IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 473.67 грн |
| 30+ | 364.07 грн |
| 120+ | 325.75 грн |
| 510+ | 269.74 грн |
| 1020+ | 242.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMW120R220M1HXKSA1 за ціною від 290.6 грн до 678.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3 |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMW120R220M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMW120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IMW120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IMW120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IMW120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IMW120R220M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9.5A On-state resistance: 416mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 37.5W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 21A Case: TO247 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IMW120R220M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9.5A On-state resistance: 416mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 37.5W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 21A Case: TO247 |
товар відсутній |