![IMW65R048M1HXKSA1 IMW65R048M1HXKSA1](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO247-40.jpg)
IMW65R048M1HXKSA1 INFINEON
![Infineon-IMW65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85b4a66c0466](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 514.08 грн |
5+ | 503.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW65R048M1HXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMW65R048M1HXKSA1 за ціною від 368.89 грн до 817.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V |
на замовлення 1243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: TO247 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: TO247 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |