SQM100N04-2m7_GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 214.79 грн |
10+ | 176.84 грн |
100+ | 122.03 грн |
250+ | 112.86 грн |
500+ | 93.82 грн |
800+ | 82.53 грн |
4800+ | 80.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM100N04-2m7_GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 98A, Power dissipation: 157W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 95.5nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SQM100N04-2m7_GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SQM100N04-2M7_GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||
SQM100N04-2m7_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 98A Power dissipation: 157W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95.5nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
SQM100N04-2m7_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263 |
товар відсутній |
||
SQM100N04-2M7-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 |
товар відсутній |
||
SQM100N04-2M7-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM100N04-2M7_GE3 |
товар відсутній |
||
SQM100N04-2m7_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 98A Power dissipation: 157W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95.5nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |