на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2911.82 грн |
| 10+ | 2593.79 грн |
| 25+ | 2126.14 грн |
| 50+ | 2091 грн |
| 100+ | 1951.83 грн |
| 240+ | 1838.67 грн |
| 480+ | 1751.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW65R007M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMW65R007M2HXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IMW65R007M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 IMW65R007M2HXKSA1 |
товар відсутній |
||
 |
IMW65R007M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V |
товар відсутній |