![STW13N95K3 STW13N95K3](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_247_3_t.jpg)
STW13N95K3 STMicroelectronics
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 611.56 грн |
10+ | 544.46 грн |
100+ | 392.1 грн |
600+ | 354.56 грн |
1200+ | 312.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW13N95K3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW13N95K3 за ціною від 233.91 грн до 448.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STW13N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 40A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 6A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
STW13N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 40A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 6A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
STW13N95K3 Код товару: 57538 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||
![]() |
STW13N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
STW13N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||
![]() |
STW13N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V |
товар відсутній |