Продукція > DGD
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DGD0211C | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver TSOT25 T&R 3K | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0211CWT-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: TSOT-25 Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 1.8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 562462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0211CWT-7 | Diodes Zetex | Driver 1.9A 1-OUT Low Side Inv/Non-Inv 5-Pin TSOT-25 T/R | на замовлення 408000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0211CWT-7 | Diodes Inc | Driver 1.9A 1-OUT Low Side Inv/Non-Inv 5-Pin TSOT-25 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0211CWT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0211CWT-7 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 35ns Verzögerung, 4.5V-18V Versorgung, 1.9 A, TSOT25-5, -40°C bis 125°C tariffCode: 85412900 Sinkstrom: 1.8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25 Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 35ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 4474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0211CWT-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: TSOT-25 Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 1.8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 561000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0211CWT-7 | Diodes Zetex | Driver 1.9A 1-OUT Low Side Inv/Non-Inv 5-Pin TSOT-25 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0211CWT-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver TSOT25 T&R 3K | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0211CWT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0211CWT-7 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 35ns Verzögerung, 4.5V-18V Versorgung, 1.9 A, TSOT25-5, -40°C bis 125°C tariffCode: 85412900 Sinkstrom: 1.8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25 Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 35ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 4474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0211CWTQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0211CWTQ-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver TSOT25 T&R 3K | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0211CWTQ-7 | Diodes Zetex | 1.9A High Speed Single Gate Driver Automotive AEC-Q100 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0211CWTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25-5 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: TSOT-25 Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 1.8A Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 7117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0211CWTQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0211CWTQ-7 | Diodes Zetex | 1.9A High Speed Single Gate Driver Automotive AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0211CWTQ-7 | Diodes Inc | 1.9A High Speed Single Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0215 | Diodes Incorporated | Gate Drivers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0215WT-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: TSOT-25 (Type TH) Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 1.8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 49225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0215WT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0215WT-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 8243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0215WT-7 | Diodes Inc | Driver 1.9A 1-OUT High Side/Low Side 5-Pin TSOT-25 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0215WT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0215WT-7 - Gate-Treiber, Low-Side, IGBT, MOSFET, invertierend, nicht invertierend, 1 Kanal, TSOT-25-5, 4.5V-18V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25 Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 5Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 35ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0215WT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0215WT-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: TSOT-25 (Type TH) Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 1.8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0215WT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0215WT-7 - Gate-Treiber, Low-Side, IGBT, MOSFET, invertierend, nicht invertierend, 1 Kanal, TSOT-25-5, 4.5V-18V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25 Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 5Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 35ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0215WT-7 | Diodes Zetex | Driver 1.9A 1-OUT High Side/Low Side 5-Pin TSOT-25 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0216 | Diodes Incorporated | Gate Drivers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0216WT-7 | Diodes Inc | Driver 1.9A 1-OUT High Side/Low Side 5-Pin TSOT-25 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0216WT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0216WT-7 - Gate-Treiber, Low-Side, IGBT, MOSFET, invertierend, nicht invertierend, 1 Kanal, TSOT-25-5, 4.5V-18V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25 Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 5Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 35ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 3448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0216WT-7 | Diodes Zetex | Driver 1.9A 1-OUT High Side/Low Side 5-Pin TSOT-25 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0216WT-7 | Diodes Zetex | Driver 1.9A 1-OUT High Side/Low Side 5-Pin TSOT-25 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0216WT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0216WT-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: TSOT-25 (Type TH) Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 1.8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0216WT-7 | Diodes Zetex | Driver 1.9A 1-OUT High Side/Low Side 5-Pin TSOT-25 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0216WT-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0216WT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0216WT-7 - Gate-Treiber, Low-Side, IGBT, MOSFET, invertierend, nicht invertierend, 1 Kanal, TSOT-25-5, 4.5V-18V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25 Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 5Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 35ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 3448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0216WT-7 | Diodes Zetex | Driver 1.9A 1-OUT High Side/Low Side 5-Pin TSOT-25 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0216WT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0216WT-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: TSOT-25 (Type TH) Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 1.8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 115163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0227S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0227S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0227S8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0227S8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0227S8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0227S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0227S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 102500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0227S8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT Low Side 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0227S8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0227S8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0227S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0227S8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0280WT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0280WT-7 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Low-Side, IGBT, MOSFET, 5 Pin(s), TSOT-25 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25 Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 35ns Ausgabeverzögerung: 30ms Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0280WT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0280WT-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V Input Type: CMOS, TTL Supplier Device Package: TSOT-23-5 Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 15ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0280WT-7 | Diodes Zetex | Driver 2.5A 1-OUT High Side 5-Pin TSOT-25 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0280WT-7 | Diodes Inc | Driver 2.5A 1-OUT High Side 5-Pin TSOT-25 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0280WT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0280WT-7 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Low-Side, IGBT, MOSFET, 5 Pin(s), TSOT-25 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25 Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Bauform - Treiber: TSOT-25 Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 35ns Ausgabeverzögerung: 30ms Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0280WT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0280WT-7 | Diodes Zetex | Driver 2.5A 1-OUT High Side 5-Pin TSOT-25 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0280WT-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V Input Type: CMOS, TTL Supplier Device Package: TSOT-23-5 Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 15ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 13155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0280WT-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver TSOT25 T&R 3K | на замовлення 4318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0280WTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: HV GATE DRIVER TSOT25 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: TSOT-25 Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 15ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.8A Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0280WTQ-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver TSOT25 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0503FN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0503FN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0503FN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030 tariffCode: 85411000 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030 Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0503FN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 (Type TH) Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 113699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0503FN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0503FN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030 tariffCode: 85411000 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030 Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0503FN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0503FN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0503FN-7 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg 10-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0503FN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 (Type TH) Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0503FN-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 3839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0504FN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 (Type TH) Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0504FN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; gate driver Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver Case: WDFN3030-10 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0504FN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0504FN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030 tariffCode: 85411000 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030 Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 10Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0504FN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0504FN-7 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0504FN-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 4611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0504FN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; gate driver Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver Case: WDFN3030-10 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0504FN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 (Type TH) Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 23986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0504FN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0504FN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030 tariffCode: 85411000 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030 Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 10Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05062FN-7 | Diodes Inc | High Frequency Half-Bridge Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05062FN-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD05062FN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 8V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 12ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0506AFN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506AFN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506AFN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; -2÷1.5A Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: WDFN3030-10 Output current: -2...1.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 8...14V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0506AFN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506AFN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 8V ~ 14V Input Type: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 12ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 365631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506AFN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0506AFN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030 Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Bauform - Treiber: W-DFN3030 Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 96ns Ausgabeverzögerung: 22ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506AFN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0506AFN-7 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg 10-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0506AFN-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 4913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506AFN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0506AFN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; -2÷1.5A Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: WDFN3030-10 Output current: -2...1.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 8...14V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0506AFN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 8V ~ 14V Input Type: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 12ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506AFN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0506AFN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030 Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 96ns Ausgabeverzögerung: 22ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506AFN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506AM10-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: 10-MSOP Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 12ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 407500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506AM10-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0506AM10-13 - Gate-Treiber, Halbbrücke, MOSFET, nicht invertierend, 2 Kanäle, MSOP-10, 8V bis 14V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: MSOP Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 96ns Ausgabeverzögerung: 463ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506AM10-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0506AM10-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg 10-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0506AM10-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver MSOP-10 T&R 2.5K | на замовлення 15401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506AM10-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 95000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506AM10-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; MSOP10 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: MSOP10 Output current: -2...1.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 8...14V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0506AM10-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0506AM10-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: 10-MSOP Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 12ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 412217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506AM10-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0506AM10-13 - Gate-Treiber, Halbbrücke, MOSFET, nicht invertierend, 2 Kanäle, MSOP-10, 8V bis 14V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: MSOP Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 96ns Ausgabeverzögerung: 463ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD0506AM10-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506AM10-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; MSOP10 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: MSOP10 Output current: -2...1.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 8...14V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0506AM10-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506FN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0506FN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 (Type TH) Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 12ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0506FN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0506FN-7 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0506FN-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD0507A | Diodes Incorporated | Gate Drivers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; -2÷1.5A Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: WDFN3030-10 Output current: -2...1.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 8...14V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0507AFN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030 Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 23ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 Код товару: 193992 | Мікросхеми > Інші мікросхеми | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; -2÷1.5A Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: WDFN3030-10 Output current: -2...1.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 8...14V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 8V ~ 14V Input Type: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 18ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 8V ~ 14V Input Type: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 18ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0507AFN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030 Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 23ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0507FN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 8V ~ 14V Input Type: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 23ns, 18ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0507FN-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD0507FN-7 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05463FN-7 Код товару: 181488 | Мікросхеми > Інші мікросхеми | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
DGD05463FN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; -2.5÷1.5A Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: WDFN3030-10 Output current: -2.5...1.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 4.2...14V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05463FN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD05463FN-7 - Gate-Treiber, Halbbrücke, MOSFET, nicht invertierend, 2 Kanäle, W-DFN3030-10, 4.5V bis 14V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 10Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 96ns Ausgabeverzögerung: 463ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 3230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05463FN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 14V Input Type: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 12ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 341047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05463FN-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 3542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05463FN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD05463FN-7 - Gate-Treiber, Halbbrücke, MOSFET, nicht invertierend, 2 Kanäle, W-DFN3030-10, 4.5V bis 14V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Quellstrom: 1.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 10Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 96ns Ausgabeverzögerung: 463ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 3230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05463FN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05463FN-7 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05463FN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; -2.5÷1.5A Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: WDFN3030-10 Output current: -2.5...1.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 4.2...14V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05463FN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 14V Input Type: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 12ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 339000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05463FN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05463M10-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05463M10-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05463M10-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05463M10-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05463M10-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: 10-MSOP Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 12ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05463M10-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 4293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 0.3V ~ 60V Input Type: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 147854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 1 Mounting: SMD Case: VDFN10 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Output current: -2.5...1.5A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 25ns Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Supply voltage: 4.2...14V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05473FN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD05473FN-7 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, MOSFET, nicht invertierend, 2 Kanäle, W-DFN3030-10, 4.5V-14V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 10Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 23ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 0.3V ~ 60V Input Type: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FN-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 11057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 1 Mounting: SMD Case: VDFN10 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Output current: -2.5...1.5A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 25ns Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Supply voltage: 4.2...14V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05473FN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD05473FN-7 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, MOSFET, nicht invertierend, 2 Kanäle, W-DFN3030-10, 4.5V-14V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Quellstrom: 1.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 10Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 23ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FN-7 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05473FN-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FNQ-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Automotive AEC-Q100 10-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05473FNQ-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FNQ-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.7V ~ 14V Input Type: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: U-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 5271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FNQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 1 Mounting: SMD Case: U-DFN3030-10 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Output current: -2.5...1.5A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 25ns Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Supply voltage: 4.4...14V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05473FNQ-7 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Automotive 10-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05473FNQ-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Automotive AEC-Q100 10-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FNQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD05473FNQ-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 10 Pin(s), U-DFN3030 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 IC-Gehäuse / Bauform: U-DFN3030 Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 4.7V euEccn: NLR Bauform - Treiber: U-DFN3030 Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 23ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FNQ-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.7V ~ 14V Input Type: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: U-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FNQ-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Automotive AEC-Q100 10-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FNQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 1 Mounting: SMD Case: U-DFN3030-10 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Output current: -2.5...1.5A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 25ns Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Supply voltage: 4.4...14V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05473FNQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD05473FNQ-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 10 Pin(s), U-DFN3030 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 IC-Gehäuse / Bauform: U-DFN3030 Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 4.7V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 23ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05473FNQ-7-52 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Automotive AEC-Q100 10-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05473FNQ-7-52 | Diodes Incorporated | Description: HV Gate Driver U-DFN3030-10 T&R Packaging: Bulk Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.7V ~ 14V Input Type: CMOS, TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: U-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0547FN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 0.3V ~ 60V Input Type: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 12ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0547FN-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD0547FN-7 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD05791UFN-7 | Diodes Incorporated | Description: HV GATE DRIVER U-DFN3030-10 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 6.5V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V Supplier Device Package: U-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD05791UFN-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver U-DFN3030-10 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0579UFN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 6.5V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 6.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 36616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0579UFN-7 | Diodes Inc | High Frequency High-Side And Low-Side Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0579UFN-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 6.5V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 6.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0579UFN-7 | Diodes Zetex | High Frequency High-Side And Low-Side Gate Driver | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0579UFN-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver W-DFN3030-10 T&R 3K | на замовлення 8136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0579UFNQ-7 | Diodes Inc | HV Gate Driver W-DFN3030-10 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0579UFNQ-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver W-DFN3030-10 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0579UFNQ-7 | Diodes Incorporated | Description: HV GATE DRIVER W-DFN3030-10 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 7V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V Supplier Device Package: U-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0590A | Diodes Incorporated | Gate Drivers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0590AFU-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg 8-Pin VQFN EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0590AFU-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0590AFU-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), VQFN3030 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN3030 Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 16ns Ausgabeverzögerung: 17ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0590AFU-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRIDG QFN3030-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: V-QFN3030-8 (Type TH) Rise / Fall Time (Typ): 27ns, 29ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0590AFU-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0590AFU-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg 8-Pin VQFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0590AFU-7 Код товару: 188034 | Мікросхеми > Драйвери транзисторів | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
DGD0590AFU-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 9544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0590AFU-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0590AFU-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), VQFN3030 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN3030 Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 16ns Ausgabeverzögerung: 17ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0590AFU-7 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg 8-Pin VQFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0590AFU-7 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0590AFU-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRIDG QFN3030-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: V-QFN3030-8 (Type TH) Rise / Fall Time (Typ): 27ns, 29ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 15596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0590FU-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin VQFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0590FU-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0590FU-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0590FU-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), VQFN3030 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN3030 Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 16ns Ausgabeverzögerung: 17ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0590FU-7 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg 8-Pin VQFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0590FU-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALFBRD QFN3030-8 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: V-QFN3030-8 (Type TH) Rise / Fall Time (Typ): 27ns, 29ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 3.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 3A DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0590FU-7 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin VQFN EP T/R | на замовлення 594000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0590FU-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0590FU-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), VQFN3030 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN3030 Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 16ns Ausgabeverzögerung: 17ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0597FU-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 40 V Supplier Device Package: V-QFN3030-8 Rise / Fall Time (Typ): 7ns, 5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0597FU-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 40 V Supplier Device Package: V-QFN3030-8 Rise / Fall Time (Typ): 7ns, 5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A | на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0597FU-7 | Diodes Zetex | High-Frequency High-Side and Low-Side Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0597FU-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver V-QFN3030-8 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0597FUQ-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 40 V Supplier Device Package: V-QFN3030-8 Rise / Fall Time (Typ): 7ns, 5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0597FUQ-7 | Diodes Zetex | HV Gate Driver V-QFN3030-8 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0597FUQ-7 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver V-QFN3030-8 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0597FUQ-7 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 40 V Supplier Device Package: V-QFN3030-8 Rise / Fall Time (Typ): 7ns, 5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0636MS28-13 | Diodes Zetex | Driver 6-OUT High Side/Low Side Half Brdg 28-Pin SO T/R | на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0636MS28-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0636MS28-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0636MS28-13 - Gate-Treiber, 6 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 28 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 350mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 6Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 200mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 28Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 330ns Ausgabeverzögerung: 330ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0636MS28-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD0636MS28-13 - Gate-Treiber, 6 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 28 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 350mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 6Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 200mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 28Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 330ns Ausgabeverzögerung: 330ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD0636MS28-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V Supplier Device Package: 28-SO Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 35ns Channel Type: 3-Phase Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 6 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0636MS28-13 | Diodes Zetex | Driver 6-OUT High Side/Low Side Half Brdg 28-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0636MS28-13 | Diodes Inc | Driver 6-OUT High Side/Low Side Half Brdg 28-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0636S28-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRDG 28SO 1.5K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V Supplier Device Package: 28-SO Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 35ns Channel Type: 3-Phase Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 6 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0636S28-13 | Diodes Inc | Driver 6-OUT High Side/Low Side Half Brdg 28-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD0636S28-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD1003FTA-13 | Diodes Inc | Half-Bridge Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD1003FTA-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver V-DFN3035-8(Type A) T&R 5K | на замовлення 4878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD1003FTA-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD1003FTA-13 - MOSFET-Treiber Halbbrücke 680ns Verzögerung, 10V-20V Versorgung, 600mA, V-DFN3035-8, -40°C bis 125°C tariffCode: 85412900 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: V-DFN3035 Eingang: Invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD1003FTA-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 150 V Supplier Device Package: V-DFN3035-8 Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 4944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD1003FTA-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD1003FTA-13 - MOSFET-Treiber Halbbrücke 680ns Verzögerung, 10V-20V Versorgung, 600mA, V-DFN3035-8, -40°C bis 125°C tariffCode: 85412900 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: V-DFN3035 Eingang: Invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD1003FTA-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 150 V Supplier Device Package: V-DFN3035-8 Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD1503S8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600÷290mA Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 1 Supply voltage: 10...20V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 170ns Pulse fall time: 90ns Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD1503S8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD1503S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 250 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD1503S8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD1503S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 1926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD1503S8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD1503S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 250 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD1503S8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600÷290mA Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 1 Supply voltage: 10...20V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 170ns Pulse fall time: 90ns Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD1504 | Diodes Incorporated | Gate Drivers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD1504S8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600÷290mA Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 1 Supply voltage: 10...20V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 170ns Pulse fall time: 90ns Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD1504S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver SO-8 | на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD1504S8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD1504S8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: IGBT, MOSFET hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: 290 euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 70 Ausgabeverzögerung: 35 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD1504S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 250 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD1504S8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD1504S8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600÷290mA Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 1 Supply voltage: 10...20V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 170ns Pulse fall time: 90ns Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD1504S8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD1504S8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD1504S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 250 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 6412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD150P | SONY | 05+ | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2003S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Automotive 8-Pin SO T/R | на замовлення 542500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2003S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SO Type TH Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 157500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2003S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Automotive 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2003S8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2 Case: SO8 Mounting: SMD Output current: -600...290mA Operating temperature: -40...125°C Topology: MOSFET half-bridge Supply voltage: 10...20V DC Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of integrated circuit: gate driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2003S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 3364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2003S8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2 Case: SO8 Mounting: SMD Output current: -600...290mA Operating temperature: -40...125°C Topology: MOSFET half-bridge Supply voltage: 10...20V DC Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of integrated circuit: gate driver кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2003S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Automotive 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2003S8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Automotive 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2003S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SO Type TH Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 163244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2005S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 61729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2005S8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Output current: -600...290mA Operating temperature: -40...125°C Topology: MOSFET half-bridge Impulse rise time: 220ns Supply voltage: 10...20V Type of integrated circuit: driver Pulse fall time: 80ns Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2005S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2005S8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Output current: -600...290mA Operating temperature: -40...125°C Topology: MOSFET half-bridge Impulse rise time: 220ns Supply voltage: 10...20V Type of integrated circuit: driver Pulse fall time: 80ns Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2005S8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Automotive 8-Pin SO T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2005S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2012S8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Automotive 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2012S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2012S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2101MS8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2101MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2101MS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2101MS8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2101MS8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2101MS8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 1 Operating temperature: -40...125°C Output current: -600...290mA Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 170ns Pulse fall time: 90ns Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Mounting: SMD Case: SO8 Supply voltage: 10...20V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2101MS8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2101MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2101MS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 37012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2101MS8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 1 Operating temperature: -40...125°C Output current: -600...290mA Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 170ns Pulse fall time: 90ns Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Mounting: SMD Case: SO8 Supply voltage: 10...20V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2101S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | на замовлення 250030000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2101S8-13 | Diodes Inc | Driver 600V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2101S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | на замовлення 250030000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2101S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | на замовлення 250030000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2101S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers H-Bridge Gate Driver 290mA 600mA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD21032S8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD21032S8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21032S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21032S8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD21032S8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21032S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21032S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2103AS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2103AS8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers H-Bridge Gate Driver 290mA 600mA | на замовлення 2486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2103AS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2103AS8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2103AS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2103MS8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2103MS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 145356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2103MS8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; gate driver Operating temperature: -40...125°C Output current: -600...290mA Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of integrated circuit: gate driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Mounting: SMD Case: SO8 Supply voltage: 10...20V DC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2103MS8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; gate driver Operating temperature: -40...125°C Output current: -600...290mA Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of integrated circuit: gate driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Mounting: SMD Case: SO8 Supply voltage: 10...20V DC кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2103MS8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2103MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2103MS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 142500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2103MS8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2103MS8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2103S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers H-Bridge Gate Driver 290mA 600mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2103S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2103S8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2103S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2103S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104 | Diodes Incorporated | Gate Drivers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21042S8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21042S8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD21042S8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21042S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21042S8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD21042S8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21042S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2104AS8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers H-Bridge Gate Driver 290mA 600mA | на замовлення 747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2104AS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2104AS8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104AS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2104AS8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2104AS8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104M | Diodes Incorporated | Gate Drivers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2104MS8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104MS8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output current: -600...290mA Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of integrated circuit: gate driver Topology: IGBT half-bridge Case: SO8 Supply voltage: 10...20V DC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2406 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104MS8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104MS8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 3300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104MS8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 42500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104MS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 115056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104MS8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2104MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104MS8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2104MS8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104MS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104MS8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2104MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104MS8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output current: -600...290mA Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of integrated circuit: gate driver Topology: IGBT half-bridge Case: SO8 Supply voltage: 10...20V DC | на замовлення 2406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104S8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2104S8-13 - MOSFET- / IGBT-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: IGBT, MOSFET hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: 290 euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 680 Ausgabeverzögerung: 150 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2104S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2104S8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2104S8-13 - MOSFET- / IGBT-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V, SOIC-8 tariffCode: 85423990 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2104S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers H-Bridge Gate Driver 290mA 600mA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2104S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2104S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21064MS14-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRIDG 14SO 2.5K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 14-SO Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 112500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21064MS14-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21064MS14-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRIDG 14SO 2.5K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 14-SO Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 112500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21064S14-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2106MS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2106MS8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2106MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2106MS8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2106MS8-13 | DIODES INCORPORATED | DGD2106MS8-13 MOSFET/IGBT drivers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2106MS8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2106MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2106MS8-13 | Diodes Inc | HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8 (Type TH) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2106MS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2106S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2106S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers H-Bridge Gate Driver 290mA 600mA | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2106S8-13 | Diodes Inc | Driver 600V 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2106S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2106S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21084S14-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21084S14-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2108S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | на замовлення 250020000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2108S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers H-Bridge Gate Driver 290mA 600mA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2108S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | на замовлення 250020000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2108S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | на замовлення 250020000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2110 | Diodes Incorporated | Gate Drivers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2110S16-13 | Diodes Inc | Driver 2.5A 2-OUT High and Low Side 16-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2110S16-13 | Diodes Zetex | Driver 2.5A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2110S16-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 500 V Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 13ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2110S16-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; SO16; -2.5÷2.5A; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO16 Output current: -2.5...2.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 3.3...20V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2110S16-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; SO16; -2.5÷2.5A; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO16 Output current: -2.5...2.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 3.3...20V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2110S16-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers High-Side Low-Side 600V Gate Driver | на замовлення 1754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2110S16-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 500 V Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 13ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2113S16-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; SO16; -2.5÷2.5A; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO16 Output current: -2.5...2.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 3.3...20V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2113S16-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers High-Side Low-Side 600V Gate Driver | на замовлення 1311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2113S16-13 | Diodes Zetex | Driver 2.5A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2113S16-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 13ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 15865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2113S16-13 | Diodes Zetex | Driver 2.5A 2-OUT High and Low Side 16-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2113S16-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2113S16-13 - MOSFET- / IGBT-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V bis 20V, SOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 105ns Ausgabeverzögerung: 94ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2113S16-13 | Diodes Inc | Driver 2.5A 2-OUT High and Low Side 16-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2113S16-13 | Diodes Zetex | Driver 2.5A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2113S16-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 13ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2113S16-13 | Diodes Zetex | Driver 2.5A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2113S16-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; SO16; -2.5÷2.5A; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO16 Output current: -2.5...2.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 3.3...20V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2113S16-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2113S16-13 - MOSFET- / IGBT-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V bis 20V, SOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 105ns Ausgabeverzögerung: 94ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2117S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2117S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2117S8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2117S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2117S8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2117S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 212475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2117S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 212500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2117S8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2117S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2118S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2118S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2118S8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2118S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2136MS28-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 1258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2136MS28-13 | Diodes Zetex | Driver 6-OUT High Side/Low Side Half Brdg 28-Pin SO T/R | на замовлення 199500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2136MS28-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; gate driver; SO28; -350÷200mA; Ch: 1; 10÷20VDC Operating temperature: -40...125°C Mounting: SMD Number of channels: 1 Output current: -350...200mA Type of integrated circuit: driver Supply voltage: 10...20V DC Case: SO28 Kind of integrated circuit: gate driver кількість в упаковці: 1500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2136MS28-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2136MS28-13 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 28 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 350mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 200mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 330ns Ausgabeverzögerung: 330ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2136MS28-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; gate driver; SO28; -350÷200mA; Ch: 1; 10÷20VDC Operating temperature: -40...125°C Mounting: SMD Number of channels: 1 Output current: -350...200mA Type of integrated circuit: driver Supply voltage: 10...20V DC Case: SO28 Kind of integrated circuit: gate driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2136MS28-13 | Diodes Inc | Driver 6-OUT High Side/Low Side Half Brdg 28-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2136MS28-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 28-SO Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 35ns Channel Type: 3-Phase Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 6 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 527695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2136MS28-13 | Diodes Zetex | Driver 6-OUT High Side/Low Side Half Brdg 28-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2136MS28-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2136MS28-13 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 28 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 350mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 200mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 330ns Ausgabeverzögerung: 330ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2136MS28-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 28-SO Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 35ns Channel Type: 3-Phase Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 6 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 526500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2136S28-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 28-SO Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 35ns Channel Type: 3-Phase Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 6 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2136S28-13 | Diodes Zetex | Driver 6-OUT High Side/Low Side Half Brdg 28-Pin SO T/R | на замовлення 1411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2136S28-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers 3-phase HV Gate Driver | на замовлення 888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2136S28-13 | Diodes Zetex | Driver 6-OUT High Side/Low Side Half Brdg 28-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2136S28-13 | DIODES/ZETEX | Half-Bridge Driver; 3-Phase; 6 channels; Vmax 600V; Io+/Io- 200/350mA; tON/OFF 330/330ns; 10V~20V; -40°C ~ 150°C; DGD2136S28-13 UIDGD2136s28-13 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2181 | Diodes Incorporated | Gate Drivers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21814MS14-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 14-SO Type TH Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 169886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21814MS14-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SO T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21814MS14-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 14-SO Type TH Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 167500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21814MS14-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21814MS14-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21814S14-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21814S14-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SO T/R | на замовлення 42500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21814S14-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -2.3÷1.9A Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO14 Output current: -2.3...1.9A Number of channels: 1 Supply voltage: 10...20V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 60ns Pulse fall time: 35ns Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21814S14-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD21814S14-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC, Logik-ICs SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21814S14-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 14-SO Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21814S14-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21814S14-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21814S14-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SO T/R | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21814S14-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 14-SO Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21814S14-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD21814S14-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC, Logik-ICs Sinkstrom: 2.3 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Eingang: Logik-ICs Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Quellstrom: 1.9 Versorgungsspannung, min.: 10 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 180 Ausgabeverzögerung: 220 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21814S14-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -2.3÷1.9A Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO14 Output current: -2.3...1.9A Number of channels: 1 Supply voltage: 10...20V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 60ns Pulse fall time: 35ns Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2181MS8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2181MS8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2181MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 180ns Ausgabeverzögerung: 220ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2181MS8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2181MS8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2181MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 180ns Ausgabeverzögerung: 220ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2181MS8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A Mounting: SMD Output current: -2.3...1.9A Type of integrated circuit: driver Operating temperature: -40...125°C Case: SO8 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Number of channels: 2 Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Supply voltage: 10...20V DC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2181MS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Type TH Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2181MS8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A Mounting: SMD Output current: -2.3...1.9A Type of integrated circuit: driver Operating temperature: -40...125°C Case: SO8 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Number of channels: 2 Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Supply voltage: 10...20V DC кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2181MS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Type TH Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2181MS8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2181S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2181S8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2181S8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICs SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2181S8-13 | DIODES INCORPORATED | DGD2181S8-13 MOSFET/IGBT drivers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2181S8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2181S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2181S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers H-Bridge Gate Driver 290mA 600mA | на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2181S8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2181S8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICs Sinkstrom: 2.3 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Eingang: Logik-ICs Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Quellstrom: 1.9 Versorgungsspannung, min.: 10 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 180 Ausgabeverzögerung: 220 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2181S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 107927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2181S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2184 | Diodes Incorporated | Gate Drivers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21844MS14-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 14-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21844MS14-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 14-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21844MS14-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 14-SO Type TH Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.4A, 1.8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21844MS14-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 14-Pin SO T/R | на замовлення 82500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21844MS14-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21844MS14-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 14-SO Type TH Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.4A, 1.8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21844S14-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD21844S14-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 14-SO Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.4A, 1.8A DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21844S14-13 | Diodes Inc | Half- Bridge Gate Driver In So-14 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2184MS8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: SO8 Output current: -2.3...1.9A Number of channels: 1 Supply voltage: 10...20V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 60ns Pulse fall time: 35ns Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2184MS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Type TH Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.4A, 1.8A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2184MS8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: SO8 Output current: -2.3...1.9A Number of channels: 1 Supply voltage: 10...20V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 60ns Pulse fall time: 35ns Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2184MS8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2184MS8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2184MS8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2184MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.4A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 270ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2184MS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Type TH Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.4A, 1.8A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 21017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2184MS8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2184MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.4A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 270ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2184MS8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2184MS8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 2411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2184S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2184S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 62500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2184S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2184S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers H-Bridge Gate Driver 290mA 600mA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2184S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 62500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2184S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 62500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DGD2184S8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2190 | Diodes Incorporated | Gate Drivers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21904MS14-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRIDG 14SO 2.5K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 14-SO Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21904MS14-13 | Diodes Zetex | HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-14 (Type TH) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21904MS14-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRIDG 14SO 2.5K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 14-SO Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21904MS14-13 | Diodes Inc | HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-14 (Type TH) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21904MS14-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -4.5÷4.5A Case: SO14 Mounting: SMD Output current: -4.5...4.5A Operating temperature: -40...125°C Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Supply voltage: 10...20V DC Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21904MS14-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -4.5÷4.5A Case: SO14 Mounting: SMD Output current: -4.5...4.5A Operating temperature: -40...125°C Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Supply voltage: 10...20V DC Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21904MS14-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21904MS14-13 | Diodes Zetex | HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-14 (Type TH) | на замовлення 537500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD21904S14-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD21904S14-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 14-SO Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2190M | Diodes Incorporated | Gate Drivers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2190MS8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 140ns Ausgabeverzögerung: 140ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 14276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2190MS8-13 | Diodes Inc | HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8 (Type TH) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2190MS8-13 Код товару: 189625 | Мікросхеми > Драйвери транзисторів | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
DGD2190MS8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -4.5÷4.5A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Output current: -4.5...4.5A Operating temperature: -40...125°C Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Supply voltage: 10...20V Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 50ns Pulse fall time: 45ns Number of channels: 1 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2190MS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 19130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2190MS8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -4.5÷4.5A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Output current: -4.5...4.5A Operating temperature: -40...125°C Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Supply voltage: 10...20V Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 50ns Pulse fall time: 45ns Number of channels: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2190MS8-13 | Diodes Zetex | HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8 (Type TH) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2190MS8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 5372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2190MS8-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 140ns Ausgabeverzögerung: 140ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 14276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2190MS8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 19130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2190S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers H-Bridge Gate Driver 290mA 600mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2190S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2190S8-13 | Diodes Inc | Driver 600V 4.5A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2190S8-13 Код товару: 165746 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
DGD2304S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 940000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2304S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 1522500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2304S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 2530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2304S8-13 | Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2304S8-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 944786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2304S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 2530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2304S8-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | на замовлення 31807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2304S8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; gate driver Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2304S8-13 | Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2304S8-13 | DIODES INCORPORATED | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; gate driver Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2388MS20-13 | Diodes Zetex | Driver 6-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 20-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2388MS20-13 | Diodes Incorporated | Description: HV Gate Driver SO-20 T&R 1.5K Packaging: Bulk Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 20-SO Type TH Rise / Fall Time (Typ): 45ns, 25ns Channel Type: 3-Phase Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 6 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 420mA, 750mA Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 40490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2388MS20-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver SO-20 T&R 1.5K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD2388MS20-13 | Diodes Zetex | Driver 6-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 20-Pin SO T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DGD2388MS20-13 | Diodes Inc | Driver 6-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 20-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD23892S28-13 | Diodes Inc | Driver 6-OUT High Side/Low Side Half Brdg 28-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD23892S28-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRV HALF-BRIDG 28SO 1.5K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 15V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 28-SO Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 25ns Channel Type: 3-Phase Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 6 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 350mA, 650mA Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD23892S28-13 | Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DGD36030S28-13 | Diodes Incorporated | Description: IC GATE DRVR HV SO-28 | товар відсутній |