![IMW65R039M1HXKSA1 IMW65R039M1HXKSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2831/MFG_IMW65R039M1HXKSA1.jpg)
IMW65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies
![Infineon-IMW65R039M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e1ec64e3c7f](/images/adobe-acrobat.png)
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 580.11 грн |
30+ | 446 грн |
120+ | 413.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IMW65R039M1HXKSA1 за ціною від 411.17 грн до 902.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IMW65R039M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IMW65R039M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IMW65R039M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IMW65R039M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IMW65R039M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IMW65R039M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
IMW65R039M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |