STW13N95K3

STW13N95K3 STMicroelectronics


stp13n95k3-956373.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
на замовлення 1200 шт:

термін постачання 385-394 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+611.56 грн
10+ 544.46 грн
100+ 392.1 грн
600+ 354.56 грн
1200+ 312.85 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW13N95K3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW13N95K3 за ціною від 233.91 грн до 448.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW13N95K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00233894.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 40A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+373.57 грн
4+ 247.67 грн
10+ 233.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW13N95K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00233894.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 40A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+448.28 грн
4+ 308.64 грн
10+ 280.69 грн
300+ 271.13 грн
STW13N95K3 STW13N95K3
Код товару: 57538
en.CD00233894.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW13N95K3 STW13N95K3 Виробник : STMicroelectronics cd0023389.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW13N95K3 Виробник : STMicroelectronics cd0023389.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW13N95K3 STW13N95K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00233894.pdf Description: MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товар відсутній