SQM110P06-8M9L_GE3 Vishay
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 106.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM110P06-8M9L_GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7450 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQM110P06-8M9L_GE3 за ціною від 102.99 грн до 237.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SQM110P06-8M9L_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQM110P06-8M9L_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQM110P06-8M9L_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET P-Channel 60V Automotive MOSFET |
на замовлення 30333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQM110P06-8M9L-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |