SQM40061EL_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQM40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 78.85 грн |
| 500+ | 70.29 грн |
| 1000+ | 62.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM40061EL_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQM40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SQM40061EL_GE3 за ціною від 52.08 грн до 147.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQM40061EL_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQM40061EL_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id |
на замовлення 19926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQM40061EL_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQM40061EL_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SQM40061EL_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQM40061EL_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |