PMN30XPAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.81 грн |
| 6000+ | 8.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN30XPAX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMN30XPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660mW, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMN30XPAX за ціною від 6.9 грн до 38.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMN30XPAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN30XPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMN30XPAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 8V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN30XPAX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMN30XPA/SOT457/SC-74 |
на замовлення 16366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMN30XPAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN30XPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN30XPAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMN30XPAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PMN30XPAX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A Automotive 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PMN30XPAX | Виробник : NEXPERIA |
PMN30XPAX SMD P channel transistors |
товар відсутній |