SQM40031EL_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 119.78 грн |
1600+ | 98.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM40031EL_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQM40031EL_GE3 за ціною від 90.13 грн до 228.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 27799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQM40031EL_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 5086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
товару немає в наявності |