на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 506+ | 24.06 грн |
| 950+ | 12.82 грн |
| 960+ | 12.69 грн |
| 969+ | 12.11 грн |
| 1315+ | 8.27 грн |
| 3000+ | 7.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN55ENEH Nexperia
Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V.
Інші пропозиції PMN55ENEH за ціною від 7.18 грн до 45.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMN55ENEH | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PMN55ENEH | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMN55ENE/SOT457/SC-74 |
на замовлення 9455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PMN55ENEH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PMN55ENEH | Виробник : NEXPERIA |
60 V, N-channel Trench MOSFET |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
PMN55ENEH | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.4A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
PMN55ENEH | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.2A; Idm: 14A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 14A Case: SC74; SOT457; TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
PMN55ENEH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
PMN55ENEH | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.2A; Idm: 14A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 14A Case: SC74; SOT457; TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |