![STW12NK90Z STW12NK90Z](/img/to-247.jpg)
STW12NK90Z
![en.CD00003404.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 31985
Виробник: STUds,V: 900 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,88 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113
Монтаж: THT
у наявності 11 шт:
4 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 145 грн |
10+ | 133 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW12NK90Z ST
- MOSFET, N TO-247
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:11A
- On State Resistance:0.88ohm
- Case Style:TO-247
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max Voltage Vds:900V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- Min Voltage Vgs th:3V
- N-channel Gate Charge:113nC
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.88ohm
- Power Dissipation Pd:230W
- Pulse Current Idm:44A
- Rate of Voltage Change dv / dt:4.5V/es
- Rds Measurement Voltage:10V
- Voltage Vgs Rds N Channel:10V
- Transistor Case Style:TO-247
Інші пропозиції STW12NK90Z за ціною від 115.99 грн до 482.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW12NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 11A Power dissipation: 230W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 880mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 11A Power dissipation: 230W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 880mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 354 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12NK90Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STW12NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STW12NK90Z | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STW12NK90Z | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
STW12NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
RHRP8120 Код товару: 57883 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220AC
Зворотня напруга, Vrrm: 1200 V
Прямий струм (per leg), If: 8 A
Падіння напруги, Vf: 3,2 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220AC
Зворотня напруга, Vrrm: 1200 V
Прямий струм (per leg), If: 8 A
Падіння напруги, Vf: 3,2 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
у наявності: 53 шт
16 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 42 грн |
10+ | 37.8 грн |
100uF 50V EXR 10x12mm (low imp.) (EXR101M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2439 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 682 шт
384 шт - склад
56 шт - РАДІОМАГ-Київ
82 шт - РАДІОМАГ-Львів
27 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
33 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
56 шт - РАДІОМАГ-Київ
82 шт - РАДІОМАГ-Львів
27 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
33 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
3000 шт
3000 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 3.5 грн |
10+ | 3 грн |
100+ | 2.6 грн |
1000+ | 2.2 грн |
470uF 10V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR471M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 4334 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
у наявності: 8980 шт
8071 шт - склад
242 шт - РАДІОМАГ-Київ
285 шт - РАДІОМАГ-Львів
182 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Одеса
177 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
242 шт - РАДІОМАГ-Київ
285 шт - РАДІОМАГ-Львів
182 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Одеса
177 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 3 грн |
10+ | 2.6 грн |
100+ | 2.2 грн |
1000+ | 1.9 грн |
КПТ-8 (паста теплопровідна шприц, 2мл) Код товару: 32167 |
Хімія > Теплопровідні матеріали
Опис: Паста теплопровідна на силіконовій основі. Робоча температура від -60 до + 180 ° С. Упаковка: шприц
Призначення: Для відведення тепла від компонентів, змонтованих на радіаторі. На силіконовій основі. Робоча температура від -60 до + 180 ° С.
Упаковка: 2 мл
Тип: Термопаста
Теплопровідність: 0,65 W/mK
Опис: Паста теплопровідна на силіконовій основі. Робоча температура від -60 до + 180 ° С. Упаковка: шприц
Призначення: Для відведення тепла від компонентів, змонтованих на радіаторі. На силіконовій основі. Робоча температура від -60 до + 180 ° С.
Упаковка: 2 мл
Тип: Термопаста
Теплопровідність: 0,65 W/mK
у наявності: 22 шт
10 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
107 шт
7 шт - очікується
100 шт - очікується 01.09.2024
100 шт - очікується 01.09.2024
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 20 грн |
10+ | 18.7 грн |
2SK3878 Код товару: 56955 |
![]() |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SC-65
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2200
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SC-65
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2200
Монтаж: THT
у наявності: 215 шт
147 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 60.5 грн |
10+ | 54.5 грн |