Продукція > IMW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4066.1 грн
30+ 3008.27 грн
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5140.2 грн
10+ 4606.84 грн
25+ 3871.91 грн
50+ 3738.59 грн
100+ 3605.28 грн
240+ 3470.51 грн
480+ 3437.19 грн
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+6088.84 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW120R007M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5862.57 грн
5+ 5496.82 грн
10+ 5130.25 грн
50+ 4678.52 грн
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товар відсутній
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005425447
товар відсутній
IMW120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товар відсутній
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3511.27 грн
50+ 3356.43 грн
100+ 3201.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005425449
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2350.75 грн
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+3082.68 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 800 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2388.09 грн
30+ 1906.63 грн
IMW120R014M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 89.3A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...20V
Pulsed drain current: 267.9A
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4227.48 грн
10+ 4043.15 грн
25+ 3836.69 грн
50+ 3503.74 грн
100+ 3064.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3115.73 грн
10+ 2737.11 грн
25+ 2238.08 грн
50+ 2163.46 грн
100+ 2088.83 грн
240+ 2014.2 грн
480+ 1920.74 грн
IMW120R014M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 89.3A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...20V
Pulsed drain current: 267.9A
Case: TO247
товар відсутній
IMW120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3925.52 грн
10+ 3754.35 грн
25+ 3562.64 грн
50+ 3253.47 грн
100+ 2846.06 грн
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2036.33 грн
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1699.17 грн
30+ 1047.78 грн
120+ 1016.01 грн
IMW120R020M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...20V
Pulsed drain current: 213A
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1971.21 грн
10+ 1726.42 грн
25+ 1400.52 грн
50+ 1357.05 грн
100+ 1313.58 грн
240+ 1225.19 грн
480+ 1126.65 грн
IMW120R020M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...20V
Pulsed drain current: 213A
Case: TO247
товар відсутній
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2192.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
IMW120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005448291
товар відсутній
IMW120R030M1HInfineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
товар відсутній
IMW120R030M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 150A
Case: TO247
товар відсутній
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1269.06 грн
25+ 1236.29 грн
50+ 1184.68 грн
100+ 1053.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMW120R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2026.26 грн
5+ 1947.42 грн
10+ 1868.58 грн
50+ 1609.07 грн
100+ 1368.25 грн
250+ 1253.3 грн
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1205.57 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1109.19 грн
25+ 1097.78 грн
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A Tube
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+786.12 грн
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1145.35 грн
25+ 1118.1 грн
50+ 1076.83 грн
100+ 968.55 грн
IMW120R030M1HXKSA1
Код товару: 164203		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1325.41 грн
10+ 1209.83 грн
25+ 943.34 грн
50+ 934.65 грн
100+ 887.55 грн
240+ 813.65 грн
480+ 786.84 грн
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1587.36 грн
9+ 1423.5 грн
10+ 1382.54 грн
240+ 1254.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1178.42 грн
25+ 1147.99 грн
50+ 1100.06 грн
100+ 977.88 грн
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1246.16 грн
30+ 971.5 грн
120+ 914.35 грн
510+ 777.64 грн
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1194.51 грн
25+ 1182.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
IMW120R030M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 150A
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1235.43 грн
25+ 1206.04 грн
50+ 1161.53 грн
100+ 1044.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+874.03 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1618.9 грн
10+ 1509.11 грн
25+ 1438.66 грн
50+ 1318.54 грн
100+ 1156.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1578.15 грн
10+ 1370.64 грн
25+ 1159.98 грн
50+ 1094.77 грн
100+ 1030.29 грн
240+ 997.68 грн
480+ 933.92 грн
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1503.26 грн
10+ 1401.32 грн
25+ 1335.89 грн
50+ 1224.36 грн
100+ 1073.89 грн
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1047.87 грн
30+ 618.97 грн
120+ 546.92 грн
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1690.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
IMW120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1234.87 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW120R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1517.46 грн
5+ 1409.36 грн
10+ 1301.26 грн
50+ 1140.39 грн
100+ 990.66 грн
IMW120R045M1Infineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMW120R045M1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
товар відсутній
IMW120R045M1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
On-state resistance: 59mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...20V
Pulsed drain current: 130A
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R045M1XKSA1
Код товару: 172225		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IMW120R045M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 228
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1705.21 грн
5+ 1636.93 грн
10+ 1567.85 грн
50+ 1353.22 грн
100+ 1153.68 грн
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1000.82 грн
10+ 844.05 грн
25+ 719.46 грн
50+ 718.01 грн
100+ 622.37 грн
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1683.62 грн
10+ 1535.33 грн
100+ 1334.61 грн
480+ 1121.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.37 грн
IMW120R045M1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
On-state resistance: 59mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...20V
Pulsed drain current: 130A
Case: TO247
товар відсутній
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1563.36 грн
10+ 1425.66 грн
100+ 1239.28 грн
480+ 1041.7 грн
IMW120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1464.04 грн
10+ 1242.12 грн
IMW120R060M1HInfineon TechnologiesInfineon SIC DISCRETE
товар відсутній
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
товар відсутній
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.53 грн
IMW120R060M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W; TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
On-state resistance: 113mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 76A
Case: TO247
товар відсутній
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+830.78 грн
30+ 481.31 грн
120+ 411.24 грн
510+ 380.04 грн
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+820.78 грн
10+ 743.23 грн
25+ 564.41 грн
100+ 539.78 грн
240+ 489.78 грн
480+ 475.29 грн
1200+ 438.34 грн
IMW120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001808368
товар відсутній
IMW120R060M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W; TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
On-state resistance: 113mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 76A
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R090M1HInfineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
товар відсутній
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+710.86 грн
30+ 406.72 грн
120+ 345.48 грн
510+ 310.25 грн
IMW120R090M1HXKSA1Infineon Technologies1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET
товар відсутній
IMW120R090M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 58W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 50A
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R090M1HXKSA1Infineon Technologies1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.15 грн
IMW120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+687.22 грн
10+ 610.75 грн
25+ 390.52 грн
100+ 347.05 грн
240+ 346.33 грн
480+ 341.98 грн
IMW120R090M1HXKSA1
Код товару: 182112		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IMW120R090M1HXKSA1Infineon Technologies1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET
товар відсутній
IMW120R090M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 58W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 50A
Case: TO247
товар відсутній
IMW120R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+659.98 грн
5+ 627.46 грн
10+ 594.95 грн
50+ 521.51 грн
100+ 453.53 грн
250+ 425.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001946184
товар відсутній
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+688.91 грн
10+ 649.07 грн
25+ 461.53 грн
100+ 418.06 грн
240+ 391.25 грн
480+ 334.73 грн
1200+ 319.52 грн
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP001946184
товар відсутній
IMW120R140M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W; TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 32A
Case: TO247
товар відсутній
IMW120R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+564.88 грн
5+ 502.3 грн
10+ 438.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMW120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+627.78 грн
10+ 518.57 грн
100+ 432.17 грн
IMW120R140M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W; TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 32A
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R220M1HInfineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMW120R220M1HInfineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
товар відсутній
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
товар відсутній
IMW120R220M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 416mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 21A
Case: TO247
товар відсутній
IMW120R220M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 416mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 21A
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R220M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+504.74 грн
5+ 443.78 грн
10+ 382.01 грн
50+ 344.91 грн
100+ 308.62 грн
250+ 299.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
товар відсутній
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.28 грн
30+ 375.3 грн
120+ 335.8 грн
510+ 278.06 грн
1020+ 250.25 грн
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+699.9 грн
10+ 591.58 грн
25+ 473.84 грн
100+ 428.92 грн
240+ 397.04 грн
480+ 340.53 грн
1200+ 325.32 грн
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+488.91 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A Tube
товар відсутній
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.9 грн
10+ 486.6 грн
100+ 370.24 грн
480+ 305.75 грн
1200+ 295.61 грн
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube
товар відсутній
IMW120R350M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 662mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 13A
Case: TO247
товар відсутній
IMW120R350M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 662mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 13A
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R350M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+457.59 грн
5+ 421.02 грн
10+ 384.44 грн
50+ 335.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+540.22 грн
10+ 490.84 грн
25+ 476.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMW120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.64 грн
30+ 243.65 грн
120+ 225.78 грн
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesIMW65R007M2HXKSA1
товар відсутній
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2855.2 грн
10+ 2089.45 грн
25+ 1920.59 грн
IMW65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товар відсутній
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1647.44 грн
10+ 1163.1 грн
25+ 1054.56 грн
100+ 875.98 грн
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1683.82 грн
10+ 1525.61 грн
25+ 1271.56 грн
100+ 1120.85 грн
240+ 1044.05 грн
480+ 976.67 грн
1200+ 931.75 грн
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A
товар відсутній
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A
товар відсутній
IMW65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A
товар відсутній
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1429.54 грн
10+ 1330.68 грн
25+ 1278.19 грн
50+ 1185.3 грн
100+ 1058.44 грн
IMW65R020M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1517.46 грн
5+ 1409.36 грн
10+ 1301.26 грн
50+ 1140.39 грн
100+ 959.31 грн
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesIMW65R020M2HXKSA1
товар відсутній
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1539.51 грн
10+ 1433.04 грн
25+ 1376.51 грн
50+ 1276.47 грн
100+ 1139.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1230.49 грн
10+ 1089.14 грн
25+ 1044.02 грн
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A
товар відсутній
IMW65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1342.32 грн
10+ 1188.16 грн
25+ 997.68 грн
50+ 967.25 грн
100+ 849.15 грн
240+ 848.43 грн
480+ 794.09 грн
IMW65R027M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 189W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IMW65R027M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 189W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1102.74 грн
30+ 654.39 грн
120+ 577.2 грн
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R027M1HXKSA1
Код товару: 193216		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1935.55 грн
8+ 1628.32 грн
10+ 1536.15 грн
50+ 1303.53 грн
100+ 1161.26 грн
200+ 1053.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1136.07 грн
10+ 1078.18 грн
25+ 788.29 грн
100+ 741.92 грн
240+ 739.02 грн
480+ 616.58 грн
IMW65R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1549.97 грн
5+ 1402.85 грн
10+ 1254.93 грн
50+ 1121.52 грн
100+ 994.14 грн
250+ 916.81 грн
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1597.6 грн
9+ 1382.54 грн
10+ 1321.09 грн
50+ 1165.28 грн
100+ 1024.1 грн
200+ 965.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1045.62 грн
10+ 962.36 грн
25+ 725.98 грн
100+ 683.23 грн
240+ 660.77 грн
480+ 631.07 грн
1200+ 567.31 грн
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+969.03 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW65R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1319.95 грн
5+ 1220.79 грн
10+ 1121.63 грн
50+ 984.16 грн
100+ 827.64 грн
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товар відсутній
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1059.63 грн
10+ 718.65 грн
100+ 548.01 грн
IMW65R039M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+930.63 грн
5+ 850.98 грн
10+ 770.51 грн
50+ 694.34 грн
100+ 621.43 грн
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+734.59 грн
10+ 719.6 грн
25+ 659.12 грн
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товар відсутній
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+629.35 грн
10+ 421.97 грн
100+ 420.31 грн
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+800.85 грн
Мінімальне замовлення: 16
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+643.26 грн
25+ 506.59 грн
100+ 423.85 грн
IMW65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+774.96 грн
25+ 709.82 грн
Мінімальне замовлення: 16
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+863.69 грн
10+ 584.91 грн
25+ 521.27 грн
100+ 422.42 грн
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A Tube
товар відсутній
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+863.04 грн
10+ 653.24 грн
25+ 505.72 грн
100+ 437.62 грн
240+ 436.89 грн
480+ 381.83 грн
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET
товар відсутній
IMW65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A Tube
товар відсутній
IMW65R048M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1252.39 грн
11+ 1214.17 грн
20+ 1181.56 грн
50+ 1112.33 грн
100+ 1008.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMW65R048M1HInfineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+628.89 грн
10+ 435.77 грн
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+833.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
IMW65R048M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.93 грн
5+ 519.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMW65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.52 грн
30+ 366.29 грн
IMW65R048M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IMW65R048M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+732.87 грн
10+ 652.41 грн
25+ 541.23 грн
100+ 469.5 грн
240+ 424.58 грн
480+ 392.7 грн
1200+ 348.5 грн
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A Tube
товар відсутній
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+778.26 грн
10+ 523.1 грн
25+ 464.85 грн
100+ 375.13 грн
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A Tube
товар відсутній
IMW65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET
товар відсутній
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+678.98 грн
21+ 609.34 грн
Мінімальне замовлення: 19
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+786.4 грн
10+ 683.92 грн
25+ 625.8 грн
100+ 542.34 грн
240+ 488.18 грн
IMW65R057M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+863.17 грн
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+846.89 грн
17+ 736.53 грн
25+ 673.94 грн
100+ 584.06 грн
240+ 525.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+601.59 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+726.95 грн
10+ 649.07 грн
25+ 486.16 грн
100+ 457.18 грн
240+ 433.27 грн
480+ 394.87 грн
1200+ 339.08 грн
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.24 грн
10+ 485.74 грн
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+856.15 грн
18+ 702.53 грн
50+ 638.01 грн
100+ 577.7 грн
200+ 518.45 грн
Мінімальне замовлення: 15
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.11 грн
10+ 489.93 грн
25+ 355.02 грн
100+ 309.38 грн
240+ 308.65 грн
480+ 298.51 грн
IMW65R072M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 94mΩ
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Case: TO247
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 69A
Mounting: THT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1165.52 грн
2+ 747.93 грн
4+ 707.17 грн
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R072M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 94mΩ
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Case: TO247
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 69A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1398.63 грн
2+ 932.04 грн
4+ 848.61 грн
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+641.11 грн
30+ 363.73 грн
120+ 307.79 грн
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R072M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+782.7 грн
5+ 675.42 грн
10+ 568.13 грн
50+ 492.08 грн
100+ 420.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.51 грн
10+ 409.13 грн
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+482.48 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+521.27 грн
Мінімальне замовлення: 24
IMW65R083M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.18 грн
5+ 328.36 грн
10+ 327.55 грн
50+ 303.4 грн
100+ 279.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товар відсутній
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+493.12 грн
27+ 464.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+572.26 грн
10+ 514.09 грн
25+ 392.7 грн
100+ 368.79 грн
480+ 318.79 грн
1200+ 273.15 грн
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.11 грн
10+ 457.9 грн
25+ 430.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMW65R107M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
IMW65R107M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW65R107M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+602.27 грн
5+ 540.5 грн
10+ 478.73 грн
50+ 420.38 грн
100+ 365.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
товар відсутній
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 37680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+419.19 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+539.29 грн
25+ 424.94 грн
100+ 330.39 грн
240+ 329.66 грн
480+ 261.56 грн
1200+ 245.62 грн
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.65 грн
30+ 317.56 грн
120+ 267.35 грн
510+ 226.84 грн
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+719.94 грн
21+ 589.88 грн
50+ 561.21 грн
100+ 496.73 грн
Мінімальне замовлення: 18
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
товар відсутній
IMWH170R1K0M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.8 грн
10+ 349.12 грн
25+ 286.92 грн
100+ 245.62 грн
240+ 231.85 грн
480+ 218.08 грн
1200+ 186.93 грн
IMWH170R450M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+544.37 грн
10+ 459.93 грн
25+ 362.99 грн
100+ 333.29 грн
240+ 313 грн
480+ 293.44 грн
1200+ 264.45 грн
IMWH170R650M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.03 грн
10+ 411.61 грн
25+ 337.63 грн
100+ 289.81 грн
240+ 273.15 грн
480+ 256.48 грн
1200+ 219.53 грн
IMWPAWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn, Alu, Rope, Cad
товар відсутній
IMWPAWSXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Cap, MW Plug Conn, Alu, SS Chain, Cad
на замовлення 16 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+1994.04 грн
10+ 1721.42 грн
25+ 1478.77 грн
50+ 1386.03 грн
100+ 1339.66 грн
250+ 1265.76 грн
500+ 1228.81 грн
IMWPBWFNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Ring, Cad
товар відсутній
IMWPBWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Cad
товар відсутній
IMWPBWGNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Ring, Cad
товар відсутній
IMWPBWGXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Cad
товар відсутній
IMWPBWSNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Ring, Cad
товар відсутній
IMWPBWSXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Cad
товар відсутній
IMWRAWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Rope, Cad
товар відсутній
IMWRAWGNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Cord, Ring, Cad
товар відсутній
IMWRBWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Brass, Rope, Cad
товар відсутній