на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 126.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM120N10-3M8_GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQM120N10-3M8_GE3 за ціною від 124.85 грн до 310.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQM120N10-3M8_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQM120N10-3M8_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM120N10-3M8_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQM120N10-3M8_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 125nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQM120N10-3M8_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQM120N10-3M8_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-Channel 100V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 7231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQM120N10-3M8_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM120N10-3M8_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQM120N10-3M8_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 125nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 414 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQM120N10-3M8-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQM120N10-3M8-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQM120N10-3M8_GE3 |
товар відсутній |