PMN230ENEX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN230ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.176 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 475mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.176ohm
Description: NEXPERIA - PMN230ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.176 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.176ohm
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
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100+ | 10.63 грн |
118+ | 6.65 грн |
500+ | 4.94 грн |
1000+ | 3.48 грн |
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Технічний опис PMN230ENEX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN230ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.176 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 475mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.176ohm.
Інші пропозиції PMN230ENEX за ціною від 3.48 грн до 31.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
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PMN230ENEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN230ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.176 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 475mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.176ohm |
на замовлення 1389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PMN230ENEX | Виробник : Nexperia | MOSFET PMN230ENE SC-74 |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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PMN230ENEX | Виробник : Nexperia USA Inc. | Description: PMN230ENE - 60 V, N-CHANNEL TREN |
товар відсутній |