Продукція > SQM

Description: 0.750IN 16-18 GAUGE 1/4-20 THREA

товару немає в наявності

SQM0200A

Description: 0.875IN 16-18 GAUGE 1/4-20 THREA

товару немає в наявності

SQM0300A

Description: 1IN 16-18 GAUGE 1/4-20 THREADED:

товару немає в наявності

SQM0350A

Description: 1IN 16-18 GAUGE 5/16-18 THREADED

товару немає в наявності

SQM0400A

Description: 1IN 12-14 GAUGE 1/4-20 THREADED:

товару немає в наявності

SQM0450A

Description: 1IN 12-14 GAUGE 5/16-18 THREADED
Packaging: Bulk
Hardware Type: Tube Insert

товару немає в наявності

SQM0500A

Description: 1IN 10-11 GAUGE 1/4-20 THREADED:

товару немає в наявності

SQM0550A

Description: 1IN 10-11 GAUGE 5/16-18 THREADED

товару немає в наявності

SQM0600A

Description: 1.25IN 16-18 GAUGE 5/16-18 THREA

товару немає в наявності

SQM0650A

Description: 1.25IN 16-18 GAUGE 3/8-16 THREAD

товару немає в наявності

SQM0700A

Description: 1.25IN 12-14 GAUGE 5/16-18 THREA

товару немає в наявності

SQM0750A

Description: 1.25IN 12-14 GAUGE 3/8-16 THREAD

товару немає в наявності

SQM0800A

Description: 1.25IN 10-11 GAUGE 5/16-18 THREA

товару немає в наявності

SQM0850A

Description: 1.25IN 10-11 GAUGE 3/8-16 THREAD

товару немає в наявності

SQM0900A

Description: 1.375IN 16-18 GAUGE 3/8-16 THREA

товару немає в наявності

SQM10-100RJB1

Res Wirewound 100 Ohm 5% 10W ±350ppm/C Ceramic RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM10-10KJB1

Res Metal Oxide 10K Ohm 5% 10W ±350ppm/C Ceramic RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM10-12RJB1

Wirewound Resistors - Through Hole 12 OHM 5% 10W

товару немає в наявності

SQM10-12RJB1

Res Wirewound 12 Ohm 5% 10W ±400ppm/C Ceramic RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM10-20RJB1

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10-2R2JB1

Res Wirewound 2.2 Ohm 5% 10W ±400ppm/C Ceramic RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM10-30RJB1

Res Wirewound 30 Ohm 5% 10W ±350ppm/C Ceramic RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM10-30RJB1

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10-3K9JB1

Res Metal Oxide 3.9K Ohm 5% 10W ±350ppm/C Ceramic RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM10-3K9JB1

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10-5K1J

Wirewound Resistors - Through Hole 10W 5.1K OHM 5% RESISTOR RADIAL

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQM10-75RJB1

Wirewound Resistors - Through Hole 75 OHM 5% 10W

товару немає в наявності

SQM1000A

Description: 1.50IN 16-18 GAUGE 3/8-16 THREAD

товару немає в наявності

SQM100N02-3M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V

товару немає в наявності

SQM100N02-3M5L_GE3

MOSFET N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQM100N02-3M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V

товару немає в наявності

SQM100N04-2M7-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM100N04-2M7_GE3

товару немає в наявності

SQM100N04-2M7-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

товару немає в наявності

SQM100N04-2M7_GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM100N04-2m7_GE3

SQM100N04-2M7-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SQM100N04-2m7_GE3

MOSFET 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 774 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.11 грн
10+	177.93 грн
100+	122.78 грн
250+	113.55 грн
500+	94.39 грн
800+	83.04 грн
4800+	80.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM100N04-2m7_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263

товару немає в наявності

SQM100N04-3M5-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

товару немає в наявності

SQM100N04-3M5-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM100N10-10-GE3

Automotive N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

SQM100N10-10-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM1

товару немає в наявності

SQM100N10-10_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	103.98 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM100N10-10_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.59 грн
10+	170.11 грн
100+	131.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM100N10-10_GE3

Automotive N-Channel MOSFET

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	114.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM100N10-10_GE3

MOSFETs 100V 100A 375W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4628 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	265.79 грн
10+	198.33 грн
25+	167.49 грн
100+	125.62 грн
500+	122.78 грн
800+	95.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM100P10-19L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SQM100P10-19L_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	110.53 грн
1600+	102.44 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM100P10-19L_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -53A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -53A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SQM100P10-19L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 31200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	151.17 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM100P10-19L_GE3

Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.0155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	156.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM100P10-19L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM100P10-19L_GE3

MOSFETs P Ch -100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 8877 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.2 грн
10+	211.39 грн
25+	180.98 грн
100+	148.33 грн
250+	146.2 грн
500+	138.39 грн
800+	112.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM100P10-19L_GE3

товару немає в наявності

SQM100P10-19L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SQM100P10-19L_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	302.48 грн
10+	192.29 грн
100+	135.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM100P10-19L_GE3

на замовлення 451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	274.67 грн
10+	193.47 грн
100+	156.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM100P10-19L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 31200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	140.37 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM10250E_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	213.43 грн
10+	172.25 грн
100+	139.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM10250E_GE3

MOSFET 250V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 12435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.64 грн
10+	197.51 грн
25+	165.36 грн
100+	138.39 грн
250+	134.85 грн
500+	123.49 грн
800+	105.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM10250E_GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM10250E_GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM10250E_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	128.63 грн
1600+	106.06 грн
2400+	99.87 грн
5600+	89.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM10250E_GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	134.04 грн
10+	124.47 грн
25+	121.99 грн
100+	105.28 грн
250+	97.01 грн
500+	84.73 грн
1000+	78.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQM10250E_GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R1

Description: RES 0.1 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial Lead
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 100 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R11

Description: RES 0.11 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 110 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R12

Description: RES 0.12 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 120 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R13

Description: RES 0.13 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 130 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R15

Description: RES 0.15 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 150 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R16

Description: RES 0.16 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 160 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R18

Description: RES 0.18 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 180 MOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R2

Description: RES 0.2 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 200 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R22

Description: RES 0.22 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 220 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R24

Description: RES 0.24 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 240 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R27

Description: RES 0.27 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 270 MOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R3

Description: RES 0.3 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial Lead
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 300 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R33

Description: RES 0.33 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 330 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R36

Description: RES 0.36 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial Lead
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 360 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R39

Description: RES 0.39 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial Lead
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 390 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R43

Description: RES 0.43 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial Lead
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 430 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R47

Description: RES 0.47 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial Lead
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 470 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R51

Description: RES 0.51 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 510 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R56

Description: RES 0.56 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 560 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R62

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R68

Description: RES 0.68 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Part Status: Active
Resistance: 680 mOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R68

Wirewound Resistors - Through Hole .68 OHM 5% 10W

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R75

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R82

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-0R91

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-100K

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-100R

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-10K

Description: RES 10K OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 10 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-10K

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-10R

Description: RES 10 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 10 Ohms

товару немає в наявності

SQM10AJB-10R

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-110K

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-110R

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-11K

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-11R

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-120K

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-120R

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-12K

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-12R

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-130K

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-130R

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-13K

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-13R

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-150K

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-150R

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-15K

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-15R

Description: RES 15 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 15 Ohms

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.2 грн
10+	41.84 грн
25+	38.8 грн
50+	33.27 грн
100+	27.37 грн
250+	25.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQM10AJB-15R

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-160K

Description: RES 160K OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 160 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-160R

Description: RES 160 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial Lead
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 160 Ohms

товару немає в наявності

SQM10AJB-16K

Description: RES 16K OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial Lead
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 16 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-16R

Description: RES 16 OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 16 Ohms

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.97 грн
10+	42.21 грн
25+	39.15 грн
50+	33.58 грн
100+	27.62 грн
250+	25.34 грн
500+	20.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQM10AJB-1K

Description: RES 1K OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial Lead
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 1 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-1K

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-1K3

Description: RES 1.3K OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.630" L x 0.472" W (16.00mm x 12.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 1.437" (36.50mm)
Resistance: 1.3 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-1K3

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-1K5

Description: RES 1.5K OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.630" L x 0.472" W (16.00mm x 12.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 1.437" (36.50mm)
Resistance: 1.5 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-1K5

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-1K8

Description: RES 1.8K OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.630" L x 0.472" W (16.00mm x 12.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 1.437" (36.50mm)
Resistance: 1.8 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-1K8

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-1KE

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-200K

Description: RES 200K OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 200 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-20K

Description: RES 20K OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 20 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-20K

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-220R

Description: RES 220 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 220 Ohms

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.06 грн
10+	49.38 грн
25+	40.25 грн
50+	32.54 грн
100+	28.2 грн
250+	23.53 грн
500+	20.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQM10AJB-22R

Description: RES 22 OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial Lead
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 22 Ohms

товару немає в наявності

SQM10AJB-22R

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-22RL

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-27K

Description: RES 27K OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial Lead
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 27 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-27K

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-30K

Description: RES 30K OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 30 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-30K

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-33R

Description: RES 33 OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 33 Ohms

товару немає в наявності

SQM10AJB-33R

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-36K

Description: RES 36K OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 36 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-36K

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-3K9

Description: RES 3.9K OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 3.9 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-3K9

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-3K9GA

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-45R

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-470R

Description: RES 470 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 470 Ohms

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.06 грн
10+	49.38 грн
25+	40.25 грн
50+	32.54 грн
100+	28.2 грн
250+	23.53 грн
500+	20.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQM10AJB-47K

Description: RES 47K OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 47 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-47R

Description: RES 47 OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 47 Ohms

товару немає в наявності

SQM10AJB-47R

Wirewound Resistors - Through Hole 47ohm 5% 10W Cement Resistor

на замовлення 882 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.28 грн
10+	49.79 грн
25+	38.04 грн
100+	30.16 грн
250+	26.76 грн
500+	22.21 грн
1000+	17.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQM10AJB-4K7

Description: RES 4.7K OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 4.7 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-4K7

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-50K

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-620R

Description: RES 620 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 620 Ohms

товару немає в наявності

SQM10AJB-62K

Description: RES 62K OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 62 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-62R

Description: RES 62 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 62 Ohms

товару немає в наявності

SQM10AJB-680R

Description: RES 680 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 680 Ohms

товару немає в наявності

SQM10AJB-68K

Description: RES 68K OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 68 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-68K

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-68R

Description: RES 68 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 68 Ohms

товару немає в наявності

SQM10AJB-68R

Res Metal Oxide 68 Ohm 5% 10W ±300ppm/C Cement RDL

товару немає в наявності

SQM10AJB-6K2

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-6K2

Description: RES 6.2K OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 6.2 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-6K8

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10AJB-6K8

Description: RES 6.8K OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 6.8 kOhms

товару немає в наявності

SQM10AJB-6R2

Description: RES 6.2 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.512" L x 0.354" W (13.00mm x 9.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial Lead
Height - Seated (Max): 2.067" (52.50mm)
Resistance: 6.2 Ohms

товару немає в наявності

SQM10AJB-820R

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-82K

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-82R

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-8K2

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10AJB-8R2

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10SJB-0R68

Description: RES 0.68 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.630" L x 0.472" W (16.00mm x 12.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial Lead
Height - Seated (Max): 1.437" (36.50mm)
Part Status: Active
Resistance: 680 mOhms

товару немає в наявності

SQM10SJB-120K

Description: RES WW 10W 5% TH

товару немає в наявності

SQM10SJB-15K

Res Metal Oxide Film 15K Ohm 5% 10W ±300ppm/°C Cement RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM10SJB-15K

Wirewound Resistors - Through Hole 15K OHM 5% 10W

товару немає в наявності

SQM10SJB-200K

Description: RES 200K OHM 5% 10W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.630" L x 0.472" W (16.00mm x 12.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 1.437" (36.50mm)
Resistance: 200 kOhms

товару немає в наявності

SQM10SJB-20K

Description: RES 20K OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.630" L x 0.472" W (16.00mm x 12.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 1.437" (36.50mm)
Resistance: 20 kOhms

на замовлення 740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.03 грн
10+	79.92 грн
25+	65.5 грн
50+	53.23 грн
100+	46.35 грн
250+	38.94 грн
500+	33.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM10SJB-24R

Wirewound Resistors - Through Hole 24ohm 5% 10W Cement Resistor

на замовлення 1926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.47 грн
10+	93.04 грн
25+	70.97 грн
100+	56.85 грн
250+	49.4 грн
500+	41.02 грн
1000+	33.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQM10SJB-24R

Res Wirewound 24 Ohm 5% 10W ±300ppm/°C Cement RDL

товару немає в наявності

SQM10SJB-27R

Through Hole Chip Resistor

товару немає в наявності

SQM10SJB-30R

Res Wirewound 30 Ohm 5% 10W ±300ppm/°C Cement RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM10SJB-35R

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10SJB-470R

Description: RES 470 OHM 5% 10W RADIAL

товару немає в наявності

SQM10SJB-4K3

Description: RES 4.3K OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.630" L x 0.472" W (16.00mm x 12.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 1.437" (36.50mm)
Resistance: 4.3 kOhms

товару немає в наявності

SQM10SJB-4K7

Description: RES 4.7K OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.630" L x 0.472" W (16.00mm x 12.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 1.437" (36.50mm)
Resistance: 4.7 kOhms

товару немає в наявності

SQM10SJB-4R3

Description: RES 4.3 OHM 5% 10W RADIAL
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.630" L x 0.472" W (16.00mm x 12.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial Lead
Height - Seated (Max): 1.437" (36.50mm)
Resistance: 4.3 Ohms

товару немає в наявності

SQM10SJB-V100K

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM10SJB-V75K

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM110N04-02L-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 40V TO263

товару немає в наявності

SQM110N04-02L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM110N04-03-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM100N04-2M7_GE3

товару немає в наявності

SQM110N04-03-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 40V TO263

товару немає в наявності

SQM110N04-03-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM110N04-03L-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 40V TO263

товару немає в наявності

SQM110N04-04-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 40V TO263

товару немає в наявності

SQM110N04-04-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM100N04-2M7_GE3

товару немає в наявності

SQM110N04-04-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM110N05-06L-GE3

Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

товару немає в наявності

SQM110N05-06L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQM110N0506L_GE3

товару немає в наявності

SQM110N05-06L_GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SQM110N05-06L_GE3

MOSFETs 55V 110A 158W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.87 грн
10+	162.42 грн
100+	102.91 грн
500+	101.49 грн
800+	85.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM110N05-06L_GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SQM110N06-04L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM110N06-04L-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 60V TO263

товару немає в наявності

SQM110N06-06-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 60V TO263

товару немає в наявності

SQM110N08-05-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 75V TO263

товару немає в наявності

SQM110N10-09-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM110N10-09-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 100V TO263

товару немає в наявності

SQM110P04-04L-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V

товару немає в наявності

SQM110P04-04L-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM110P06-07L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM110P06-07L-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263

товару немає в наявності

SQM110P06-07L-GE3

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQM110P06-8M9L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SQM110P06-8M9L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	133.05 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM110P06-8M9L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	107.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQM110P06-8M9L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SQM110P06-8M9L_GE3

MOSFET P-Channel 60V Automotive MOSFET

на замовлення 30333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.29 грн
10+	198.33 грн
25+	166.78 грн
100+	139.81 грн
250+	135.56 грн
500+	114.97 грн
800+	103.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM110P06-8M9L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.34 грн
10+	178.17 грн
100+	144.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM120N02-1M3L_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM120N02-1M3L_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120N02-1M3L_GE3

MOSFETs N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.22 грн
10+	186.09 грн
25+	152.59 грн
100+	130.59 грн
250+	123.49 грн
500+	110.72 грн
800+	92.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM120N02-1M3L_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM120N03-1M5L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM120N031M5LGE

товару немає в наявності

SQM120N03-1m5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15605 pF @ 15 V

товару немає в наявності

SQM120N03-1m5L_GE3

MOSFETs 30V 120A 375W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	288.97 грн
800+	143.65 грн
2400+	117.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM120N03-1m5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15605 pF @ 15 V

товару немає в наявності

SQM120N03-1M5L_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

товару немає в наявності

SQM120N04-1M4L_GE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)

товару немає в наявності

SQM120N04-1M7-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM120N04-1M7_GE3

товару немає в наявності

SQM120N04-1M7L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM120N04-1M7L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

товару немає в наявності

SQM120N04-1M7L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQM120N041M7LGE

товару немає в наявності

SQM120N04-1M7L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

товару немає в наявності

SQM120N04-1m7L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	106.38 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM120N04-1m7L_GE3

MOSFETs 40V 120A 375W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.2 грн
10+	210.57 грн
25+	172.46 грн
100+	147.62 грн
250+	139.1 грн
500+	131.3 грн
800+	112.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM120N04-1m7L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V

на замовлення 2198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.25 грн
10+	184.23 грн
100+	149 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM120N04-1m7_GE3

MOSFETs 40V 120A 375W AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

SQM120N04-1M7_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive

товару немає в наявності

SQM120N04-1m7_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM120N04-1M8-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120N04-1M8-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

товару немає в наявності

SQM120N04-1M9-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQM120N041M9GE

товару немає в наявності

SQM120N04-1M9-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

товару немає в наявності

SQM120N04-1m9_GE3

MOSFET 40V 120A 300W AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

SQM120N04-1m9_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8790 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SQM120N04-1M9_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SQM120N04-2M1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120N06-04L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120N06-06-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120N06-06_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM120N06-06_GE3

Description: VISHAY - SQM120N06-06_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	237.25 грн
10+	176.75 грн
100+	142.51 грн
500+	85.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQM120N06-06_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120N06-06_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM120N06-06_GE3

Description: VISHAY - SQM120N06-06_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	142.51 грн
500+	85.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM120N06-06_GE3

MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3731 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

2+	217.76 грн
10+	180.37 грн
100+	127.04 грн
500+	112.84 грн
800+	95.81 грн
2400+	94.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM120N06-3M5L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM120N06-3M5LGE

товару немає в наявності

SQM120N06-3M5L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120N06-3m5L_GE3

MOSFETs 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1607 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	315.47 грн
10+	261.17 грн
25+	221.43 грн
100+	183.82 грн
250+	178.85 грн
500+	173.88 грн
800+	139.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM120N06-3m5L_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhanced

товару немає в наявності

SQM120N06-3m5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	355.45 грн
10+	227.55 грн
100+	162.57 грн

SQM120N06-3M5L_GE3

Description: VISHAY - SQM120N06-3M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	340.75 грн
10+	242.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM120N06-3M5L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	122.54 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM120N06-3m5L_GE3

товару немає в наявності

SQM120N06-3m5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	133.33 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM120N06-3M5L_GE3

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQM120N08-05-GE3

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120N10-09-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120N10-09-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM1

товару немає в наявності

SQM120N10-09_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120N10-09_GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM7

товару немає в наявності

SQM120N10-09_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8645 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM120N10-3M8-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120N10-3M8-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM1

товару немає в наявності

SQM120N10-3M8_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 360 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	312.41 грн
5+	270.85 грн
6+	201.38 грн
15+	189.85 грн

SQM120N10-3M8_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	121.02 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM120N10-3M8_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SQM120N10-3M8_GE3

Description: VISHAY - SQM120N10-3M8_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 662 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	181.52 грн
500+	123.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM120N10-3M8_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	143.54 грн
1600+	142.13 грн
2400+	140.72 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM120N10-3M8_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	128.34 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM120N10-3M8_GE3

MOSFETs N-Channel 100V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	308.02 грн
10+	211.39 грн
100+	136.27 грн
800+	117.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM120N10-3M8_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	282.52 грн
10+	188.52 грн
100+	138.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM120N10-3M8_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SQM120N10-3M8_GE3

на замовлення 662 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	307.32 грн
10+	224.52 грн
100+	181.52 грн
500+	123.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM120N10-3M8_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	331.68 грн
42+	291.1 грн
53+	232.27 грн
200+	212.24 грн
500+	175.69 грн

Мінімальне замовлення: 37

SQM120N10-3M8_GE3

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.34 грн
5+	217.35 грн
6+	167.82 грн
15+	158.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM120N10-3M8_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	133.5 грн
1600+	132.19 грн
2400+	130.88 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM120P04-04L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM120P04-04L_GE3

товару немає в наявності

SQM120P04-04L-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120P04-04L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	315.53 грн
10+	201.01 грн
100+	142.48 грн

SQM120P04-04L_GE3

Description: VISHAY - SQM120P04-04L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	161.62 грн
500+	124.94 грн
1000+	113.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM120P04-04L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120P04-04L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	121.72 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM120P04-04L_GE3

MOSFET P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 13254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.93 грн
10+	239.14 грн
100+	170.33 грн
500+	145.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM120P04-04L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM120P04-04L_GE3

на замовлення 1789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	335.18 грн
10+	219.74 грн
100+	161.62 грн
500+	124.94 грн
1000+	113.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM120P06-07L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120P06-07L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM120P06-07L_GE3

товару немає в наявності

SQM120P06-07L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 16800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	259.34 грн
56+	218.2 грн
100+	190.04 грн
800+	135.6 грн
1600+	122.15 грн
2400+	114.07 грн
5600+	112.88 грн

Мінімальне замовлення: 47

SQM120P06-07L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120P06-07L_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -120A; Idm: -480A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -480A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.03 грн
7+	139.72 грн
18+	131.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM120P06-07L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	315.53 грн
10+	201.01 грн
100+	142.48 грн

SQM120P06-07L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 16800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	240.81 грн
10+	202.61 грн
100+	176.47 грн
800+	125.91 грн
1600+	113.43 грн
2400+	105.92 грн
5600+	104.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM120P06-07L_GE3

Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 10649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	171.97 грн
500+	112.37 грн
1000+	101 грн
2000+	98.27 грн
5000+	93.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM120P06-07L_GE3

на замовлення 478 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	290.44 грн
7+	174.12 грн
18+	157.91 грн
500+	155.25 грн
800+	151.7 грн

SQM120P06-07L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	185.89 грн
69+	178.81 грн
100+	172.74 грн

Мінімальне замовлення: 66

SQM120P06-07L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	121.72 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM120P06-07L_GE3

MOSFETs 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 62392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.93 грн
10+	222.81 грн
100+	156.85 грн
250+	152.59 грн
500+	147.62 грн
800+	117.81 грн
2400+	112.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM120P06-07L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	116.12 грн
1600+	108.47 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM120P06-07L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120P06-07L_GE3

на замовлення 10649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	292.19 грн
10+	218.15 грн
100+	171.97 грн
500+	112.37 грн
1000+	101 грн
2000+	98.27 грн
5000+	93.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM120P10_10M1LGE3

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	121.02 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM120P10_10M1LGE3

Description: VISHAY - SQM120P10_10M1LGE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	307.32 грн
10+	217.35 грн
100+	175.15 грн
500+	130.85 грн
1000+	118.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM120P10_10M1LGE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM120P10_10M1LGE3

MOSFETs P Ch -100Vds 20Vgs

на замовлення 7983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284 грн
10+	234.24 грн
25+	193.04 грн
100+	165.36 грн
250+	155.43 грн
500+	146.2 грн
800+	125.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM120P10_10M1LGE3

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	282.52 грн
10+	188.52 грн
100+	138.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM120P10_10M1LGE3

Description: VISHAY - SQM120P10_10M1LGE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 2896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	174.36 грн
500+	130.85 грн
1000+	118.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM18N33-160H-GE3

Trans MOSFET N-CH 330V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM2-10KJB3

Res Metal Oxide 10K Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM2-20RJB3

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM2-20RJB3

Res Wirewound 20 Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM2-22RJB3

Res Wirewound 22 Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM2-470RJB3

Res Metal Oxide 470 Ohm 5% 2W ±350ppm/C Ceramic RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM2-470RJB3

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM200J-22R0

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQM200JB-0R15

Description: RES 0.15 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-0R22

Description: RES 0.22 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-0R3

Description: RES 0.3 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-0R36

Description: RES WW 2W 5% TH

товару немає в наявності

SQM200JB-0R39

Description: RES 0.39 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-0R75

Description: RES 0.75 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-10R

Switch Actuators Operator

товару немає в наявності

SQM200JB-10R

Description: RES 10 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-10R

Res Wirewound 10 Ohm 5% 2W ±300ppm/C Molded RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM200JB-15R

Description: RES 15 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-15R

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM200JB-1K

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM200JB-1K

Res Metal Oxide 1K Ohm 5% 2W ±300ppm/C Molded RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM200JB-1K

Description: RES 1K OHM 5% 2W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.433" L x 0.276" W (11.00mm x 7.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial Lead
Height - Seated (Max): 0.846" (21.50mm)
Resistance: 1 kOhms

товару немає в наявності

SQM200JB-1K1

Description: RES 1.1K OHM 5% 2W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.433" L x 0.276" W (11.00mm x 7.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.846" (21.50mm)
Resistance: 1.1 kOhms

товару немає в наявності

SQM200JB-1K2

Description: RES 1.2K OHM 5% 2W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.433" L x 0.276" W (11.00mm x 7.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.846" (21.50mm)
Resistance: 1.2 kOhms

товару немає в наявності

SQM200JB-1K3

Description: RES 1.3K OHM 5% 2W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.433" L x 0.276" W (11.00mm x 7.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.846" (21.50mm)
Resistance: 1.3 kOhms

товару немає в наявності

SQM200JB-1K5

Description: RES 1.5K OHM 5% 2W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.433" L x 0.276" W (11.00mm x 7.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.846" (21.50mm)
Resistance: 1.5 kOhms

товару немає в наявності

SQM200JB-1K6

Description: RES 1.6K OHM 5% 2W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.433" L x 0.276" W (11.00mm x 7.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.846" (21.50mm)
Resistance: 1.6 kOhms

товару немає в наявності

SQM200JB-1K8

Description: RES 1.8K OHM 5% 2W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.433" L x 0.276" W (11.00mm x 7.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.846" (21.50mm)
Resistance: 1.8 kOhms

товару немає в наявності

SQM200JB-20K

Description: RES WW 2W 5% TH

товару немає в наявності

SQM200JB-22R

Description: RES 22 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-24K

Res Metal Oxide 24K Ohm 5% 2W ±300ppm/C Molded RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM200JB-24K

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM200JB-270R

Description: RES 270 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-27K

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM200JB-27K

Cement Resistors Vertical Lead Type

товару немає в наявності

SQM200JB-27K

Description: RES 27K OHM 5% 2W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.433" L x 0.276" W (11.00mm x 7.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.846" (21.50mm)
Resistance: 27 kOhms

товару немає в наявності

SQM200JB-2K2

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM200JB-2K7

Description: RES 2.7K OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-2R

Description: RES 2 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-2R2

Description: RES 2.2 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-300R

Description: RES 300 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-33R

Wirewound Resistors - Through Hole

товару немає в наявності

SQM200JB-3K

Description: RES 3K OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-3K6

Description: RES 3.6K OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-3R

Description: RES 3 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-3R3

Description: RES 3.3 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-3R6

Description: RES 3.6 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-430R

Description: RES 430 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-470R

Description: RES 470 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-47K

Description: RES 47K OHM 5% 2W RADIAL
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.433" L x 0.276" W (11.00mm x 7.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.846" (21.50mm)
Resistance: 47 kOhms

товару немає в наявності

SQM200JB-47R

Wirewound Resistors - Through Hole 47ohm 5% 2W Cement Resistor

на замовлення 2947 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.9 грн
10+	39.67 грн
100+	20.16 грн
500+	14.9 грн
1000+	11.78 грн
1600+	11.43 грн
11200+	11 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQM200JB-47R

Description: RES 47 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-4K7

Description: RES WW 2W 5% TH

товару немає в наявності

SQM200JB-51K

Description: RES 51K OHM 5% 2W RADIAL
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.433" L x 0.276" W (11.00mm x 7.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.846" (21.50mm)
Part Status: Active
Resistance: 51 kOhms

товару немає в наявності

SQM200JB-560R

Description: RES 560 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-62K

Description: RES 62K OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-68R

Res Metal Oxide Film 68 Ohm 5% 2W ±300ppm/C Molded RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM200JB-6K2

Description: RES 6.2K OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-82K

Description: RES 82K OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-910R

Description: RES 910 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200JB-91R

Description: RES 91 OHM 5% 2W RADIAL

товару немає в наявності

SQM200N04-1M1L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 7-Pin(6+Tab) TO-263

товару немає в наявності

SQM200N04-1M1L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 7-Pin(6+Tab) TO-263

товару немає в наявності

SQM200N04-1m1L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20655 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SQM200N04-1m1L_GE3

MOSFETs 40V 200A, 375W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	322.92 грн
10+	261.99 грн
25+	220.72 грн
100+	183.82 грн
250+	178.85 грн
500+	163.94 грн
800+	132.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM200N04-1m1L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20655 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SQM200N04-1M7L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 7-Pin(6+Tab) TO-263

товару немає в наявності

SQM200N04-1m7L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO-263

товару немає в наявності

SQM200N04-1m7L_GE3

MOSFETs 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3481 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	249.23 грн
10+	206.49 грн
25+	169.62 грн
100+	145.49 грн
250+	136.97 грн
500+	116.39 грн
800+	105.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM200N04-1m7L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO-263

товару немає в наявності

SQM200N04-1M8_GE3

MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

SQM200N04-1M8_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7

товару немає в наявності

SQM200N04-1M8_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM25N15-52_GE3

MOSFET N-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

на замовлення 561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.83 грн
10+	184.45 грн
100+	129.17 грн
500+	106.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM25N15-52_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM3-100RJB3

Res Metal Oxide 100 Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic RDL Bulk

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	12.17 грн

Мінімальне замовлення: 28

SQM3-10RJB3

Res Wirewound 10 Ohm 5% 3W ±400ppm/C Ceramic RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM3-1R5JB3

Res Wirewound 1.5 Ohm 5% 3W ±400ppm/C Ceramic RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM3-47RJB3

Res Metal Oxide 47 Ohm 5% 3W ±350ppm/C Ceramic RDL Bulk

товару немає в наявності

SQM30010EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQM30010EL_GE3

Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	240.44 грн
10+	162.42 грн
100+	136.94 грн
500+	118.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQM30010EL_GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.11 грн
10+	178.74 грн
25+	136.97 грн
100+	126.33 грн
250+	119.23 грн
500+	102.2 грн
800+	90.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM30010EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263

товару немає в наявності

SQM30010EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM30010EL_GE3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	136.94 грн
500+	118.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM300J-22R0

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQM300JB-0R1

Description: RES 0.1 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-0R12

Description: RES 0.12 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-0R27

Description: RES 0.27 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-0R3

Description: RES 0.3 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-0R33

Description: RES 0.33 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-0R62

Description: RES 0.62 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-0R68

Description: RES 0.68 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-0R82

Description: RES 0.82 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-0R91

Description: RES 0.91 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-110R

Description: RES WW 3W 5% TH

товару немає в наявності

SQM300JB-11K

Description: RES 11K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-11R

Description: RES WW 3W 5% TH

товару немає в наявності

SQM300JB-13K

Description: RES 13K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-150R

Cement Through Hole Resistors

товару немає в наявності

SQM300JB-150R

Description: RES 150 OHM 5% 3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.472" L x 0.315" W (12.00mm x 8.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 1.043" (26.50mm)
Resistance: 150 Ohms

товару немає в наявності

SQM300JB-15K

Description: RES 15K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-160R

Description: RES 160 OHM 5% 3W RADIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.472" L x 0.315" W (12.00mm x 8.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 1.043" (26.50mm)
Resistance: 160 Ohms

товару немає в наявності

SQM300JB-1K

Description: RES 1K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-1K3

Description: RES 1.3K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-1R5

Description: RES 1.5 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-1R8

Description: RES 1.8 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-20K

Description: RES WW 3W 5% TH

товару немає в наявності

SQM300JB-24K

Description: RES 24K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-24R

Description: RES 24 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-2K7

Description: RES 2.7K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-2R2

Description: RES 2.2 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-2R7

Description: RES 2.7 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-330R

Description: RES 330 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-33K

Description: RES 33K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-33R

Description: RES 33 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-360R

Description: RES 360 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-390R

Description: RES 390 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-39K

Description: RES 39K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-3K

Description: RES 3K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-3K3

Description: RES 3.3K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-3K9

Description: RES 3.9K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-3R3

Description: RES 3.3 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-470R

Description: RES 470 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-47K

Description: RES 47K OHM 5% 3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Arc, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.472" L x 0.315" W (12.00mm x 8.00mm)
Composition: Ceramic
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 1.043" (26.50mm)
Resistance: 47 kOhms

товару немає в наявності

SQM300JB-4K3

Description: RES 4.3K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-4K7

Description: RES WW 3W 5% TH

товару немає в наявності

SQM300JB-5K1

Description: RES 5.1K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-5K6

Description: RES 5.6K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-68K

Description: RES 68K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-6K2

Description: RES 6.2K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-6R8

Description: RES 6.8 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-750R

Description: RES 750 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-75K

Description: RES 75K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-7K5

Description: RES 7.5K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-8K2

Description: RES 8.2K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-910R

Description: RES 910 OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM300JB-9K1

Description: RES 9.1K OHM 5% 3W RADIAL

товару немає в наявності

SQM35N30-97_GE3

Description: MOSFET N-CH 300V 35A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	157.44 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM35N30-97_GE3

Description: MOSFET N-CH 300V 35A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.26 грн
10+	210.84 грн
100+	170.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM35N30-97_GE3

Trans MOSFET N-CH 300V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM35N30-97_GE3

MOSFETs N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3934 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284 грн
10+	235.06 грн
25+	193.04 грн
100+	165.36 грн
250+	156.14 грн
500+	146.91 грн
800+	125.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM40010EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40010EL_GE3

Description: VISHAY - SQM40010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00121 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00121ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	133.75 грн
500+	113.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM40010EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17100 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM40010EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40010EL_GE3

на замовлення 606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	248.4 грн
10+	171.17 грн
100+	133.75 грн
500+	113.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQM40010EL_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.38 грн
10+	168.13 грн
25+	141.94 грн
100+	126.33 грн
250+	122.07 грн
500+	112.13 грн
800+	90.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM40010EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40010EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM40014EM_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40014EM_GE3

MOSFET 40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

SQM40014EM_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40014EM_GE3

Description: VISHAY - SQM40014EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 840 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	136.14 грн
500+	120.5 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM40014EM_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15525 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM40014EM_GE3

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	240.44 грн
10+	169.58 грн
100+	136.14 грн
500+	120.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQM40014EM_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40014EM_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15525 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM40016EM_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM40016EM_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 250A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40016EM_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM40016EM_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 250A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40016EM_GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263-7L)

на замовлення 11035 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	228.53 грн
10+	187.72 грн
100+	129.88 грн
250+	119.94 грн
500+	107.17 грн
800+	85.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM40016EM_GE3

Description: VISHAY - SQM40016EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 810 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	263.53 грн
10+	194.26 грн
100+	156.05 грн
500+	131.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQM40020EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM40020EL_GE3

Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00178ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQM40020EL_GE3

SQM40020EL_GE3

товару немає в наявності

SQM40020EL_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	165.6 грн
10+	132.22 грн
100+	93.68 грн
250+	89.42 грн
500+	73.81 грн
800+	63.8 грн
5600+	61.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM40020EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.78 грн
10+	121.69 грн
100+	96.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM40020EL_GE3

Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQM40020EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	85.11 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM40020E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40020E_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM40020E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40020E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40020E_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.33 грн
10+	126.51 грн
100+	102.91 грн
250+	95.1 грн
500+	78.07 грн
800+	73.1 грн
2400+	69.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM40020E_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM40022EM_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM40022EM_GE3

Description: VISHAY - SQM40022EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm

товару немає в наявності

SQM40022EM_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40022EM_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40022EM_GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263-7L)

на замовлення 6204 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	164.77 грн
10+	119.98 грн
100+	93.68 грн
250+	86.59 грн
500+	70.62 грн
800+	63.59 грн
2400+	61.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM40022EM_GE3

товару немає в наявності

SQM40022EM_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM40022EM_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40022E_GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.31 грн
10+	111 грн
100+	80.2 грн
250+	76.65 грн
500+	65.65 грн
800+	57.91 грн
4800+	56.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM40022E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	106.9 грн
126+	97.14 грн
127+	96.16 грн
128+	91.81 грн
142+	76.83 грн
250+	71.39 грн
500+	61 грн

Мінімальне замовлення: 114

SQM40022E_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	77.19 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM40022E_GE3

Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	87.58 грн
500+	57.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM40022E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40022E_GE3

на замовлення 857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	150.47 грн
10+	115.44 грн
100+	87.58 грн
500+	57.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQM40022E_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.19 грн
10+	110.38 грн
100+	87.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM40022E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	99.26 грн
10+	90.2 грн
25+	89.29 грн
50+	85.25 грн
100+	71.34 грн
250+	66.29 грн
500+	56.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQM40022E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40031EL_GE3

Description: VISHAY - SQM40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 5071 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	228.5 грн
10+	163.21 грн
100+	136.14 грн
500+	125.68 грн
1000+	114.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQM40031EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.84 грн
10+	160.35 грн
100+	129.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM40031EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	208.94 грн
10+	175.94 грн
25+	163.73 грн
100+	136.67 грн
250+	125 грн
500+	91 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM40031EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	169.9 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM40031EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	129.17 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM40031EL_GE3

MOSFETs P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 27799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.52 грн
10+	171.4 грн
25+	141.94 грн
100+	121.36 грн
250+	118.52 грн
500+	102.2 грн
800+	90.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM40031EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	119.78 грн
1600+	98.76 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM40031EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263

товару немає в наявності

SQM40031EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	225.01 грн
65+	189.47 грн
70+	176.33 грн
100+	147.18 грн
250+	134.61 грн
500+	98 грн

Мінімальне замовлення: 55

SQM40041EL

Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SQM40041EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SQM40041EL_GE3

Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00283 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 157W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00283ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00283ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	128.98 грн
500+	90.19 грн
1000+	81.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM40041EL_GE3

MOSFETs Pch -40V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 9103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.83 грн
10+	172.21 грн
25+	140.52 грн
100+	121.36 грн
250+	114.97 грн
500+	102.2 грн
800+	86.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM40041EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.56 грн
10+	150.59 грн
100+	121.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM40041EL_GE3

Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00283 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00283ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6096 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	226.11 грн
10+	160.03 грн
100+	128.98 грн
500+	90.19 грн
1000+	81.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQM40041EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	190.69 грн
76+	160.26 грн
100+	151.13 грн
200+	144.76 грн
500+	121.35 грн
1600+	109.54 грн

Мінімальне замовлення: 64

SQM40041EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	112.45 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM40061EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40061EL_GE3

Description: VISHAY - SQM40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm

на замовлення 2268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.62 грн
500+	70.97 грн
1000+	62.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM40061EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.4 грн
10+	96.55 грн
100+	68.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40061EL_GE3

на замовлення 1957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	149.68 грн
10+	113.05 грн
100+	80.41 грн
500+	72.23 грн
1000+	64.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQM40061EL_GE3

MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id

на замовлення 19926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.62 грн
10+	111.82 грн
100+	77.36 грн
250+	70.97 грн
500+	65.36 грн
800+	54.01 грн
2400+	52.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM40081EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	68.23 грн
1600+	55.75 грн

Мінімальне замовлення: 800

SQM40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SQM40081EL_GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 15302 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.23 грн
10+	99.57 грн
100+	70.97 грн
250+	68.63 грн
500+	60.82 грн
800+	51.17 грн
4800+	49.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	99 грн
139+	88.05 грн
157+	77.7 грн
250+	72.94 грн
500+	58.32 грн

Мінімальне замовлення: 123

SQM40081EL_GE3

Description: VISHAY - SQM40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM40081EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V

на замовлення 1858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.07 грн
10+	97.59 грн
100+	77.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	91.92 грн
10+	81.76 грн
100+	72.15 грн
250+	67.73 грн
500+	54.16 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQM40081EL_GE3

Description: VISHAY - SQM40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	145.7 грн
10+	109.87 грн
100+	82 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQM40N10-30-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM4

товару немає в наявності

SQM40N10-30-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM40N10-30_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 25 V

на замовлення 424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.36 грн
10+	110.38 грн
100+	79.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM40N10-30_GE3

Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.52 грн
10+	137.73 грн
100+	100.32 грн
500+	82.06 грн
1000+	65.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQM40N10-30_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SQM40N10-30_GE3

MOSFETs 100V 40A 107W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3622 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.75 грн
10+	96.31 грн
100+	66.64 грн
500+	62.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQM40N10-30_GE3

Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	100.32 грн
500+	82.06 грн
1000+	65.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM40N10-30_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R

товару немає в наявності

SQM40N15-38-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQM40N15-38_GE3

товару немає в наявності

SQM40N15-38-GE3

Trans Mosfet N-Ch 150V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) To-263

товару немає в наявності

SQM40N15-38-GE3

Trans Mosfet N-Ch 150V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) To-263

товару немає в наявності

SQM40N15-38_GE3

Trans Mosfet N-Ch 150V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) To-263

товару немає в наявності

SQM40N15-38_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.7 грн
10+	155.92 грн
100+	126.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM40N15-38_GE3

Description: VISHAY - SQM40N15-38_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	231.68 грн
10+	172.77 грн
100+	139.33 грн
500+	115.33 грн
1000+	104.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQM40N15-38_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SQM40N15-38_GE3

MOSFET 150V 40A 166W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.48 грн
10+	173.84 грн
25+	142.65 грн
100+	122.07 грн
250+	115.68 грн
500+	102.2 грн
800+	89.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM40N15-38_GE3

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	139.33 грн
500+	115.33 грн
1000+	104.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM40P10-40L_GE3

Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	117.83 грн
500+	82.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQM40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

товару немає в наявності

SQM40P10-40L_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5295 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.11 грн
10+	142.24 грн
100+	113.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM40P10-40L_GE3

MOSFETs P-Channel 100V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.92 грн
10+	158.34 грн
100+	109.3 грн
250+	101.49 грн
500+	83.75 грн
800+	75.94 грн
2400+	73.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM40P10-40L_GE3

на замовлення 605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	210.98 грн
10+	155.25 грн
100+	114.65 грн
500+	79.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQM40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

товару немає в наявності

SQM40P10-40L_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5295 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

SQM47N10-24L_GE3

MOSFETs 100V 47A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2663 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	175.54 грн
10+	144.46 грн
100+	99.36 грн
250+	92.26 грн
500+	83.75 грн
800+	67.35 грн
4800+	65.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM47N10-24L_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V

на замовлення 1580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.99 грн
10+	129.3 грн
100+	102.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQM47N10-24L_GE3