IMW120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 800 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2316.64 грн |
| 30+ | 1849.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V, Power Dissipation (Max): 455W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 800 V.
Інші пропозиції IMW120R014M1HXKSA1 за ціною від 1863.27 грн до 4146.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005425449 |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 89.3A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...20V Pulsed drain current: 267.9A Case: TO247 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 89.3A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...20V Pulsed drain current: 267.9A Case: TO247 |
товар відсутній |