IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 304.56 грн |
| 30+ | 234.36 грн |
| 120+ | 217.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IMW120R350M1HXKSA1 за ціною від 284.34 грн до 526.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW120R350M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IMW120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IMW120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
| IMW120R350M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 4.7A On-state resistance: 662mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 13A Case: TO247 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| IMW120R350M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 4.7A On-state resistance: 662mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 13A Case: TO247 |
товар відсутній |