STW19NM60N

STW19NM60N STMicroelectronics


829384028973772dm00080239.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW19NM60N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STW19NM60N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW19NM60N Виробник : STMicroelectronics 829384028973772dm00080239.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW19NM60N Виробник : STMicroelectronics en.DM00080239.pdf STW19NM60N THT N channel transistors
товару немає в наявності
STW19NM60N STW19NM60N Виробник : STMicroelectronics 829384028973772dm00080239.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
STW19NM60N STW19NM60N Виробник : STMicroelectronics en.DM00080239.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
STW19NM60N STW19NM60N Виробник : STMicroelectronics stw19nm60n-1852127.pdf MOSFET N-Ch 600 V 0.27 Ohm 13 A MDmesh(TM)
товару немає в наявності