STW20NM60

STW20NM60 STMicroelectronics


1400324213308565cd000.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW20NM60 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STW20NM60 за ціною від 140.71 грн до 499.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW20NM60 STW20NM60 Виробник : STMicroelectronics STx20NM60x-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.16 грн
6+ 158.21 грн
15+ 150.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM60 STW20NM60 Виробник : STMicroelectronics STx20NM60x-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+308.59 грн
6+ 197.15 грн
15+ 180.09 грн
STW20NM60 STW20NM60 Виробник : STMicroelectronics 1400324213308565cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+328.25 грн
10+ 320.1 грн
25+ 264.54 грн
100+ 231.72 грн
250+ 184.48 грн
600+ 164.3 грн
1200+ 140.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM60 STW20NM60 Виробник : STMicroelectronics 1400324213308565cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+359.93 грн
36+ 347.31 грн
46+ 266.83 грн
100+ 230.83 грн
250+ 195.59 грн
600+ 177.08 грн
1200+ 152.57 грн
Мінімальне замовлення: 34
STW20NM60 STW20NM60 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002505.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+407.66 грн
30+ 238.94 грн
120+ 203.54 грн
STW20NM60 STW20NM60 Виробник : STMicroelectronics stb20nm60-1850276.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+452.92 грн
10+ 440.73 грн
25+ 309.44 грн
100+ 268.27 грн
250+ 240.59 грн
600+ 208.66 грн
1200+ 196.59 грн
STW20NM60 STW20NM60 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS27712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+499.19 грн
10+ 352.7 грн
100+ 274.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM60 en.CD00002505.pdf STW20NM60 Транзисторы MOS FET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STW20NM60
Код товару: 161796
en.CD00002505.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
STW20NM60 STW20NM60 Виробник : STMicroelectronics 1400324213308565cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності