НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMN.0M.302.XLMLEMOStandard Circular Connector
товар відсутній
PMN.0M.302.XLMTLEMOStandard Circular Connector
товар відсутній
PMN.0M.303.XLMTLEMOStandard Circular Connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMN.0M.305.LLMALEMOStandard Circular Connector Receptacle Size 0 5 Contacts Blue
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMN.0M.305.XLMTLEMOStandard Circular Connector 5P FIX RCPT CRIMP ANITIVIBE SQ FLANGE
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMN.0M.305.XLMTLEMODescription: CONN INLINE RCPT 5SKT CRIMP
товар відсутній
PMN.1M.302.XLMTLEMOStandard Circular Connector
товар відсутній
PMN.1M.305.XLMTLEMOStandard Circular Connector
товар відсутній
PMN.1M.305.XLMTLEMODescription: CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Color: Gray
Current Rating (Amps): 9A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Shielding: Shielded
Number of Positions: 5
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 305
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Fastening Type: Threaded
Termination: Crimp
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Cable Opening: 0.382" (9.70mm)
Contact Finish - Mating: Gold
Part Status: Active
Shell Material: Aluminum Alloy
Shell Finish: Nickel
Primary Material: Metal
товар відсутній
PMN.1M.308.LLMTALEMOStandard Circular Connector Receptacle Size 1 8 Contacts Blue
товар відсутній
PMN.1M.308.XLMTLEMODescription: CONN RCPT FMALE 8POS GOLD CRIMP
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Color: Gray
Current Rating (Amps): 5A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Shielding: Shielded
Number of Positions: 8
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 308
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Fastening Type: Threaded
Termination: Crimp
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Cable Opening: 0.382" (9.70mm)
Contact Finish - Mating: Gold
Part Status: Active
Shell Material: Aluminum Alloy
Shell Finish: Nickel
Primary Material: Metal
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3850.56 грн
PMN.1M.308.XLMTLEMOStandard Circular Connector 8P FIX RCPT FEM CRMP ANITIVIBE SQ FLANGE
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4351.55 грн
PMN.2M.308.XLMTLEMOStandard Circular Connector
товар відсутній
PMN.2M.310.XLMTLEMOStandard Circular Connector
товар відсутній
PMN.2M.312.LLMTALEMOStandard Circular Connector Receptacle Size 2 12 Contacts Blue
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMN.2M.312.XLMTLEMOStandard Circular Connector 12P RCPT FEM CRIMP ANITIVIBE SQ FLANGE
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6452.09 грн
5+ 6170.78 грн
10+ 5204.32 грн
25+ 5041.3 грн
50+ 4715.99 грн
100+ 4455.88 грн
250+ 4325.46 грн
PMN.2M.312.XLMTLEMODescription: CONN INLINE RCPT 12SKT CRIMP
товар відсутній
PMN.2M.319.XLMTLEMOStandard Circular Connector 19P FIX RCP FEM CRMP ANITIVIBE SQ FLANGE
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMN.2M.319.XLMTLEMODescription: CONN INLINE RCPT 19SKT CRIMP
товар відсутній
PMN.2M.514.XLMT6LEMOStandard Circular Connector RECPT CdN 8 CTS CAT6 6mm Max Cbl Out Dia
товар відсутній
PMN.2M.514.XLMT6LEMODescription: CABLE MOUNT RECEPTACLE CAT6
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Color: Silver
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Shielding: Shielded
Number of Positions: 14
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 514
Operating Temperature: -20°C ~ 200°C
Fastening Type: Threaded
Termination: Crimp
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Gold
Part Status: Active
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Nickel
Primary Material: Metal
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7499.7 грн
10+ 6627.06 грн
PMN.2M.514.XLMT7LEMOStandard Circular Connector PLUG CdN 8 CTS CAT6 6mm Max Cbl Out Dia
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7480.81 грн
5+ 7123.97 грн
10+ 5915.81 грн
25+ 5689.04 грн
50+ 5499.21 грн
100+ 5195.63 грн
PMN.MM.304.XLMLEMOStandard Circular Connector
товар відсутній
PMN1-3F-3KPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товар відсутній
PMN1-3F-3KPanduitTerminals Metric Fork Terminal nylon insulated
товар відсутній
PMN1-3R-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG #M3
товар відсутній
PMN1-3R-3KPanduitTerminals Metric Ring Terminal nylon insulated
товар відсутній
PMN1-4R-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG #M4
товар відсутній
PMN1-5F-3KPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 18-22AWG M5 RED
товар відсутній
PMN1-5F-3KPanduitTerminals Metric Fork Terminal nylon insulated
товар відсутній
PMN1-5R-3KPanduitTerminals Metric Ring Terminal nylon insulated
товар відсутній
PMN1-5R-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG #M5
товар відсутній
PMN100EPAXNexperiaMOSFETs PMN100EPA/SOT457/SC-74
на замовлення 56233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.42 грн
14+ 23.83 грн
100+ 12.75 грн
1000+ 8.98 грн
3000+ 7.32 грн
9000+ 6.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN100EPAXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -10A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 276mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PMN100EPAXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -10A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 276mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN100EPAXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN100EPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.35 грн
6000+ 8.63 грн
9000+ 7.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN100EPAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN100EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.71 грн
500+ 9.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN100EPAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN100EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.63 грн
50+ 21.21 грн
100+ 14.71 грн
500+ 9.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
PMN100EPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
на замовлення 28363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
12+ 25.89 грн
100+ 15.54 грн
500+ 13.5 грн
1000+ 9.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMN12National Marker CompanyDescription: 12" SINGLE CHARACTER STENCIL, NU
Packaging: Box
Style: Individual Character Stencil
Type: Number Set 0 ~ 9
Part Status: Active
Height (Inches): 12
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11931.03 грн
PMN120ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN120ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
17+ 18.79 грн
100+ 11.28 грн
500+ 9.8 грн
1000+ 6.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
PMN120ENEAXNEXPERIAP-Channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMN120ENEXNexperia USA Inc.Description: PMN120ENE - 60V, N-CHANNEL TRENC
товар відсутній
PMN120ENEXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 2.4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN120ENEXNexperiaMOSFET PMN120ENE SC-74
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMN120ENEXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 10A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.4nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 246mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
PMN120ENEXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 10A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.4nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 246mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN15ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN15ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.4 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.23 грн
28+ 29.34 грн
100+ 17.8 грн
500+ 12.38 грн
1000+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 22
PMN15ENEXNexperiaMOSFET PMN15ENE/SOT457/SC-74
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.99 грн
12+ 28.16 грн
100+ 16.66 грн
500+ 12.53 грн
1000+ 9.71 грн
3000+ 8.26 грн
9000+ 7.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN15ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.94 грн
19+ 16.38 грн
100+ 9.83 грн
500+ 8.53 грн
1000+ 6.01 грн
Мінімальне замовлення: 15
PMN15ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN15ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.4 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 667mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.8 грн
500+ 12.38 грн
1000+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN15ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
товар відсутній
PMN15UN,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 8A SC-74
товар відсутній
PMN15UN,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 8A SC-74
товар відсутній
PMN15UN,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 8A SC-74
товар відсутній
PMN15UN115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2404+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 2404
PMN16XNEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V
на замовлення 21329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.3 грн
17+ 18.64 грн
100+ 11.19 грн
500+ 9.73 грн
1000+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
PMN16XNEXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 4.4A; Idm: 28A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.4A
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 29mΩ
Drain-source voltage: 20V
товар відсутній
PMN16XNEXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 4.4A; Idm: 28A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.4A
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 29mΩ
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN16XNEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN16XNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.015 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.19 грн
500+ 7.55 грн
1500+ 6.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN16XNEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.74 грн
6000+ 6.22 грн
9000+ 5.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN16XNEXNexperiaMOSFETs PMN16XNE/SOT457/SC-74
на замовлення 11530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.56 грн
16+ 21.33 грн
100+ 10.29 грн
1000+ 7.03 грн
3000+ 6.16 грн
9000+ 5.58 грн
24000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
PMN16XNEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN16XNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.015 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.22 грн
50+ 18.21 грн
100+ 12.19 грн
500+ 7.55 грн
1500+ 6.83 грн
Мінімальне замовлення: 34
PMN16XNEXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN2-3F-3KPanduitTerminals Metric Fork Terminal nylon insulated, 1
товар відсутній
PMN2-3F-3KPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товар відсутній
PMN2-3R-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG #M3
товар відсутній
PMN2-5F-3KPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товар відсутній
PMN2-5F-3KPanduitTerminals Metric Fork Terminal nylon insulated, 1
товар відсутній
PMN2-5R-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.030" (0.76mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.970" (24.64mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
товар відсутній
PMN2-5R-3KPanduitTerminals Metric Ring Terminal nylon insulated, 1
товар відсутній
PMN20EN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 545mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
товар відсутній
PMN20EN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.7A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 545mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 2664
PMN20EN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 545mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
товар відсутній
PMN20ENAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 6.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.48 грн
11+ 28.45 грн
100+ 19.77 грн
500+ 14.48 грн
1000+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN20ENAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN20ENAX - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN20ENAXNEXPERIA40 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN20ENAXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 4.4A; Idm: 25A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
PMN20ENAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 6.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.64 грн
6000+ 10.64 грн
9000+ 9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN20ENAXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 4.4A; Idm: 25A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN22XN,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 5.7A SC-74
товар відсутній
PMN22XN,115NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 5.7A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN22XN,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 5.7A SC-74
товар відсутній
PMN230ENEAXNexperiaMOSFET PMN230ENEA/SOT457/SC-74
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
14+ 25 грн
100+ 9.06 грн
1000+ 6.67 грн
3000+ 5.29 грн
9000+ 4.56 грн
24000+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN230ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.01 грн
6000+ 5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN230ENEAXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.1A; Idm: 7.1A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 7.1A
Gate charge: 3.8nC
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 482mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній
PMN230ENEAXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.1A; Idm: 7.1A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 7.1A
Gate charge: 3.8nC
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 482mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN230ENEAXNEXPERIA60 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMN230ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+ 22.49 грн
100+ 11.37 грн
500+ 8.7 грн
1000+ 6.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN230ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN230ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.176 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 475mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.176ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+10.16 грн
97+ 8.45 грн
100+ 8.21 грн
500+ 5.06 грн
1000+ 3.83 грн
Мінімальне замовлення: 80
PMN230ENEXNexperia USA Inc.Description: PMN230ENE - 60 V, N-CHANNEL TREN
товар відсутній
PMN230ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN230ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.176 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 475mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.176ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.21 грн
500+ 5.06 грн
1000+ 3.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN230ENEXNexperiaMOSFET PMN230ENE SC-74
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.97 грн
14+ 24.83 грн
100+ 12.24 грн
500+ 8.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMN23UN
на замовлення 52600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMN23UN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN23UN,135NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 20V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN23UN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 11649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 2219
PMN23UN,165NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP
товар відсутній
PMN23UN,165NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 20V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN25EN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 15 V
товар відсутній
PMN25EN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 15 V
товар відсутній
PMN25EN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3328+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 3328
PMN25ENEAHNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
14+ 23.02 грн
100+ 13.81 грн
500+ 12 грн
1000+ 8.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN25ENEAHNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PMN25ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
13+ 24.38 грн
100+ 14.63 грн
500+ 12.72 грн
1000+ 8.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN25ENEAXNexperiaMOSFET 30V N-CHANNEL
товар відсутній
PMN25ENEAXNEXPERIA30 V, N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMN25ENEAXNEXPERIAPMN25ENEAX SMD N channel transistors
товар відсутній
PMN25ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN25ENEHNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN25ENEHNEXPERIAPMN25ENEH SMD N channel transistors
товар відсутній
PMN25ENEHNexperia USA Inc.Description: PMN25ENE/SOT457/SC-74
товар відсутній
PMN25ENEHNexperiaMOSFET PMN25ENE/SOT457/SC-74
товар відсутній
PMN25ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
13+ 24.15 грн
100+ 16.81 грн
500+ 12.32 грн
1000+ 10.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMN25ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN25ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.78 грн
28+ 29.34 грн
100+ 19.75 грн
500+ 13.89 грн
1000+ 8.22 грн
5000+ 8.08 грн
10000+ 7.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
PMN25ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN25ENEXNexperiaMOSFET PMN25ENE/SOT457/SC-74
на замовлення 25936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.99 грн
12+ 29.33 грн
100+ 19.06 грн
500+ 15.36 грн
1000+ 11.88 грн
3000+ 10.65 грн
6000+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN25ENEXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN25ENEXNEXPERIAPMN25ENEX SMD N channel transistors
товар відсутній
PMN25ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN25ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.75 грн
500+ 13.89 грн
1000+ 8.22 грн
5000+ 8.08 грн
10000+ 7.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN25UN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-74
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN25UN,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN25UN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-74
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3328+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3328
PMN27UNPHILIPSSOT363
на замовлення 11800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMN27UN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 2219
PMN27UN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN27UN,135NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 20V 5.7A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN27UP
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMN27UP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN27UP,115NexperiaMOSFET P-CH -20 V -5.7 A
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMN27UP,115NEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 5.7A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN27UP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN27UP,115-NXPNXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN27UPHNexperiaMOSFET 20V 5.7A P-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMN27UPHNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
товар відсутній
PMN27XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN27XPE,115NexperiaMOSFET PMN27XPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMN27XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN27XPE,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN27XPE,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN27XPE115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN27XPEA,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN27XPEA,115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMN27XPEA,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 4.4A 20V
Packaging: Bulk
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 2664
PMN27XPEAXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 4.4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN27XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PMN27XPEAXNexperiaMOSFET 20V single P-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMN280ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+ 22.94 грн
100+ 11.58 грн
500+ 9.63 грн
1000+ 7.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN280ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 6000
PMN280ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.51 грн
500+ 7.92 грн
1000+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN280ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN280ENEAXNexperiaMOSFETs PMN280ENEA/SOT457/SC-74
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+7.61 грн
9000+ 6.42 грн
24000+ 5.22 грн
45000+ 5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN280ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN280ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.17 грн
71+ 11.54 грн
100+ 9.51 грн
500+ 7.92 грн
1000+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 62
PMN280ENEAXNEXPERIA100 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMN280ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
PMN28UNPHILIPSSOT363
на замовлення 19520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMN28UN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 16992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 1665
PMN28UN,165NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
товар відсутній
PMN28UNEXNexperiaMOSFET PMN28UNE/SOT457/SC-74
товар відсутній
PMN28UNEXNEXPERIA20 V, N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMN28UNEXNexperia USA Inc.Description: PMN28UNE - 20 V, N-CHANNEL TRENC
на замовлення 35468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3359+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 3359
PMN30ENEAHNexperiaMOSFET PMN30ENEA/SOT457/SC-74
товар відсутній
PMN30ENEAXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 3.8A; Idm: 22A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 22A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PMN30ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 5.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
13+ 23.4 грн
100+ 14.06 грн
500+ 12.22 грн
1000+ 8.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN30ENEAXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 3.8A; Idm: 22A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 22A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN30ENEAXNexperiaMOSFET PMN30ENEA/SOT457/SC-74
на замовлення 11723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.81 грн
14+ 24.58 грн
100+ 12.61 грн
1000+ 8.62 грн
3000+ 7.32 грн
9000+ 6.74 грн
24000+ 6.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN30ENEAXNexperia40 V N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
PMN30ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 5.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.47 грн
6000+ 7.81 грн
9000+ 7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN30ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.4 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 667mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13 грн
500+ 9.74 грн
1000+ 6.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN30ENEAXNexperia40 V N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
PMN30ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.4 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.39 грн
33+ 24.71 грн
100+ 13 грн
500+ 9.74 грн
1000+ 6.83 грн
Мінімальне замовлення: 22
PMN30ENEAXNEXPERIA40 V N-channel Trench MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMN30UNNexperiaNexperia PMN30UN/SOT457/SC-74
товар відсутній
PMN30UN115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL, MOSFET
на замовлення 597000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMN30UNE115NXPDescription: NXP - PMN30UNE115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6887+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 6887
PMN30UNE115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMN30UNE SMALL SIGN
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMN30UNEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.028 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.57 грн
500+ 7.62 грн
1000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN30UNEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 558 pF @ 10 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+ 22.19 грн
100+ 11.19 грн
500+ 8.57 грн
1000+ 6.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN30UNEXNexperiaMOSFET PMN30UNE/SOT457/SC-74
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
14+ 25.16 грн
100+ 9.06 грн
1000+ 6.74 грн
3000+ 5.22 грн
9000+ 4.56 грн
24000+ 4.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN30UNEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.028 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.99 грн
30+ 27.72 грн
100+ 10.57 грн
500+ 7.62 грн
1000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 21
PMN30UNEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 558 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN30UNHNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNH - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 6000
PMN30UNHNexperiaMOSFET PMN30UN/SOT457/SC-74
на замовлення 16889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.68 грн
15+ 22.66 грн
100+ 12.24 грн
1000+ 6.45 грн
3000+ 5.72 грн
9000+ 5 грн
24000+ 4.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMN30UNHNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 530mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.7 грн
1000+ 4.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
PMN30UNHNexperia USA Inc.Description: PMN30UN/SOT457/SC-74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 5905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.59 грн
23+ 13.58 грн
100+ 6.85 грн
500+ 5.7 грн
1000+ 4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
PMN30UNHNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.49 грн
49+ 16.66 грн
114+ 7.14 грн
500+ 5.7 грн
1000+ 4.41 грн
Мінімальне замовлення: 35
PMN30UNHNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN30UNHNexperia USA Inc.Description: PMN30UN/SOT457/SC-74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN30UNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN30UNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.75 грн
500+ 7.32 грн
1000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN30UNXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN30UNXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN30UNXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PMN30UNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.81 грн
35+ 23.49 грн
100+ 9.75 грн
500+ 7.32 грн
1000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
PMN30UNXNexperiaMOSFET PMN30UN/SOT457/SC-74
на замовлення 7334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.68 грн
16+ 21.33 грн
100+ 8.26 грн
1000+ 6.45 грн
3000+ 5.36 грн
9000+ 5 грн
24000+ 4.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMN30UNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 5639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
17+ 18.11 грн
100+ 9.11 грн
500+ 7.58 грн
1000+ 5.9 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMN30UNXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN30XPNexperiaNXP Semiconductors
товар відсутній
PMN30XPAXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 5.2A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN30XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN30XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.16 грн
6000+ 8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN30XPAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.83 грн
27+ 30.4 грн
100+ 15.12 грн
500+ 11.25 грн
1000+ 7.73 грн
Мінімальне замовлення: 21
PMN30XPAXNEXPERIAPMN30XPAX SMD P channel transistors
товар відсутній
PMN30XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN30XPAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.12 грн
500+ 11.25 грн
1000+ 7.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN30XPAXNexperiaMOSFET PMN30XPA/SOT457/SC-74
на замовлення 16366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
12+ 27.83 грн
100+ 13.48 грн
1000+ 9.13 грн
3000+ 8.04 грн
9000+ 7.25 грн
24000+ 7.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN30XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.7 грн
12+ 25.36 грн
100+ 15.22 грн
500+ 13.23 грн
1000+ 9 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN30XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN30XPEAXNexperiaMOSFETs PMN30XPEA/SOT457/SC-74
на замовлення 15582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.41 грн
15+ 22.66 грн
100+ 16.88 грн
1000+ 16.59 грн
3000+ 8.33 грн
9000+ 7.61 грн
24000+ 7.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
PMN30XPEAXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN30XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.026 ohm, SC-74, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.5 грн
500+ 13.06 грн
1000+ 6.62 грн
2000+ 6.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN30XPEAXNEXPERIAPmn30Xpea 20 V, P Channel Trench Mosfet End us
товар відсутній
PMN30XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.026 ohm, SC-74, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.88 грн
34+ 24.3 грн
100+ 16.5 грн
500+ 13.06 грн
1000+ 6.62 грн
2000+ 6.27 грн
Мінімальне замовлення: 20
PMN30XPEXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -21A
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -21A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN30XPEXNexperiaMOSFET PMN30XPE/SOT457/SC-74
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.31 грн
12+ 29.91 грн
100+ 14.49 грн
1000+ 9.85 грн
3000+ 8.62 грн
9000+ 7.75 грн
24000+ 7.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMN30XPEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN30XPEXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -21A
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -21A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній
PMN30XPEXNEXPERIA20 V, P-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMN30XPEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.48 грн
12+ 26.04 грн
100+ 15.62 грн
500+ 13.57 грн
1000+ 9.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN30XPEXNexperia20 V, P-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMN30XPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.24 грн
9000+ 9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN30XPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.03 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.89 грн
50+ 22.92 грн
100+ 14.96 грн
500+ 9.66 грн
1500+ 8.71 грн
Мінімальне замовлення: 27
PMN30XPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.64 грн
6000+ 7.97 грн
9000+ 7.18 грн
30000+ 6.63 грн
75000+ 6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN30XPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.51 грн
9000+ 8.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN30XPXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 0.55W
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PMN30XPXNexperiaMOSFETs PMN30XP/SOT457/SC-74
на замовлення 208101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.42 грн
13+ 27.33 грн
100+ 13.19 грн
1000+ 9.06 грн
3000+ 7.39 грн
9000+ 7.17 грн
24000+ 7.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN30XPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.03 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.96 грн
500+ 9.66 грн
1500+ 8.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN30XPXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 0.55W
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PMN30XPXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN30XPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 149885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
13+ 23.92 грн
100+ 14.35 грн
500+ 12.47 грн
1000+ 8.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN34LNPHILIPSSOT163
на замовлення 18960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMN34LNNXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товар відсутній
PMN34LN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 20 V
на замовлення 10173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 2219
PMN34LN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 20 V
товар відсутній
PMN34UNNXP SemiconductorsMOSFET
товар відсутній
PMN34UN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP
товар відсутній
PMN34UN,135NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN34UN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP
товар відсутній
PMN34UPNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
PMN34UP,115NexperiaMOSFET 20V 5 A P-CH TRENCH MOSFET
товар відсутній
PMN34UP,115NEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN34UP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN34UP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN35EN,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
товар відсутній
PMN35EN,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN35EN,115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 211087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4808+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 4808
PMN35EN,125NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN35EN,125Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 15 V
товар відсутній
PMN35EN,125NexperiaMOSFET N-Chan 30V 5.1A
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMN35EN,125Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 15 V
товар відсутній
PMN35EN125NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 15 V
на замовлення 360642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+6.6 грн
Мінімальне замовлення: 3206
PMN37ENEXNexperia USA Inc.Description: PMN37ENE/SOT457/SC-74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN37ENEXNexperiaMOSFETs PMN37ENE/SOT457/SC-74
на замовлення 3109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.84 грн
15+ 22.75 грн
100+ 11.09 грн
1000+ 7.54 грн
3000+ 6.59 грн
9000+ 5.94 грн
24000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMN37ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN37ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.046 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.81 грн
31+ 26.98 грн
100+ 16.34 грн
500+ 11.32 грн
1000+ 6.9 грн
Мінімальне замовлення: 25
PMN37ENEXNexperia USA Inc.Description: PMN37ENE/SOT457/SC-74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
на замовлення 5422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
15+ 20.68 грн
100+ 12.42 грн
500+ 10.79 грн
1000+ 7.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMN37ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN37ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.046 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 667mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.34 грн
500+ 11.32 грн
1000+ 6.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN38EN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMN38EN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 25 V
товар відсутній
PMN38EN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 25 V
на замовлення 60300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 2219
PMN38EN,135NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 5.4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN38EN,165NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-74
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 25 V
товар відсутній
PMN38EN,165NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 5.4A 6-Pin TSOP
товар відсутній
PMN40ENAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.71 грн
6000+ 9.79 грн
9000+ 9.09 грн
30000+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN40ENAXNEXPERIA60 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 6000
PMN40ENAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.51 грн
500+ 14.11 грн
1000+ 8.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN40ENAXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; Idm: 17A
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Technology: Trench
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 3A
товар відсутній
PMN40ENAXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; Idm: 17A
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Technology: Trench
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 3A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN40ENAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.23 грн
26+ 31.29 грн
100+ 19.51 грн
500+ 14.11 грн
1000+ 8.78 грн
Мінімальне замовлення: 22
PMN40ENAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
12+ 26.11 грн
100+ 18.18 грн
500+ 13.32 грн
1000+ 10.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN40ENAXNexperiaMOSFET PMN40ENA/SOT457/SC-74
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.73 грн
10+ 33.75 грн
100+ 21.88 грн
500+ 17.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMN40ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.82 грн
6000+ 5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN40ENEXNexperiaMOSFET PMN40ENE/SOT457/SC-74
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.66 грн
13+ 26 грн
100+ 14.06 грн
500+ 9.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN40ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40ENEX - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+5.1 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMN40ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
17+ 18.04 грн
100+ 9.08 грн
500+ 7.55 грн
1000+ 5.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMN40LNPHILIPSSOT163
на замовлення 14600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMN40LN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-74
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 25 V
товар відсутній
PMN40LN,135NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 5.4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN40LN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-74
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 25 V
на замовлення 24547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 2219
PMN40SNAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
12+ 25.81 грн
100+ 17.92 грн
500+ 13.14 грн
1000+ 10.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN40SNAXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 4.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN40SNAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40SNAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.39 грн
28+ 29.67 грн
100+ 19.51 грн
500+ 14.19 грн
1000+ 8.85 грн
Мінімальне замовлення: 22
PMN40SNAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.56 грн
6000+ 9.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN40SNAXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; Idm: 19A
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Technology: Trench
On-state resistance: 76mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Drain current: 3A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN40SNAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40SNAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.51 грн
500+ 14.19 грн
1000+ 8.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN40SNAXNexperiaMOSFETs PMN40SNA/SOT457/SC-74
на замовлення 145198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.05 грн
13+ 26.91 грн
100+ 16.88 грн
500+ 13.11 грн
1000+ 10.72 грн
3000+ 9.27 грн
6000+ 8.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMN40SNAXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; Idm: 19A
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Technology: Trench
On-state resistance: 76mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Drain current: 3A
товар відсутній
PMN40UPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN40UPE,115NexperiaMOSFET PMN40UPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMN40UPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN40UPE,115NEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN40UPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 1480
PMN40UPE,115-NEXNexperia USA Inc.Description: TRANSISTOR
товар відсутній
PMN40UPEA,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40UPEA,115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 46497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN40UPEA115NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 46497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1202+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 1202
PMN40UPEAXNexperiaMOSFET 20V single P-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMN40UPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
товар відсутній
PMN40XPEAAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+30.1 грн
26+ 24.13 грн
100+ 16.33 грн
1000+ 9.07 грн
3000+ 6.98 грн
6000+ 6.49 грн
Мінімальне замовлення: 21
PMN40XPEAAXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.7A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN40XPEAAXNEXPERIA20 V, P-Channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMN40XPEAAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+25.99 грн
699+ 17.59 грн
1214+ 10.13 грн
3000+ 8.11 грн
6000+ 7.28 грн
Мінімальне замовлення: 473
PMN40XPEAAXNexperiaMOSFET PMN40XPEA/SOT457/SC-74
товар відсутній
PMN40XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, SC-74, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.01 грн
29+ 28.2 грн
100+ 17.15 грн
500+ 12.23 грн
1000+ 7.8 грн
Мінімальне замовлення: 21
PMN40XPEAXNexperiaMOSFET PMN40XPEA/SOT457/SC-74
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.42 грн
13+ 25.75 грн
100+ 15.29 грн
1000+ 9.56 грн
3000+ 8.11 грн
9000+ 7.68 грн
24000+ 7.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN40XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, SC-74, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.15 грн
500+ 12.23 грн
1000+ 7.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN40XPEAXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.7A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN42XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
на замовлення 55980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1776+12.3 грн
Мінімальне замовлення: 1776
PMN42XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN42XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN42XPE,115NexperiaMOSFET PMN42XPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
товар відсутній
PMN42XPE,115NEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN42XPEA,125Rochester Electronics, LLCDescription: 4A, 20V, 6-ELEMENT, P CHANNEL, S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMN42XPEAHNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+14.38 грн
57+ 10.72 грн
58+ 10.13 грн
100+ 8.7 грн
250+ 7.7 грн
500+ 7.05 грн
1000+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 43
PMN42XPEAHNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -16A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN42XPEAHNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+13.71 грн
60+ 10.22 грн
61+ 10.13 грн
100+ 7.2 грн
Мінімальне замовлення: 45
PMN42XPEAHNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
14+ 23.02 грн
100+ 16.05 грн
500+ 11.76 грн
1000+ 9.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMN42XPEAHNexperiaMOSFET PMN42XPEA/SOT457/SC-74
на замовлення 3758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.44 грн
13+ 27 грн
100+ 16.45 грн
500+ 12.9 грн
1000+ 10.43 грн
3000+ 8.84 грн
9000+ 8.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMN42XPEAHNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -16A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PMN42XPEAHNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN42XPEAHNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN42XPEAHNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.45 грн
6000+ 8.64 грн
9000+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN42XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PMN42XPEAXNexperiaMOSFET PMN42XPEA/SOT457/SC-74
на замовлення 89861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.44 грн
13+ 27.16 грн
100+ 16.45 грн
500+ 12.9 грн
1000+ 10.43 грн
3000+ 8.55 грн
9000+ 8.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMN42XPEAXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -16A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
PMN42XPEAXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN42XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+17.47 грн
43+ 14.19 грн
100+ 8.25 грн
250+ 7.56 грн
500+ 7.19 грн
1000+ 5.49 грн
3000+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 35
PMN42XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.51 грн
9000+ 5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN42XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
13+ 24.45 грн
100+ 17 грн
500+ 12.46 грн
1000+ 10.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMN42XPEAXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -16A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PMN45EN
на замовлення 52600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMN45EN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 25 V
на замовлення 450515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 1665
PMN45EN,135NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 5.2A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN45EN,165NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP
товар відсутній
PMN48XPNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
PMN48XP
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMN48XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
10+ 30.26 грн
100+ 21.05 грн
500+ 15.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMN48XP,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN48XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.048 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.38 грн
23+ 36.41 грн
100+ 23.08 грн
500+ 16.68 грн
1000+ 12.75 грн
5000+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 19
PMN48XP,115NexperiaMOSFET PMN48XP/SOT457/SC-74
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.31 грн
11+ 33.16 грн
100+ 20.07 грн
500+ 15.72 грн
1000+ 13.19 грн
3000+ 10 грн
9000+ 8.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMN48XP,115NEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN48XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN48XP,115NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -20A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 13nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN48XP,115NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -20A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 13nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
товар відсутній
PMN48XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN48XP,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN48XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.048 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.08 грн
500+ 16.68 грн
1000+ 12.75 грн
5000+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN48XP,125NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -20A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 13nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN48XP,125Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
10+ 30.26 грн
100+ 21.05 грн
500+ 15.42 грн
1000+ 12.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMN48XP,125NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -20A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 13nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
товар відсутній
PMN48XP,125NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN48XP,125Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.4 грн
6000+ 11.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN48XP,125NexperiaMOSFET PMN48XP/SOT457/SC-74
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.07 грн
10+ 33.66 грн
100+ 20.36 грн
500+ 15.87 грн
1000+ 12.97 грн
3000+ 10.65 грн
9000+ 8.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMN48XP,125NEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN48XPA,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN48XPA115NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN48XPA2XNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN48XPA2XNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN48XPA2XNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN48XPA2X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.037 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN48XPA2XFairchild SemiconductorDescription: PMN48XP-CHANNTRENMOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
PMN48XPA2XNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN48XPA2X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.037 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.69 грн
53+ 15.61 грн
100+ 9.67 грн
Мінімальне замовлення: 44
PMN48XPA2XNexperiaMOSFET PMN48XPA2/SOT457/SC-74
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.57 грн
12+ 28.83 грн
100+ 17.75 грн
500+ 13.84 грн
1000+ 11.23 грн
3000+ 9.35 грн
9000+ 8.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN48XPA2XNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 4.4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN48XPA2XNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.48 грн
11+ 28.53 грн
100+ 19.82 грн
500+ 14.52 грн
1000+ 11.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN48XPA2XNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN48XPA2X - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN48XPAXNexperiaMOSFET PMN48XPA/SOT457/SC-74
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
11+ 30.75 грн
100+ 18.62 грн
500+ 14.56 грн
1000+ 11.81 грн
3000+ 10.22 грн
9000+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN48XPAXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 4.1A Automotive 6-Pin TSOP
товар відсутній
PMN48XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A Automotive 6-Pin TSOP
товар відсутній
PMN48XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.05 грн
11+ 29.96 грн
100+ 20.81 грн
500+ 15.25 грн
1000+ 12.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMN48XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A Automotive 6-Pin TSOP
товар відсутній
PMN48XPAXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -20A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 13nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN48XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN48XPAXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -20A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 13nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
товар відсутній
PMN48XPAXNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMN48XP - 20V, P-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN49EN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMN49EN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-74
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 58959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2420+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 2420
PMN49EN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-74
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
товар відсутній
PMN49EN,165NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
товар відсутній
PMN50EPEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.035 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMN50EPEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.035 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.69 грн
50+ 31.86 грн
100+ 24.95 грн
500+ 14.64 грн
1500+ 13.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
PMN50EPEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
товар відсутній
PMN50EPEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.035 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMN50EPEXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -19A
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -19A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній
PMN50EPEXNexperiaMOSFET PMN50EPE/SOT457/SC-74
товар відсутній
PMN50EPEXNEXPERIA30 V, P-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMN50EPEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.035 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.95 грн
500+ 14.64 грн
1500+ 13.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN50EPEXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -19A
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -19A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN50EPEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
10+ 30.57 грн
100+ 21.23 грн
500+ 15.56 грн
1000+ 12.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMN50UPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN50UPE,115NexperiaMOSFET PMN50UPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMN50UPE,115NEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN50UPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN50XP
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMN50XPNXP SemiconductorsMOSFETs
товар відсутній
PMN50XP /T2NXP SemiconductorsMOSFETs TRENCH 30V G3-TAPE2 REVERSE
товар відсутній
PMN50XP,165NexperiaMOSFETs TRENCH 30V G3-TAPE2
товар відсутній
PMN50XP,165NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-74
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 20 V
товар відсутній
PMN50XP,165NXP SemiconductorsTrans MOSFET P-CH 20V 4.8A 6-Pin TSOP
товар відсутній
PMN5118UPFlex Power ModulesDescription: DC DC CONVERTER 0.7-3.6V 108W
товар відсутній
PMN5118UPFlex Power ModulesNon-Isolated DC/DC Converters 0.7-3.6V 30A Non-Iso Input 4.5-5.5V 108W
товар відсутній
PMN5118USEricsson Power ModulesNon-Isolated DC/DC Converters .7-3.6 Vdc 30A Iso Input 4.5-5.5V 108W
товар відсутній
PMN5118USRFlex Power ModulesNon-Isolated DC/DC Converters 0.7-3.6V 30A Non-Iso Input 4.5-5.5V 108W
товар відсутній
PMN5118USRFlex Power ModulesDescription: DC DC CONVERTER 0.7-3.6V 108W
товар відсутній
PMN52XP115NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 636000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3723+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3723
PMN52XPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN52XPXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.3A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -15A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
On-state resistance: 91mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PMN52XPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN52XPXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.3A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -15A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
On-state resistance: 91mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PMN52XPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN52XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.03 грн
500+ 8.38 грн
1000+ 5.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN52XPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.55 грн
6000+ 8.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN52XPXNexperiaMOSFET PMN52XP/SOT457/SC-74
на замовлення 14284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.32 грн
16+ 21.83 грн
100+ 10.36 грн
1000+ 7.25 грн
3000+ 6.23 грн
24000+ 5.58 грн
45000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMN52XPXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN52XPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN52XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.37 грн
34+ 24.14 грн
100+ 12.03 грн
500+ 8.38 грн
1000+ 5.21 грн
Мінімальне замовлення: 26
PMN52XPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 10 V
на замовлення 5491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.86 грн
16+ 19.25 грн
100+ 11.55 грн
500+ 10.03 грн
1000+ 6.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
PMN52XPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.93 грн
6000+ 7.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN55ENENexperiaNexperia
товар відсутній
PMN55ENENexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN55ENEAXNEXPERIA60 V, N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMN55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.6A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
PMN55ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 3.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.56 грн
6000+ 6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN55ENEAXNexperiaMOSFET PMN55ENEA/SOT457/SC-74
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.21 грн
14+ 24.66 грн
100+ 11.95 грн
1000+ 8.19 грн
3000+ 6.96 грн
9000+ 6.38 грн
24000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMN55ENEAXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 14A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN55ENEAXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 14A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PMN55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.6A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
PMN55ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 3.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
15+ 20.98 грн
100+ 12.55 грн
500+ 10.91 грн
1000+ 7.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMN55ENEHNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+ 27.02 грн
100+ 17.29 грн
500+ 12.29 грн
1000+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
PMN55ENEHNexperiaMOSFET PMN55ENE/SOT457/SC-74
на замовлення 9455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.67 грн
11+ 31.16 грн
100+ 15.07 грн
1000+ 10.36 грн
3000+ 9.13 грн
9000+ 8.19 грн
24000+ 7.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMN55ENEHNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.2A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 14A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN55ENEHNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.2A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 14A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PMN55ENEHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+31.11 грн
27+ 22.79 грн
50+ 21.75 грн
100+ 10.73 грн
250+ 10.2 грн
500+ 10.09 грн
1000+ 7.44 грн
3000+ 7.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
PMN55ENEHNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
товар відсутній
PMN55ENEHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+24.29 грн
950+ 12.94 грн
960+ 12.81 грн
969+ 12.23 грн
1315+ 8.35 грн
3000+ 7.81 грн
Мінімальне замовлення: 506
PMN55ENEHNEXPERIA60 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMN55ENEHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN55ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN55ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.48 грн
12+ 25.89 грн
100+ 15.55 грн
500+ 13.51 грн
1000+ 9.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN55ENEXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN55ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN55ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
товар відсутній
PMN55ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN55ENEXNexperiaMOSFET PMN55ENE/SOT457/SC-74
товар відсутній
PMN55ENEXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.2A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 14A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN55ENEXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.2A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 14A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PMN55LN
на замовлення 52600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMN55LN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP
товар відсутній
PMN55LN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP
товар відсутній
PMN55LN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP
товар відсутній
PMN55LN,135NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN6-3R-2KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG #M3
товар відсутній
PMN6-4R-2KPanduitTerminals Metric Ring Terminal nylon insulated, 2
товар відсутній
PMN6-5F-2KPanduitTerminals Metric Fork Terminal nylon insulated, 4
товар відсутній
PMN6-5F-2KPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товар відсутній
PMN6-5R-2KPanduitTerminals Metric Ring Terminal nylon insulated, 4
товар відсутній
PMN6-5R-2KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP
товар відсутній
PMN70EPEXNexperiaMOSFETs PMN70EPE/SOT457/SC-74
на замовлення 14260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.95 грн
17+ 20.58 грн
100+ 11.88 грн
1000+ 8.04 грн
3000+ 6.59 грн
9000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 14
PMN70EPEXNexperia USA Inc.Description: PMN70EPE - 30 V, P-CHANNEL TRENC
товар відсутній
PMN70EPEXNEXPERIA30 V, P-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMN70XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN70XPE,115NEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN70XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN70XPE,115NexperiaMOSFET PMN70XPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
товар відсутній
PMN70XPE,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN70XPE,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 6000
PMN70XPEA115NXP USA Inc.Description: 3.2A, 20V, 6-ELEMENT, P CHANNEL,
на замовлення 86973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMN70XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V
на замовлення 86500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1065+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 1065
PMN70XPEAXNexperiaMOSFET 20V single P-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMN70XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN70XPEAX - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 86500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN70XPEAXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN70XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN70XPXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2A; Idm: -13A
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Technology: Trench
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 7.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -13A
Drain current: -2A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN70XPXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2A; Idm: -13A
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Technology: Trench
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 7.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -13A
Drain current: -2A
товар відсутній
PMN70XPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 10909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
15+ 20.83 грн
100+ 10.5 грн
500+ 8.73 грн
1000+ 6.8 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMN70XPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.73 грн
6000+ 6.34 грн
9000+ 5.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN70XPXNexperiaMOSFET PMN70XP/SOT457/SC-74
на замовлення 51342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.81 грн
15+ 23.66 грн
100+ 9.13 грн
1000+ 7.17 грн
3000+ 5.72 грн
9000+ 5.51 грн
24000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN80XP,115NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 6TSOP
товар відсутній
PMN80XP,115NEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN80XP,115NexperiaMOSFET 20V Single P-channel Trench MOSFET
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMN8118UWPEricsson Power ModulesNon-Isolated DC/DC Converters 0.7-3.6V 30A Non-Iso Input 5.5-14V 108W
товар відсутній
PMN8118UWPERICSSONDIP 11+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMN8118UWSEricsson Power ModulesNon-Isolated DC/DC Converters .7-3.6 Vdc 30A Iso Input 4.5-5.5V 108W
товар відсутній
PMN8118UWSR
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PMN8118UWSREricsson Power ModulesNon-Isolated DC/DC Converters 0.7-3.6V 30A Non-Iso Input 5.5-14V 108W
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMNF1-3F-3KPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.790" (20.06mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMNF1-3F-3KPanduitTerminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl
на замовлення 9176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.63 грн
10+ 54.83 грн
100+ 43.11 грн
500+ 41.95 грн
1000+ 38.55 грн
6000+ 36.3 грн
9000+ 35.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
PMNF1-3F-CPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED
Features: Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.830" (21.08mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.78 грн
10+ 109.59 грн
25+ 106.78 грн
50+ 97.56 грн
100+ 94.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
PMNF1-3F-CPanduitTerminals METRIC FK TERML RED 0.5-1.5mm
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMNF1-3R-3KPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF1-3R-3KPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF1-3R-CPANDUITDescription: PANDUIT - PMNF1-3R-C - Ringkabelschuh, M3, #5, 18 AWG, 1 mm², PMNF, Rot
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
Leiterquerschnitt CSA: 1mm²
rohsCompliant: YES
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
Bolzengröße - metrisch: M3
euEccn: NLR
Leiterstärke (AWG), max.: 18AWG
Bolzengröße - imperial: #5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Isolatorfarbe: Rot
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMNF
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+125.98 грн
50+ 120.29 грн
100+ 114.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMNF1-3R-CPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.760" (19.30mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.7 грн
10+ 113.43 грн
100+ 104.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
PMNF1-3R-CPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.02 грн
10+ 123.32 грн
50+ 104.33 грн
100+ 101.43 грн
200+ 99.99 грн
500+ 98.54 грн
1000+ 92.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
PMNF1-3R-C.PANDUITDescription: PANDUIT - PMNF1-3R-C. - TERMINAL, RING TONGUE, #5, 18AWG, RED
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
Leiterquerschnitt CSA: 1mm²
rohsCompliant: YES
Isoliermaterial: Nylon (Polyamide)
Bolzengröße - metrisch: M3
euEccn: NLR
Leiterstärke (AWG), max.: 18AWG
Bolzengröße - imperial: #5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Isolatorfarbe: Red
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMNF Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.61 грн
10+ 137.36 грн
25+ 134.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
PMNF1-3R-XPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF1-3R-XPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF1-4F-3KPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товар відсутній
PMNF1-4F-CPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товар відсутній
PMNF1-4R-CPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG M4 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M4 Stud
Length - Overall: 0.850" (21.59mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.310" (7.87mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Obsolete
товар відсутній
PMNF1-4R-XPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF1-5F-3KPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товар відсутній
PMNF1-5F-3KPanduitTerminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF1-5F-CPanduitTerminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMNF1-5F-CPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 18-22AWG M5 RED
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.91 грн
10+ 112.3 грн
25+ 109.46 грн
50+ 100.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
PMNF1-5R-3KPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF1-5R-3KPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF1-5R-CPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.17 грн
10+ 126.65 грн
50+ 107.23 грн
100+ 101.43 грн
500+ 98.54 грн
1000+ 92.02 грн
2500+ 89.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
PMNF1-5R-CPanduitRing Tongue Terminal 16-20AWG Copper Red 21.84mm Tin Bottle
товар відсутній
PMNF1-5R-CPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.860" (21.84mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.7 грн
10+ 113.43 грн
25+ 110.58 грн
50+ 101.03 грн
100+ 98.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
PMNF1-5R-XPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF1-5R-XPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF2-3F-3KPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товар відсутній
PMNF2-3F-3KPanduitTerminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF2-3F-CPanduitTerminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMNF2-3F-CPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Features: Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active
товар відсутній
PMNF2-3R-3KPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF2-3R-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG M3 CRIMP
Features: Serrated Termination
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.760" (19.30mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMNF2-3R-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG M3 CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.760" (19.30mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.51 грн
10+ 49.66 грн
25+ 48.42 грн
50+ 44.37 грн
100+ 42.14 грн
500+ 41.03 грн
1000+ 37.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
PMNF2-3R-CPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG M3 CRIMP
товар відсутній
PMNF2-3R-CPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.87 грн
10+ 127.48 грн
50+ 107.96 грн
100+ 102.16 грн
500+ 99.26 грн
1000+ 93.46 грн
2500+ 89.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
PMNF2-3R-XPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF2-4F-3KPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товар відсутній
PMNF2-4F-CPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товар відсутній
PMNF2-4R-XPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF2-5F-3KPanduitTerminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF2-5F-3KPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товар відсутній
PMNF2-5F-CPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 14-16AWG M5 BLU
Packaging: Bulk
Features: Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.840" (21.34mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.338" (8.58mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.89 грн
10+ 122.87 грн
25+ 119.76 грн
50+ 109.41 грн
100+ 106.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
PMNF2-5F-CPanduitTerminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.02 грн
10+ 123.32 грн
50+ 104.33 грн
100+ 101.43 грн
200+ 97.81 грн
500+ 93.46 грн
1000+ 89.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
PMNF2-5R-3KPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF2-5R-3KPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF2-5R-CPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.26 грн
10+ 117.48 грн
50+ 99.99 грн
100+ 91.29 грн
200+ 89.84 грн
500+ 86.22 грн
1000+ 82.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
PMNF2-5R-CPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP
товар відсутній
PMNF2-5R-XPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF2-5R-XPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF2-6F-CPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 14-16AWG M6 BLU
Features: Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M6 Stud
Length - Overall: 1.031" (26.20mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.440" (11.18mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Obsolete
товар відсутній
PMNF2-6R-LPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG M6 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M6 Stud
Length - Overall: 1.043" (26.50mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.430" (10.92mm)
Contact Material: Electrolytic Copper
товар відсутній
PMNF2-6R-XPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF6-3R-2KPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF6-3R-2KPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF6-3R-LPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 1.050" (26.67mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Electrolytic Copper
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.59 грн
10+ 127.4 грн
25+ 123.9 грн
50+ 112.97 грн
100+ 109.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
PMNF6-3R-LPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF6-3R-XPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF6-3R-XPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF6-4F-LPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товар відсутній
PMNF6-4R-LPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF6-4R-XPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF6-5F-2KPanduitTerminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF6-5F-2KPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товар відсутній
PMNF6-5F-LPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL
Packaging: Bulk
Features: Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.059" (26.90mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.374" (9.50mm)
Contact Material: Copper
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
PMNF6-5F-LPanduitTerminals Metric Fork Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF6-5R-2KPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF6-5R-2KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.040" (26.42mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.380" (9.65mm)
Contact Material: Copper
товар відсутній
PMNF6-5R-LPanduitRing Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.04mm Tin Bottle
товар відсутній
PMNF6-5R-LPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP
Features: Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.065" (27.04mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.380" (9.65mm)
Contact Material: Brass
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.29 грн
10+ 131.7 грн
25+ 128 грн
50+ 116.71 грн
100+ 113.27 грн
500+ 109.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
PMNF6-5R-LPanduitTerminals NYL-RING 4-6MM M5
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.54 грн
10+ 135.81 грн
100+ 114.48 грн
500+ 110.85 грн
2500+ 107.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
PMNF6-5R-XPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP
Features: Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.065" (27.04mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.380" (9.65mm)
Contact Material: Electrolytic Copper
товар відсутній
PMNF6-5R-XPanduitTerminals Metric Ring Terminal funnel entry, nyl
товар відсутній
PMNF6-6F-LPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товар відсутній
PMNF6-6R-2KPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF6-6R-LPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG M6 CRIMP
Features: Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M6 Stud
Length - Overall: 1.190" (30.23mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.430" (10.92mm)
Contact Material: Electrolytic Copper
товар відсутній
PMNF6-8R-LPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNF6-8R-XPanduit CorpDescription: TERM RING FUNNEL ENTRY
товар відсутній
PMNN4434ARMotorolaDescription: RM SERIES STANDARD CAPACITY LI-I
Packaging: Box
Accessory Type: Battery
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5799.75 грн
PMNN4477ARMotorolaDescription: 800 MAH 3XAA NIMH REPLACEMENT BA
Packaging: Box
For Use With/Related Products: T400 Series
Accessory Type: Battery Pack
Part Status: Active
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2194.5 грн
PMNN4497MotorolaDescription: LITHIUM ION BATTERY FOR CLS SERI
Packaging: Box
For Use With/Related Products: CLS Series
Accessory Type: Battery
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4362.35 грн