resistance: 1MΩ
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+864.62 грн
2+ 671.27 грн
STW2250STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; press stud male 10mm
Version: ESD
Cable length: 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: press stud male 10mm
Resistance: 1MΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1037.55 грн
2+ 836.51 грн
4+ 762.06 грн
STW2260STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; Features: copper tape 2m; 1MΩ
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Features of antistatic elements: copper tape 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Related items: PRT-STW41490100
Kind of connector: screw M5 with nut
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1610.78 грн
2+ 1468.49 грн
STW2260STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; Features: copper tape 2m; 1MΩ
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Features of antistatic elements: copper tape 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Related items: PRT-STW41490100
Kind of connector: screw M5 with nut
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1342.32 грн
2+ 1178.42 грн
STW2270STATICTECPRT-STW2270 ESD Accessories
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+580.87 грн
3+ 468.41 грн
7+ 442.68 грн
STW2275STATICTECPRT-STW2275 ESD Accessories
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+580.87 грн
3+ 468.41 грн
7+ 442.68 грн
STW2280STATICTECPRT-STW2280 ESD Accessories
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+580.87 грн
3+ 468.41 грн
7+ 442.68 грн
STW2285STATICTECPRT-STW2285 ESD Accessories
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+580.87 грн
3+ 468.41 грн
7+ 442.68 грн
STW22N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STW22N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.47 грн
30+ 415.23 грн
120+ 371.53 грн
STW22N95K5STMicroelectronicsSTW22N95K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
STW22N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW22NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW22NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW23N80K5STMicroelectronicsSTW23N80K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+338.76 грн
10+ 292.65 грн
100+ 234.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW23N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.37 грн
30+ 244.11 грн
120+ 209.24 грн
510+ 192.06 грн
STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW23N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ 16 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.93 грн
25+ 271.79 грн
100+ 205.82 грн
STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW23N85K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 850V 19A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW23N85K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 850V 0.2Ohm typ 19A Zener-protected
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STW23N85K5STMicroelectronicsSTW23N85K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
STW23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW23NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW23NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STW23NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW23NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 600V Power MDmesh
товару немає в наявності
STW23NM60N.STW21NM60N
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW23NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 20A FDMesh II
товару немає в наявності
STW23NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW23NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW23NM60NDST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW240N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW240N10F7STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
товару немає в наявності
STW240N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+175.88 грн
Мінімальне замовлення: 70
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW24N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.93 грн
10+ 223.63 грн
25+ 183.82 грн
100+ 156.85 грн
250+ 148.33 грн
600+ 126.33 грн
1200+ 119.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+174.54 грн
Мінімальне замовлення: 70
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+162.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW24N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.48 грн
10+ 222.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW24N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW24N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
товару немає в наявності
STW24N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW24N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.56 грн
10+ 164.8 грн
100+ 155.25 грн
500+ 136.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW24N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW24N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.89 грн
30+ 119.39 грн
120+ 99.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+262.93 грн
10+ 236.17 грн
100+ 195.23 грн
250+ 182.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW24N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.73 грн
10+ 137.93 грн
25+ 100.78 грн
100+ 92.26 грн
250+ 83.04 грн
600+ 81.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+161.74 грн
79+ 154.78 грн
82+ 148.89 грн
100+ 138.7 грн
250+ 124.53 грн
500+ 116.3 грн
Мінімальне замовлення: 76
STW24N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 162mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW24N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.19 грн
10+ 170.92 грн
100+ 125.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW24N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.06 грн
10+ 163.23 грн
25+ 139.81 грн
100+ 119.94 грн
250+ 117.81 грн
600+ 105.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW24N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 162mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW24NK55ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4397.5 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW24NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.18 Ohm 17A MDmesh II
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.44 грн
10+ 392.58 грн
25+ 322.21 грн
100+ 276.08 грн
250+ 245.56 грн
600+ 210.08 грн
1200+ 209.37 грн
STW24NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.55 грн
30+ 323.93 грн
120+ 277.66 грн
STW24NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW24NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW24NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW24NM65N
на замовлення 11589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW24NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 650V
товару немає в наявності
STW25A60
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.98 грн
10+ 194.25 грн
25+ 164.65 грн
100+ 136.97 грн
250+ 132.72 грн
600+ 119.94 грн
1200+ 97.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.12 грн
10+ 170.33 грн
100+ 137.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW25N80K5STMicroelectronicsSTW25N80K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
STW25N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.74 грн
30+ 338.64 грн
120+ 290.26 грн
510+ 242.13 грн
STW25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW25N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+483.55 грн
10+ 456.24 грн
25+ 327.89 грн
100+ 281.05 грн
250+ 250.53 грн
600+ 213.62 грн
1200+ 201.56 грн
STW25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+224.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
STW25N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW25N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW25N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW25NM50NSTMICROELETO-247 07+
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW25NM50NSTMicroelectronicsMOSFET IGBT MOSFET Driver Power MDmesh
товару немає в наявності
STW25NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW25NM50NST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW25NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW25NM50N-HSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
STW25NM60
на замовлення 29550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW25NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW25NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW25NM60NST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW25NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
STW25NM60NSTM
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW25NM60N(1235)STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
STW25NM60N(1235)
на замовлення 15752 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW25NM60NDSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 160mOhm; 21A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW25NM60ND TSTW25NM60ND
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+239.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW25NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW25NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW25NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+713.74 грн
10+ 635.8 грн
25+ 527.32 грн
100+ 457.77 грн
STW25NM60ND
Код товару: 118445		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW25NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW25NM6ON
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW26N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.83 грн
10+ 161.09 грн
100+ 117.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW26N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.5 грн
10+ 193.43 грн
25+ 163.94 грн
100+ 136.27 грн
250+ 133.43 грн
600+ 114.97 грн
1200+ 97.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW26N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW26N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW26N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW26N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW26N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW26N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET
товару немає в наявності
STW26NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+383.39 грн
10+ 367.43 грн
25+ 356.54 грн
60+ 336.15 грн
120+ 299.85 грн
270+ 266.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.01 грн
4+ 260.23 грн
10+ 246.18 грн
STW26NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+766.18 грн
30+ 468.83 грн
120+ 419.72 грн
STW26NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+408.65 грн
32+ 391.64 грн
33+ 380.04 грн
60+ 358.3 грн
120+ 319.61 грн
270+ 284 грн
Мінімальне замовлення: 30
STW26NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 30 Amp
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+831.31 грн
10+ 721.5 грн
25+ 611.06 грн
50+ 577 грн
100+ 542.93 грн
250+ 525.9 грн
600+ 491.83 грн
STW26NM50STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW26NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.27 грн
10+ 649.66 грн
100+ 592.34 грн
500+ 514.54 грн
1000+ 436.06 грн
STW26NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW26NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+543.61 грн
4+ 324.28 грн
10+ 295.42 грн
STW26NM50 (TO-247, ST)
Код товару: 130997		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/76
Монтаж: THT
у наявності 19 шт:
19 шт - склад
1+242 грн
STW26NM60
Код товару: 40763		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
STW26NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW26NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW26NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 30 Amp
товару немає в наявності
STW26NM60STO402
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW26NM60ST
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+325.93 грн
10+ 280.05 грн
50+ 191.03 грн
100+ 182.38 грн
500+ 99.62 грн
1000+ 95.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26NM60NSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 165mOhm; 20A; 140W; -55°C ~ 150°C; STW26NM60N TSTW26NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+132.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW26NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+545.37 грн
10+ 394.1 грн
100+ 345.53 грн
500+ 258.01 грн
1000+ 220.42 грн
2000+ 213.6 грн
5000+ 209.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26NM60NSTMicroelectronicsDescription: N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.62 грн
30+ 299.56 грн
120+ 257.01 грн
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW26NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.47 грн
10+ 510.92 грн
25+ 361.24 грн
100+ 324.34 грн
250+ 306.6 грн
600+ 231.37 грн
STW26NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+355.4 грн
6+ 183.33 грн
17+ 166.78 грн
990+ 165.9 грн
STW26NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.17 грн
6+ 147.12 грн
17+ 138.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+354.49 грн
40+ 304.59 грн
59+ 207.77 грн
100+ 198.36 грн
500+ 108.35 грн
1000+ 103.74 грн
Мінімальне замовлення: 35
STW26NM60N (600V, 20A)
Код товару: 42872		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
STW26NM60N.STMicroelectronicsSTW26NM60N.
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+325.71 грн
Мінімальне замовлення: 38
STW26NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+428.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1817 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW26NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STW26NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW27N60M2-EPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW27N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh, M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+265.92 грн
10+ 157.64 грн
100+ 156.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 163mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.09 грн
10+ 202.41 грн
25+ 137.68 грн
100+ 127.04 грн
250+ 112.84 грн
600+ 98.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW27NM60NSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
STW27NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V FDMesh
товару немає в наявності
STW27NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
STW27NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW28N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.77 грн
30+ 207.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товару немає в наявності
STW28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW28N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW28N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.98 грн
10+ 304.43 грн
25+ 166.07 грн
250+ 160.4 грн
600+ 126.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW28N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+269.42 грн
6+ 197.15 грн
15+ 179.2 грн
60+ 176.54 грн
120+ 172.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N60M2
Код товару: 123683		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW28N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.2 грн
25+ 169.76 грн
100+ 124.2 грн
250+ 108.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW28N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.63 грн
30+ 151.18 грн
120+ 126.87 грн
510+ 102.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.52 грн
6+ 158.21 грн
15+ 149.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.98 грн
10+ 207 грн
100+ 167.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW28N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW28N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.6 грн
3+ 243.22 грн
5+ 186.3 грн
13+ 175.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW28N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW28N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+348.72 грн
3+ 303.1 грн
5+ 223.56 грн
13+ 211.14 грн
STW28N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.72 грн
25+ 205.68 грн
100+ 148.33 грн
250+ 134.85 грн
600+ 130.59 грн
1200+ 128.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28NK60ZSTM
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW28NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 27 Amp
товару немає в наявності
STW28NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW28NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW28NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.1 грн
25+ 476.64 грн
100+ 371.18 грн
250+ 327.18 грн
600+ 296.66 грн
1200+ 274.66 грн
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+378.46 грн
Мінімальне замовлення: 33
STW28NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.03 грн
30+ 408.6 грн
120+ 365.58 грн
510+ 302.72 грн
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW28NM50NSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 158mOhm; 21A; 150W; -55°C ~ 150°C; STW28NM50N TSTW28NM50N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+123.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+336.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.15 грн
3+ 181.86 грн
7+ 141.94 грн
17+ 134.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28NM50N
Код товару: 155180		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW28NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.78 грн
3+ 226.63 грн
7+ 170.33 грн
17+ 161.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW28NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW28NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW28NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-chanel 600 V 0.120 Ohm typ 24 A
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.38 грн
10+ 254.65 грн
100+ 220.72 грн
600+ 220.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+227.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW28NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW29NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 31 Amp Zener SuperMESH
товару немає в наявності
STW29NK50Z
Код товару: 40934		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
STW29NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW29NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW29NK50ZDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 29A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW29NK50ZDSTMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
STW3-15128-018Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
STW3-15128-064Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
STW3-15128-076Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
STW3-15128-084Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
STW30200CSMC DIODE SOLUTIONSSTW30200C-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
STW3040
Код товару: 178500		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
STW3040onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
STW3040STTO3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW3040STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 4A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
STW3040STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High voltage fast NPN power tran
товару немає в наявності
STW30N20STMTO-247 06+
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW30N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
товару немає в наявності
STW30N65M5STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.36 грн
25+ 239.14 грн
100+ 180.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW30N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW30N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+492.02 грн
5+ 455.4 грн
10+ 398.87 грн
50+ 331.94 грн
100+ 283.89 грн
250+ 278.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW30N65M5
Код товару: 107383		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW30N65M5STMicroelectronicsSTW30N65M5 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+519.73 грн
4+ 311.39 грн
10+ 293.64 грн
STW30N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.99 грн
30+ 214.24 грн
120+ 183.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW30N80K5STMicroelectronicsSTW30N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+804.43 грн
3+ 508.33 грн
6+ 480.83 грн
STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW30N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3
товару немає в наявності
STW30N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ 24 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.58 грн
10+ 514.19 грн
25+ 405.25 грн
100+ 372.6 грн
250+ 350.6 грн
600+ 327.89 грн
1200+ 295.95 грн
STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW30N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW30N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+665.58 грн
5+ 597.12 грн
10+ 527.85 грн
50+ 449.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW30NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
товару немає в наявності
STW30NF20STMicroelectronicsMOSFET Low charge STripFET
товару немає в наявності
STW30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW30NM50N
Код товару: 52506		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
STW30NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW30NM60D
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW30NM60DSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
STW30NM60DSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 30 Amp
товару немає в наявності
STW30NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW30NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh
товару немає в наявності
STW30NM60NST09+ SSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW30NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW30NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW30NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW30NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A FDMesh II
товару немає в наявності
STW31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW31N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW31N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW31N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товару немає в наявності
STW31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW31N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.16 грн
10+ 294.64 грн
25+ 216.46 грн
100+ 185.24 грн
250+ 165.36 грн
600+ 141.94 грн
1200+ 129.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW32N65M5STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V 24 A
товару немає в наявності
STW32N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW32N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW32NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 500V 22A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
товару немає в наявності
STW32NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.07 грн
10+ 450.53 грн
25+ 327.18 грн
100+ 295.24 грн
250+ 260.47 грн
600+ 233.5 грн
1200+ 223.56 грн
STW32NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW32NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW3311STATICTECPRT-STW3311 Dispensers - pen & bottles
товару немає в наявності
STW3312STATICTECPRT-STW3312 Dispensers - pen & bottles
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+683.1 грн
2+ 581.08 грн
5+ 549.14 грн
STW3313STATICTECPRT-STW3313 Dispensers - pen & bottles
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+720.36 грн
2+ 581.08 грн
5+ 549.14 грн
STW3315STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 200ml; ESD; blue; Features: built-in pump
Version: ESD
Soldering equipment features: built-in pump
Colour: blue
Capacity: 0.2l
Type of tool: dosing bottles
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+751.89 грн
2+ 702 грн
5+ 638.74 грн
10+ 620.11 грн
STW3315STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 200ml; ESD; blue; Features: built-in pump
Version: ESD
Soldering equipment features: built-in pump
Colour: blue
Capacity: 0.2l
Type of tool: dosing bottles
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+626.57 грн
2+ 563.34 грн
5+ 532.29 грн
10+ 516.76 грн
STW3320STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 250ml; ESD; blue; Features: with straw
Capacity: 0.25l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Soldering equipment features: with straw
Colour: blue
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.24 грн
2+ 476.1 грн
5+ 449.49 грн
STW3320STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 250ml; ESD; blue; Features: with straw
Capacity: 0.25l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Soldering equipment features: with straw
Colour: blue
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+734.69 грн
2+ 593.29 грн
5+ 539.38 грн
STW3323STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 500ml; ESD; blue; Features: with spray
Capacity: 0.5l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Soldering equipment features: with spray
Colour: blue
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+939.14 грн
2+ 757.28 грн
4+ 689.31 грн
STW3323STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 500ml; ESD; blue; Features: with spray
Capacity: 0.5l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Soldering equipment features: with spray
Colour: blue
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+782.62 грн
2+ 607.69 грн
4+ 574.42 грн
STW3324STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 250ml; ESD; blue
Capacity: 0.25l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Colour: blue
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+703 грн
2+ 545.59 грн
5+ 516.02 грн
STW3324STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 250ml; ESD; blue
Capacity: 0.25l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Colour: blue
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+843.6 грн
2+ 679.89 грн
5+ 619.23 грн
STW333BWSTTSOP32 07+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW333BWST07+ TSOP32
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW33N20STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
STW33N20
на замовлення 24109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW33N20(микросхема TO-247)
Код товару: 57271		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
STW33N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW33N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.2 грн
3+ 297.19 грн
8+ 280.93 грн
STW33N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+495.84 грн
3+ 370.35 грн
8+ 337.11 грн
100+ 329.13 грн
STW33N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW33N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.04 грн
30+ 215.8 грн
120+ 183.26 грн
510+ 156.42 грн
STW33N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
товару немає в наявності
STW33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW33N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.01 грн
30+ 201.11 грн
120+ 170.39 грн
510+ 143.64 грн
STW33N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+409.22 грн
10+ 292.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW33N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.71 грн
25+ 298.72 грн
100+ 222.85 грн
250+ 198.72 грн
600+ 169.62 грн
1200+ 159.69 грн
STW33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW33N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.32 грн
10+ 258.45 грн
100+ 193.37 грн
STW33N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+433.87 грн
10+ 359.12 грн
100+ 252.66 грн
600+ 224.98 грн
STW33N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW33N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW33N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW33N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+166.86 грн
15+ 41.52 грн
100+ 39.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW34N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
STW34N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STW34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
STW34N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.72 грн
10+ 471.75 грн
25+ 293.82 грн
100+ 249.82 грн
250+ 232.79 грн
600+ 200.85 грн
STW34NB20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW34NB20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 34A TO247-3
товару немає в наявності
STW34NB20STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 200 Volt 34 Amp
товару немає в наявності
STW34NB20
Код товару: 143246		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW34NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+867.81 грн
10+ 738.03 грн
30+ 610.65 грн
120+ 530.81 грн
510+ 455.85 грн
STW34NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+671.64 грн
4+ 296.65 грн
10+ 270.58 грн
STW34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+547.94 грн
10+ 486.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності