STW32N65M5

STW32N65M5 STMicroelectronics


708040533809015cd00222634.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW32N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW32N65M5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW32N65M5 STW32N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.CD00222634.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V
товар відсутній
STW32N65M5 STW32N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb32n65m5-955516.pdf MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V 24 A
товар відсутній