![SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2011/6/16/2/46/8/998/vsh_/manual/to-263-3.jpg)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 119.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM120P04-04L_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQM120P04-04L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SQM120P04-04L_GE3 за ціною від 117.99 грн до 287.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQM120P04-04L_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SQM120P04-04L_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SQM120P04-04L_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 13254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SQM120P04-04L_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SQM120P04-04L-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
SQM120P04-04L_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
SQM120P04-04L-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM120P04-04L_GE3 |
товар відсутній |