![IMW120R090M1HXKSA1 IMW120R090M1HXKSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4849/448_TO-247-3-AC-EP.jpg)
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies
![Infineon-IMW120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fd64376684](/images/adobe-acrobat.png)
Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 661.9 грн |
30+ | 508.87 грн |
120+ | 455.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IMW120R090M1HXKSA1 за ціною від 339.4 грн до 782.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IMW120R090M1HXKSA1 Код товару: 182112 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247 Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 18A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 58W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 50A Case: TO247 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247 Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 18A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 58W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 50A Case: TO247 |
товар відсутній |