![STW20NK50Z STW20NK50Z](/img/to-247.jpg)
STW20NK50Z
![en.DM00052344.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 2710
Виробник: STUds,V: 500 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
Монтаж: THT
у наявності 182 шт:
142 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Одеса
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 120 грн |
10+ | 111 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STW20NK50Z за ціною від 107.71 грн до 316 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW20NK50Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW20NK50Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 922 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW20NK50Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW20NK50Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1155 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW20NK50Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STW productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm |
на замовлення 4545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STW20NK50Z | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 155 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW20NK50Z |
![]() |
на замовлення 922 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
STW20NK50Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
STW20NK50Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
STW20NK50Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2430 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
очікується:
9797 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 2.5 грн |
27+ | 1.9 грн |
100+ | 1.6 грн |
1000+ | 1.2 грн |
IRF3205PBF Код товару: 25094 |
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 11021 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 30 грн |
10+ | 29 грн |
100+ | 28 грн |
1000+ | 27 грн |
Ізоляційний ковпачок на корпус TO-3P (KLS8-0323-TO-3PCV) Код товару: 83758 |
Виробник: KLS
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Ізоляційний ковпачок на корпус TO-3P
Розмір: на корпус TO-3P
Матеріал: Силікон
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Ізоляційний ковпачок на корпус TO-3P
Розмір: на корпус TO-3P
Матеріал: Силікон
у наявності: 911 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 5 грн |
13+ | 4.1 грн |
100+ | 3.2 грн |
FEP30JP-E3/45 Код товару: 113352 |
![]() |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-247AD
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 30 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 35 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-247AD
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 30 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 35 ns
у наявності: 53 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 82.5 грн |
10+ | 74.3 грн |
BT169G Код товару: 1080 |
![]() |
Виробник: NXP
Тиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-92
Uзакр,V: 600 V
Iвідкр,mA: 0,2 mA
Imax,A: 0,8 A
Тиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-92
Uзакр,V: 600 V
Iвідкр,mA: 0,2 mA
Imax,A: 0,8 A
у наявності: 623 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 6 грн |
10+ | 5 грн |
100+ | 4.3 грн |