Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW12NK80Z
STW12NK80Z

STW12NK80Z

8977ferf7hfw.pdf
Код товару: 33689
Виробник: ST
Uds,V: 800 V
Idd,A: 10,5 A
Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87
Монтаж: THT
у наявності 37 шт:
30 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна без ПДВ
1+132 грн
10+ 123 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW12NK80Z за ціною від 88.56 грн до 467.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics cd0000337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.63 грн
8+ 110.55 грн
22+ 104.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics 2645cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+229.23 грн
10+ 228.02 грн
25+ 194.97 грн
100+ 168.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics 2645cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+243.06 грн
59+ 207.83 грн
100+ 179.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.16 грн
8+ 137.77 грн
22+ 125.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+298.8 грн
30+ 227.62 грн
120+ 195.1 грн
510+ 179.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics stb12nk80z-1850221.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+321.44 грн
25+ 251.38 грн
100+ 189.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMICROELECTRONICS 2307462.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+467.56 грн
10+ 339.04 грн
100+ 264.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics 2645cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

470uF 16V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR471M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 1318		 EXR_080421.pdf
470uF 16V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR471M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12,5mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 11093 шт
10696 шт - склад
146 шт - РАДІОМАГ-Київ
55 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
158 шт - РАДІОМАГ-Одеса
34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
50 шт - очікується
Кількість Ціна без ПДВ
5+4 грн
10+ 3.5 грн
100+ 3.1 грн
1000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
1N5408
Код товару: 2135		 1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 4287 шт
3585 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
28 шт - РАДІОМАГ-Львів
388 шт - РАДІОМАГ-Одеса
281 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується
Кількість Ціна без ПДВ
7+3 грн
10+ 2.1 грн
100+ 1.9 грн
1000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
1000uF 250V ELP 35x40mm (ELP102M2EBB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2999		 ELP_080522.pdf
1000uF 250V ELP 35x40mm (ELP102M2EBB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
+1
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 250 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 35x40mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 160 шт
134 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна без ПДВ
1+140 грн
10+ 132 грн
100+ 125 грн
4,7uF 50V ECR 5x11mm (ECR4R7M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3138		 ECR_081225.pdf
4,7uF 50V ECR 5x11mm (ECR4R7M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 17489 шт
16746 шт - склад
258 шт - РАДІОМАГ-Київ
172 шт - РАДІОМАГ-Львів
29 шт - РАДІОМАГ-Харків
174 шт - РАДІОМАГ-Одеса
110 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
10+2 грн
16+ 1.3 грн
100+ 0.9 грн
1000+ 0.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
BZV55-C4V7
Код товару: 3642		 BZV55.pdf
BZV55-C4V7
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 4,7 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -1.4mV/K
у наявності: 3625 шт
3625 шт - склад
очікується: 300 шт
300 шт - очікується
Кількість Ціна без ПДВ
10+2 грн
19+ 1.1 грн
100+ 0.8 грн
1000+ 0.6 грн
Мінімальне замовлення: 10